公开(公告)号：CN118256868A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202410363410.6

申请日：2024-03-28

Applicant: 郑州大学 ,  中原关键金属实验室

Inventor： 刘苗 ,  李景辉 ,  孙本双 ,  何季麟 ,  刘洋 ,  王成铎 ,  陈杰 ,  王之君 ,  扈百直 ,  曾学云

IPC: C23C14/08 ,  C04B35/453 ,  C04B35/622 ,  C23C14/35 ,  C23C14/54 ,  C30B29/22 ,  C30B23/00 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00

Abstract: 本发明实施例公开了稀土掺杂AZO多晶薄膜材料及其制备方法；多晶薄膜材料由稀土、氧化铝对氧化锌进行共掺杂得到，其中，稀土的含量为0.1～5wt.％，氧化铝的含量为2wt.％，氧化锌的含量为93～98wt.％；多晶薄膜材料的厚度为50～500nm，可见光透过率为85～95％，电阻率为1×10‑4～9×10‑4Ω·cm；制备方法包括步骤：S1、稀土粉体、氧化铝粉体与氧化锌粉体混合，得到混合粉体；S2、混合粉体压制、烧结得到靶材；S3、以得到的靶材为溅射靶材，在衬底上沉积得到系统掺杂AZO多晶薄膜材料。AZO多晶薄膜材料性能优异，且稳定性好，可以媲美ITO材料，满足光伏电池、薄膜显示器等领域的应用要求；且制备方法简单，工艺参数易于调控，适合工业化生产。

公开(公告)号：CN116253556A

公开(公告)日：2023-06-13

申请号：CN202310073135.X

申请日：2023-02-07

Applicant: 郑州大学

Inventor： 李景辉 ,  刘苗 ,  孙本双 ,  王成铎 ,  陈杰 ,  刘洋 ,  曾学云 ,  王之君

IPC: C04B35/01 ,  C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  H01L27/12 ,  C04B35/453 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  C04B35/626

Abstract: 本发明实施例公开了氧化铟锡锌靶材的制备方法，包括：纳米氧化铟粉体、纳米氧化锡粉体和纳米氧化锌粉体按照设定比例混合，得到混合粉体；得到的混合粉体与设定比例的消泡剂、分散剂、粘结剂混合，然后依次经过高速分散处理、超声处理和球磨混合，得到混合浆料；混合浆料经过喷雾造粒，得到氧化铟、氧化锡、氧化锌混合粉体；得到的混合粉体经过放电等离子烧结；烧结得到的产物经过退火，得到氧化铟锡锌靶材。得到的氧化铟锡锌靶材载流子迁移率高，能够作为性能优良的原料制备性能优良的氧化物半导体和薄膜晶体管，在半导体显示技术领域有良好应用前景。