公开(公告)号：CN108463345B

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN201680077987.4

申请日：2016-11-16

Applicant: 阔斯泰公司

Inventor： M.辛普森 ,  R.迪瓦卡 ,  A.费勒

IPC: B32B18/00 ,  H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  C23C14/56 ,  C23C16/44 ,  C23C16/458 ,  C04B35/645

Abstract: 一种耐腐蚀组件(100)，其配置成与半导体加工反应器一起使用，所述耐腐蚀组件包括：a)陶瓷绝缘基底(110)；和，b)与所述陶瓷绝缘基底结合的耐腐蚀无孔层(120)，所述耐腐蚀无孔层具有包括基于耐腐蚀无孔层的总重量的至少15重量％的稀土化合物的组成；并且，所述耐腐蚀无孔层的特征在于基本上不含微裂纹和裂隙的显微结构和具有至少约100nm且至多约100μm的平均晶粒尺寸。还公开了包括耐腐蚀组件的组装体和制造方法。

公开(公告)号：CN108463345A

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201680077987.4

申请日：2016-11-16

Applicant: 阔斯泰公司

Inventor： M.辛普森 ,  R.迪瓦卡 ,  A.费勒

IPC: B32B18/00 ,  H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  C23C14/56 ,  C23C16/44 ,  C23C16/458 ,  C04B35/645

CPC classification number: H01J37/32477 ,  B32B18/00 ,  C04B35/10 ,  C04B35/50 ,  C04B35/505 ,  C04B35/581 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/645 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/3847 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/3891 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/442 ,  C04B2235/445 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/721 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/788 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2235/9661 ,  C04B2235/9669 ,  C04B2235/9692 ,  C04B2237/062 ,  C04B2237/064 ,  C04B2237/122 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/341 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/36 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/368 ,  C04B2237/403 ,  C04B2237/567 ,  C04B2237/68 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/708 ,  C23C14/564 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/46 ,  H01J37/32119 ,  H01J37/3244 ,  H01J2237/166 ,  H01J2237/3341 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/6719

Abstract: 一种耐腐蚀组件(100)，其配置成与半导体加工反应器一起使用，所述耐腐蚀组件包括：a)陶瓷绝缘基底(110)；和，b)与所述陶瓷绝缘基底结合的耐腐蚀无孔层(120)，所述耐腐蚀无孔层具有包括基于耐腐蚀无孔层的总重量的至少15重量％的稀土化合物的组成；并且，所述耐腐蚀无孔层的特征在于基本上不含微裂纹和裂隙的显微结构和具有至少约100nm且至多约100μm的平均晶粒尺寸。还公开了包括耐腐蚀组件的组装体和制造方法。