基于人工神经网络的功率VDMOSFET单粒子效应预测方法

    公开(公告)号:CN119442888A

    公开(公告)日:2025-02-14

    申请号:CN202411541173.4

    申请日:2024-10-31

    Abstract: 基于人工神经网络的功率VDMOSFET单粒子效应预测方法,包括以下步骤;步骤1:基于TCAD建立功率Si基VDMOSFET器件模型,收集到Si基VDMOSFET的单粒子效应仿真数据;步骤2,基于TCAD仿真数据建立数据集,将数据集划分为训练集、交叉验证集和测试集;步骤3,建立基于卷积神经网络的深度学习预测模型;步骤4,将训练集输入深度学习预测模型,通过损失函数衡量预测值与真实值之间的差距,优化深度学习预测模型;步骤5,将测试集数据输入优化后的深度学习预测模型,评估其预测准确率及泛化能力,满足要求的模型即可用于不同参数以及不同工作条件下的Si基VDMOSFE器件的单粒子效应预测。本发明具有预测精度高,预测时间快的特点。

    基于无铅钙钛矿单晶的核辐射探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN111933730A

    公开(公告)日:2020-11-13

    申请号:CN202010842129.2

    申请日:2020-08-20

    Abstract: 本发明公开了一种基于无铅钙钛矿单晶的核辐射探测器及制备方法,主要解决现有技术钙钛矿吸收层含有有毒铅元素和灵敏度较低的问题,其从下而上依次包括前电极(1)、钙钛矿吸收层(2)和背电极(3)。所述钙钛矿吸收层(2)采用无铅钙钛矿晶体,其厚度为1~20mm;该无铅钙钛矿晶体为A2BX6或A2CC’X6,其中:A为Cs、Rb、Na和K中的任意一种;B为Sn和Ge中的任意一种;C为Ag、Au和Cu中的任意一种;C’为Bi、Sb和In中的任意一种;X为Cl、Br和I中的任意一种。本发明由于采用无铅钙钛矿作为核辐射吸收层,除去了有毒的铅元素,提高了核辐射探测器的灵敏度,可用于核工业的环境监测。

    以二维材料为电子传输层的钙钛矿太阳能电池及制备方法

    公开(公告)号:CN110518122A

    公开(公告)日:2019-11-29

    申请号:CN201910680266.8

    申请日:2019-07-26

    Abstract: 本发明公开了一种以二维材料为电子传输层的钙钛矿太阳能电池及制备方法,本发明可以解决电子传输层迁移率低,稳定性差,禁带宽度不可调的问题,其自上而下依次包括透明导电衬底(1)、二维材料电子传输层(2)、钙钛矿吸收层(3)、空穴传输层(4)和金属电极(5)。其中所采用的二维材料是硒化锡、硒化铟、硫化锌、二硫化锡、硫化亚锡、硫化,过渡金属硫化物,黑磷、二维过渡金属碳化物、氮化物或碳氮化物、石墨烯及其氧化物任意一种。本发明由于采用二维材料的电子传输层,提高了电子传输层的迁移率,改善电子传输层的可见光透过性,调节禁带宽度,从而提高器件的光电转化效率和稳定性,可用于钙钛矿太阳能电池的光电转化。

    一种开关频率可调的自适应关断时间计时器

    公开(公告)号:CN109980935A

    公开(公告)日:2019-07-05

    申请号:CN201910337233.3

    申请日:2019-04-25

    Abstract: 本发明公开了一种开关频率可调的自适应关断时间计时器,包括片内LDO电路、电阻串分压电路、电容充放电电路、两级滤波电路、比较器电路和片外开关频率调节电阻;输入电压分别接入LDO电路和电阻串分压电路的输入端;LDO电路输出端接入比较器的正输入端;电阻串分压电路输出端接入两级滤波器的输入,滤波器输出接入比较器的负输入端;SW连接片外开关频率调节电阻Rfreq并连接到PMOS的源极;开关管的栅压LS_GA连接NMOS和PMOS开关的栅极,电容Cc的上极板连接比较器的正输入端。本发明解决了COT架构中因开关频率随关断时间变化而产生的片内及片外的电磁兼容性问题;也能够对电容充电并与输入电压比较,实现片内开关频率的恒定以及片外开关频率的可调,提高了电磁兼容性。

    基于神经网络的FinFET电磁可靠性预测方法

    公开(公告)号:CN118428214A

    公开(公告)日:2024-08-02

    申请号:CN202410507434.4

    申请日:2024-04-25

    Abstract: 本发明公开了基于神经网络的FinFET电磁可靠性预测方法,包括以下步骤;步骤1.使用TCAD为FinFET器件建模并构建电路;步骤2.获取多组HPM电磁脉冲参数、器件外接电阻阻值及其相应的电磁可靠性的指标,作为样本集;步骤3.将样本集按比例随机划分为训练集、验证集、测试集;分别对训练集、验证集的输入参数进行标准化处理,再对训练集和验证集的输出参数进行归一化处理;步骤4.构建神经网络模型;步骤5.输入样本数据集训练神经网络模型,获得训练完成的神经网络校准模型;步骤6.得到预测FinFET器件的电磁可靠性的指标。通过输入HPM电磁脉冲不同的条件以及不同的器件外接电阻,可以快速准确地获得器件烧毁时间,实验中使用的神经网络模型具有较高的预测精度。

    印刷电路板缺陷确定方法、装置及电子设备

    公开(公告)号:CN117830236A

    公开(公告)日:2024-04-05

    申请号:CN202311759123.9

    申请日:2023-12-19

    Abstract: 本发明涉及一种印刷电路板缺陷确定方法及装置,属于印刷电路板检测技术领域,该方法包括:获取待测印刷电路板的待测图像;根据待测印刷电路板的设计参数和最优估计参数确定待测印刷电路板的第一类缺陷;将最优估计参数和待测图像的各个像素的第一像素位置输入训练好的印刷电路板解码网络,得到待测印刷电路板的拟合图像;将拟合图像与待测图像相减,得到待测印刷电路板的第二类缺陷;根据第一类缺陷和第二类缺陷确定待测印刷电路板的最终缺陷。通过上述技术方案,提高了小批量多批次印刷电路板缺陷的召回率,并降低了小批量多批次印刷电路板缺陷的误检率,从而提高了印刷电路板的产品质量和生产效率。

    基于无铅钙钛矿单晶的核辐射探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN111933730B

    公开(公告)日:2024-02-23

    申请号:CN202010842129.2

    申请日:2020-08-20

    Abstract: 本发明公开了一种基于无铅钙钛矿单晶的核辐射探测器及制备方法,主要解决现有技术钙钛矿吸收层含有有毒铅元素和灵敏度较低的问题,其从下而上依次包括前电极(1)、钙钛矿吸收层(2)和背电极(3)。所述钙钛矿吸收层(2)采用无铅钙钛矿晶体,其厚度为1~20mm;该无铅钙钛矿晶体为A2BX6或A2CC’X6,其中:A为Cs、Rb、Na和K中的任意一种;B为Sn和Ge中的任意一种;C为Ag、Au和Cu中的任意一种;C’为Bi、Sb和In中的任意一种;X为Cl、Br和I中的任意一种。本发明由于采用无铅钙钛矿作为核辐射吸收层,除去了有毒的(56)对比文件Zheng Zhang等.Towards radiationdetection using Cs2AgBiBr6 doubleperovskite single crystals《.MaterialsLetters》.2020,第269卷第1页左栏第1段-第4页左栏第2段及图1-4.Eduardo López-Fraguas, Sofia Masi, 和Iván Mora-Seró.Optical Characterizationof Lead-Free Cs2SnI6 Double PerovskiteFabricated from Degraded andReconstructed CsSnI3 Films《.APPLIEDENERGY MATERIALS》.2019,第1页左栏第1段-第6页左栏第3段及图1-6.

    一种基于哈希函数的RFID群组标签认证协议

    公开(公告)号:CN110190965B

    公开(公告)日:2021-10-26

    申请号:CN201910409924.X

    申请日:2019-05-17

    Abstract: 本发明公开了一种基于哈希函数的RFID群组标签认证协议,包括如下步骤:步骤1、阅读器向其读取范围内的标签发送询问请求消息;步骤2、阅读器将所有标签的响应消息发送至后台数据库;步骤3、后台数据库根据阅读器发送来的标签响应消息确定标签的群组标识符以及无效标识符,选择其中一个群组标识符;步骤4、后台数据库对选择的群组里的所有标签进行认证;步骤5、群组标签对后台数据库进行认证;步骤6、群组标签和后台数据库更新群标识符。本发明采用了单向哈希函数来加密需要传输的消息,以及使用随机数来随机化传输的消息,实现了标签的匿名性和不可追踪性;同时通过在后台数据库中存储新旧群组标识符使得本发明能够很好地抵抗去同步化攻击。本发明采用超时重传机制来确保收到了该群组所有标签的响应消息,保证了群组标签的完整性。

    基于二维钙钛矿单晶的核辐射探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN111933803A

    公开(公告)日:2020-11-13

    申请号:CN202010842131.X

    申请日:2020-08-20

    Abstract: 本发明公开了一种基于二维钙钛矿单晶的核辐射探测器及制备方法,主要解决现有技术载流子迁移率低,暗电流大和电荷传输性能差的问题,其自下而上依次包括前电极(1)、钙钛矿吸收层(2)、背电极(3)。该钙钛矿吸收层采用厚度为1~10mm的二维钙钛矿单晶A2Bn-1CnX3n+1,其中A是苄胺、苯乙基胺、C4H9NH3、C4H12N2、C3H7NH3或C8H12N中的一种或几种,B是CH3NH3、CH(NH2)2、Cs或Rb中的一种或几种,C是Pb、Sn或Ge中的一种或几种,X是Cl、Br或I,n在1~3之间。本发明降低了暗电流,提高了载流子迁移率、寿命和核辐射探测器的灵敏度,可用于核工业领域的环境监测。

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