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公开(公告)号：CN114340896A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202080061012.9
申请日：2020-07-01
Applicant: 阔斯泰公司
Abstract: 晶片加热器组件包括加热器基底和无孔最外层。加热器基底包括氮化硅(Si3N4)并且包括嵌入其中的至少一个加热元件。无孔最外层至少与加热器基底的第一表面相关联。无孔最外层包括稀土(RE)二硅酸盐(RE2Si2O7)；其中RE为Yb和Y之一。无孔最外层包括暴露的表面，所述暴露的表面配置成接触晶片以进行加热，所述暴露的表面与加热器基底的第一表面相反。还公开了制造晶片加热器组件的方法以及使用晶片加热器组件的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109963825B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN201780070875.0
申请日：2017-05-12
Applicant: 阔斯泰公司
IPC: B32B18/00 , H01L21/67 , H01L21/673 , H01L21/677 , H01J37/32 , C23C24/08 , C04B35/645
Abstract: 一种配置成与半导体加工反应器一起使用的耐腐蚀组件，该耐腐蚀组件包括：a)陶瓷绝缘基底；和b)与陶瓷绝缘基底结合的白色耐腐蚀无孔外层，所述白色耐腐蚀无孔外层具有至少50μm的厚度、至多1％的孔隙率和包含基于耐腐蚀无孔层的总重量至少15重量％稀土化合物的组成；和，c)在白色耐腐蚀无孔外层的平坦表面上测量的至少90的L*值。还公开了制造方法。
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公开(公告)号：CN109963825A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201780070875.0
申请日：2017-05-12
Applicant: 阔斯泰公司
IPC: C04B35/645 , C04B35/626 , B32B18/00 , H01J37/32
Abstract: 一种配置成与半导体加工反应器一起使用的耐腐蚀组件，该耐腐蚀组件包括：a)陶瓷绝缘基底；和b)与陶瓷绝缘基底结合的白色耐腐蚀无孔外层，所述白色耐腐蚀无孔外层具有至少50μm的厚度、至多1％的孔隙率和包含基于耐腐蚀无孔层的总重量至少15重量％稀土化合物的组成；和，c)在白色耐腐蚀无孔外层的平坦表面上测量的至少90的L*值。还公开了制造方法。
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公开(公告)号：CN114340896B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202080061012.9
申请日：2020-07-01
Applicant: 阔斯泰公司
Abstract: 晶片加热器组件包括加热器基底和无孔最外层。加热器基底包括氮化硅(Si3N4)并且包括嵌入其中的至少一个加热元件。无孔最外层至少与加热器基底的第一表面相关联。无孔最外层包括稀土(RE)二硅酸盐(RE2Si2O7)；其中RE为Yb和Y之一。无孔最外层包括暴露的表面，所述暴露的表面配置成接触晶片以进行加热，所述暴露的表面与加热器基底的第一表面相反。还公开了制造晶片加热器组件的方法以及使用晶片加热器组件的方法。
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公开(公告)号：CN108463345B
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201680077987.4
申请日：2016-11-16
Applicant: 阔斯泰公司
IPC: B32B18/00 , H01J37/32 , H01L21/67 , C23C14/56 , C23C16/44 , C23C16/458 , C04B35/645
Abstract: 一种耐腐蚀组件(100)，其配置成与半导体加工反应器一起使用，所述耐腐蚀组件包括：a)陶瓷绝缘基底(110)；和，b)与所述陶瓷绝缘基底结合的耐腐蚀无孔层(120)，所述耐腐蚀无孔层具有包括基于耐腐蚀无孔层的总重量的至少15重量％的稀土化合物的组成；并且，所述耐腐蚀无孔层的特征在于基本上不含微裂纹和裂隙的显微结构和具有至少约100nm且至多约100μm的平均晶粒尺寸。还公开了包括耐腐蚀组件的组装体和制造方法。
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公开(公告)号：CN108463345A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201680077987.4
申请日：2016-11-16
Applicant: 阔斯泰公司
IPC: B32B18/00 , H01J37/32 , H01L21/67 , C23C14/56 , C23C16/44 , C23C16/458 , C04B35/645
CPC classification number: H01J37/32477 , B32B18/00 , C04B35/10 , C04B35/50 , C04B35/505 , C04B35/581 , C04B35/62655 , C04B35/62675 , C04B35/645 , C04B35/6455 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3229 , C04B2235/3244 , C04B2235/3427 , C04B2235/3847 , C04B2235/3865 , C04B2235/3891 , C04B2235/3895 , C04B2235/442 , C04B2235/445 , C04B2235/5445 , C04B2235/5454 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/658 , C04B2235/72 , C04B2235/721 , C04B2235/77 , C04B2235/785 , C04B2235/786 , C04B2235/788 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2235/9661 , C04B2235/9669 , C04B2235/9692 , C04B2237/062 , C04B2237/064 , C04B2237/122 , C04B2237/34 , C04B2237/341 , C04B2237/343 , C04B2237/36 , C04B2237/366 , C04B2237/368 , C04B2237/403 , C04B2237/567 , C04B2237/68 , C04B2237/704 , C04B2237/708 , C23C14/564 , C23C16/4404 , C23C16/45565 , C23C16/46 , H01J37/32119 , H01J37/3244 , H01J2237/166 , H01J2237/3341 , H01L21/67069 , H01L21/6719
Abstract: 一种耐腐蚀组件(100)，其配置成与半导体加工反应器一起使用，所述耐腐蚀组件包括：a)陶瓷绝缘基底(110)；和，b)与所述陶瓷绝缘基底结合的耐腐蚀无孔层(120)，所述耐腐蚀无孔层具有包括基于耐腐蚀无孔层的总重量的至少15重量％的稀土化合物的组成；并且，所述耐腐蚀无孔层的特征在于基本上不含微裂纹和裂隙的显微结构和具有至少约100nm且至多约100μm的平均晶粒尺寸。还公开了包括耐腐蚀组件的组装体和制造方法。
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