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公开(公告)号：CN114197042B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202111399340.2
申请日：2021-11-19
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
Abstract: 本发明公开了一种多晶金刚石膜的制备方法和辐射探测器，其中的方法包括如下步骤：将其上具有金刚石晶种的衬底置于化学气相沉积反应室中；设置化学气相沉积反应室中的生长气体为H2、CH4和N2的混合气体；经过第一预设时间后，关闭CH4和N2，并通入O2，将H2和O2的混合气体作为刻蚀气体；经过第二预设时间后，关闭O2，并复通入CH4和N2，将H2、CH4和N2的混合气体作为生长气体；重复上述步骤若干次，直至若干个第一预设时间之和达到预设生长时间后结束，得到多晶金刚石膜。通过本发明中的方法，能够减少最终制备得到的多晶金刚石薄膜内的杂质，提高最终制备得到的多晶金刚石膜的质量，且该方法的实施难度较低。
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公开(公告)号：CN111996510B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202010774596.6
申请日：2020-08-04
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: C23C16/27 , C23C16/52 , C23C16/511 , C23C16/455
Abstract: 本发明涉及一种用于金刚石生长的PLC真空压力控制方法及装置，该方法包括：获取第一工艺气体参数和第一目标压力、第二工艺气体参数和第二目标压力、第三工艺气体参数和第三目标压力；根据第一工艺气体参数控制对应的隔膜阀和质量流量计运行，获取第一实时压力，根据第一实时压力与第一目标压力的比较结果对比例阀进行控制；根据第二工艺气体参数控制对应的隔膜阀和质量流量计运行，获取第二实时压力，根据第二实时压力与第二目标压力的比较结果对比例阀进行控制；根据第三工艺气体参数控制对应的隔膜阀和质量流量计运行，获取第三实时压力，根据第三实时压力与第三目标压力的比较结果对比例阀进行控制。该方法实现了各个阶段对真空压力的精确控制。
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公开(公告)号：CN114496789A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111602296.0
申请日：2021-12-24
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L21/335 , H01L29/06 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种增强型晶体管的制备方法及增强型晶体管，其中的方法包括如下步骤：提供包含第一半导体层和第二半导体层的异质结；第二半导体层形成于第一半导体层上，异质结中形成有二维电子气；第二半导体层包括第一势垒层、插入层和第二势垒层，插入层的热分解温度低于第二势垒层的热分解温度；对第二半导体层进行干法刻蚀形成延伸至插入层中的第一凹槽；对第一凹槽进行热分解刻蚀，形成第二凹槽；在第二凹槽中外延生长P型掺杂层；制备源极、漏极和栅极；源极和漏极均生长于第二半导体层内，栅极位于源极和漏极之间，且栅极生长于P型掺杂层上。通过执行本发明中的方法，能够实现高性能增强型晶体管器件的制备。
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公开(公告)号：CN113725075A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202110789451.8
申请日：2021-07-13
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L21/28 , H01L21/04 , H01L29/45 , C23C16/22 , C23C16/505
Abstract: 本发明提供的一种金刚石混合终端表面电导的制备方法，利用C‑Si代替氢终端金刚石表面空气吸附层，采用原位刻蚀硅的方法作为Si的来源，在金刚石表面形成混合终端，制备C‑H/C‑Si混合终端金刚石，本发明操作简单，成本低廉，不需要复杂的工艺设备及步骤，就可以解决C‑H表面金刚石电导不稳定的问题，提高金刚石表面电导特性。
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公开(公告)号：CN114236340B
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202111563751.0
申请日：2021-12-20
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，公开了一种基于反向I‑V特性的二极管漏电分析方法，包括下列步骤：步骤一、制备二极管的样品用于测试分析；步骤二、对二极管的样品进行变温反向I‑V特性测试，测得的不同温度下的反向I‑V特性数据；步骤三、通过不同漏电流输运机制的漏电流计算公式对上一步所得的反向I‑V特性数据进行拟合，分析出对应的漏电流输运机制。本发明能依据计算公式对多组I‑V特性曲线进行分段拟合分析，最后准确得出该二极管样品的漏电流运输机制，有助于技术人员改善工艺、优化产品应用，对提升产品的质量和可靠性有着较大的意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116092945A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310312086.0
申请日：2023-03-27
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/15 , H01L29/16 , H01L21/04 , C30B25/16 , C30B25/20 , C30B29/04 , C30B29/68
Abstract: 本发明公开了一种基于金刚石超晶格结构的半导体的制备方法及器件，其中的方法包括如下步骤：在单晶金刚石衬底上多次交替生长金刚石P型掺杂层和本征金刚石层，形成超晶格半导体结构层；金刚石P型掺杂层和本征金刚石层的生长过程中，生长气体中甲烷所占的比例在3％～7％之间；在超晶格半导体结构层的器件表面形成氢终端；器件表面为超晶格半导体结构层中远离单晶金刚石衬底的本征金刚石层表面；在超晶格半导体结构层的器件表面上生长导电电极。本发明中的方法，能够减小制备得到的半导体器件内的位错，且能够提高其击穿电压较，减小其寄生电容。
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公开(公告)号：CN111081762B
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN201911323134.6
申请日：2019-12-20
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/34 , H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 一种HEMT器件的外延结构，属于微电子技术领域，包括从下至上依次层叠设置的衬底、成核层、低温三维层、填平层、高阻层、沟道层以及势垒层，其中填平层是由H2处理层/MgGaN二维层/GaN恢复层2循环生长组成，包括H2处理层、MgGaN的二维层、GaN恢复层，本发明通过循环生长H2处理层/MgGaN二维层/GaN恢复层填平层可以大幅度降低材料的位错密度，提高晶格质量，从而提升HEMT器件的电子迁移率、击穿电压以及漏电流等特性。
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公开(公告)号：CN112713188B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202011568133.0
申请日：2020-12-25
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了一种GAN基增强型MIS‑HEMT器件，属于微电子技术领域，包括从下至上依次层叠设置的衬底、成核层、应力调控层、GaN沟道层、插入层、AlxGa1‑XN势垒层以及帽层，所述应力调控层是由AlN/AlGaN/SiNX/GaN循环生长组成，具体包括AlN晶核层、AlGaN应力控制层、网状结构SiNx薄层及GaN填平层，外延材料方面，本发明应力调控层为AlN/AlGaN/SiNX/GaN循环生长复合层，降低了材料的位错密度，提高晶格质量，从而提升器件的电子迁移率、击穿电压等特性；在器件工艺方面，凹栅槽刻蚀通过两步法刻蚀直到将AlxGa1‑xN势垒层刻蚀完，充分结合了干法刻蚀的高效率特点和湿法刻蚀的低界面损伤优势，此外，本发明的TMAH溶液有效降低由于热氧化不均匀造成的栅极凹槽界面不平整问题。
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公开(公告)号：CN112713190A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202011603997.1
申请日：2020-12-29
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种垂直结构氮化镓HEMT器件的制备方法，属于微电子技术领域，从下至上依次层叠设置的衬底、石墨烯层、N型氮化镓层、本征氮化镓层、P型氮化镓层、本征氮化镓沟道层、AlN层、AlGaN势垒层以及P帽层，本发明采用石墨烯作为过渡载体上外延氮化镓可以解决氮化镓自支撑衬底昂贵的问题，还可以解决氮化镓自身诸多方面不足的问题，例如散热性能差等问题。传统垂直型GaN基HEMT器件的承受高压主要部分是P型电流阻挡层(CBL)和N型缓冲层组成的PN结，采用PIN结构替代传统的PN结可以有效的提高击穿电压。
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公开(公告)号：CN112713188A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202011568133.0
申请日：2020-12-25
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了一种GAN基增强型MIS‑HEMT器件，属于微电子技术领域，包括从下至上依次层叠设置的衬底、成核层、应力调控层、GaN沟道层、插入层、AlxGa1‑XN势垒层以及帽层，所述应力调控层是由AlN/AlGaN/SiNX/GaN循环生长组成，具体包括AlN晶核层、AlGaN应力控制层、网状结构SiNx薄层及GaN填平层，外延材料方面，本发明应力调控层为AlN/AlGaN/SiNX/GaN循环生长复合层，降低了材料的位错密度，提高晶格质量，从而提升器件的电子迁移率、击穿电压等特性；在器件工艺方面，凹栅槽刻蚀通过两步法刻蚀直到将AlxGa1‑xN势垒层刻蚀完，充分结合了干法刻蚀的高效率特点和湿法刻蚀的低界面损伤优势，此外，本发明的TMAH溶液有效降低由于热氧化不均匀造成的栅极凹槽界面不平整问题。
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