公开(公告)号：CN107266070B

公开(公告)日：2021-01-26

申请号：CN201710188839.6

申请日：2017-03-27

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 樱井弹 ,  森崎信人 ,  石井辰也 ,  有泉琢磨 ,  桥本晋亮 ,  伊藤康裕

IPC: H01G4/12 ,  C04B35/49 ,  C04B35/622 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明的目的在于提供一种即使在较高的电场强度下，特性也良好，特别是IR特性及高温负载寿命也良好的电介质陶瓷组合物。本发明的电介质陶瓷组合物包含：由以组成式(Ba1‑x‑ySrxCay)m(Ti1‑ZZrZ)O3表示的钙钛矿型化合物构成的主成分、由稀土元素的氧化物构成的第一副成分、和作为烧结助剂的第二副成分，所述电介质陶瓷组合物其特征在于，含有稀土元素的扩散率高的电介质颗粒，优选含有全固溶颗粒，在将扩散相中的Ti原子的浓度设为100原子％的情况下，扩散相中的稀土元素R的平均浓度为5原子％以上，并且扩散相中的Zr的平均浓度为10原子％以上。

公开(公告)号：CN102557616A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110295565.3

申请日：2011-09-27

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 石井辰也 ,  塚田岳夫 ,  夏井秀定 ,  增田健一郎 ,  日高重和

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/626 ,  H01G4/12

CPC classification number: C01G23/006 ,  C01P2002/54 ,  C01P2002/76 ,  C01P2004/62 ,  C01P2006/12 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/6265 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3263 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/442 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5463 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/765 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/79 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明的技术问题是提供作为微粒、具有均一的粒度、能够有助于电介质层的薄层化的六方晶系钛酸钡粉末。其解决方案是：本发明的六方晶系钛酸钡粉末的特征在于：其最大粒径为1.0μm以下，90%累积粒径（D90）与50%累积粒径（D50）之比（D90/D50）为3.0以下，六方晶化率为50%以上。

公开(公告)号：CN102442825A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201110309878.X

申请日：2011-09-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 日高重和 ,  石井辰也 ,  塚田岳夫 ,  夏井秀定 ,  增田健一郎

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/626 ,  C04B35/622

CPC classification number: C04B35/468 ,  C01G23/003 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/52 ,  C01P2004/62 ,  C01P2006/12 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/767

Abstract: 六方晶系钛酸钡粉末、其制造方法、电介质陶瓷组合物、电子部件及电子部件的制造方法，一种六方晶系钛酸钡粉末，其以通式(Ba1-αMα)A(Ti1-βGaβ)BO3表示，晶体结构为六方晶，所述M的有效离子半径相对于12配位时的Ba2+的有效离子半径为±25％以内，所述A、B、α和β满足0.975≤(A/B)≤1.015、0.0015≤α≤0.005、0.075≤β≤0.15的关系。

公开(公告)号：CN101419865A

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200810175631.1

申请日：2008-09-26

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 高桥哲弘 ,  渡边康夫 ,  兼子俊彦 ,  细野雅和 ,  石井辰也 ,  武田早织 ,  益子泰辅

IPC: H01G4/12 ,  C04B35/46

Abstract: 本发明涉及电介质陶瓷组合物及电子部件。本发明提供一种电介质陶瓷组合物，其作为主成分具有BaTiO3，相对于主成分100摩尔，作为副成分，以各氧化物或复合氧化物换算，含有：MgO：0.50～3.0摩尔、MnO：0.05～0.5摩尔、选自Sm、Eu、Gd中的元素的氧化物(RE12O3)、选自Tb、Dy中的元素的氧化物(RE22O3)、选自Y、Ho、Er、Yb、Tm、Lu中的元素的氧化物(RE32O3)、BaZrO3：0.20～1.0摩尔、及选自V、Ta、Mo、Nb、W中的元素的氧化物：0.05～0.25摩尔，上述RE12O3、RE22O3和RE32O3的含量满足：RE12O3＜RE22O3，及(RE12O3+RE22O3)≤RE32O3。

公开(公告)号：CN107266063A

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201710188252.5

申请日：2017-03-27

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 樱井弹 ,  森崎信人 ,  石井辰也 ,  有泉琢磨 ,  桥本晋亮 ,  伊藤康裕

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/626 ,  C04B35/632 ,  C04B35/634 ,  C04B35/636 ,  C04B35/638 ,  C04B35/64 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01G4/1245 ,  C01G25/006 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/49 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/6303 ,  C04B35/638 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3249 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/662 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/81 ,  C04B2235/96 ,  H01G4/012 ,  H01G4/248 ,  H01G4/30 ,  C04B35/62605 ,  C04B35/632 ,  C04B35/63404 ,  C04B35/6365 ,  C04B2235/3246 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/94 ,  H01B3/12

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种电介体陶瓷组合物及叠层陶瓷电容器，所述电介体陶瓷组合物即使在较高的电场强度下，特性也良好，特别是IR特性及高温负载寿命良好。本发明的电介体陶瓷组合物包含：由以组成式(Ba1-x-ySrxCay)m(Ti1-ZZrZ)O3表示的钙钛矿型化合物构成的主成分；由稀土元素的氧化物构成的第一副成分；作为烧结助剂的第二副成分，其中，上述电介体陶瓷组合物含有电介体颗粒，该电介体颗粒为由稀土元素扩散而成的扩散相形成的全固溶颗粒、或者扩散相的比例较高的核壳颗粒，且扩散相中的稀土元素的平均浓度为5～20原子％，扩散相的稀土元素的浓度分布均匀。

公开(公告)号：CN102442825B

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201110309878.X

申请日：2011-09-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 日高重和 ,  石井辰也 ,  塚田岳夫 ,  夏井秀定 ,  增田健一郎

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/626 ,  C04B35/622

CPC classification number: C04B35/468 ,  C01G23/003 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/52 ,  C01P2004/62 ,  C01P2006/12 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/767

Abstract: 六方晶系钛酸钡粉末、其制造方法、电介质陶瓷组合物、电子部件及电子部件的制造方法，一种六方晶系钛酸钡粉末，其以通式(Ba1-αMα)A(Ti1-βGaβ)BO3表示，晶体结构为六方晶，所述M的有效离子半径相对于12配位时的Ba2+的有效离子半径为±25％以内，所述A、B、α和β满足0.975≤(A/B)≤1.015、0.0015≤α≤0.005、0.075≤β≤0.15的关系。

公开(公告)号：CN102060521B

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：CN201010537022.3

申请日：2010-11-05

Applicant: TDK株式会社 ,  独立行政法人宇宙航空研究开发机构

Inventor： 石井辰也 ,  夏井秀定 ,  塚田岳夫 ,  依田真一 ,  余野建定

IPC: H01B3/12 ,  H01G4/12 ,  C04B35/468 ,  C04B35/626

CPC classification number: C01G23/006 ,  C01G45/125 ,  C01P2002/52 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/76 ,  C01P2004/51 ,  C01P2004/52 ,  C01P2004/53 ,  C01P2006/12 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/468 ,  C04B35/62675 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3263 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/365 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/662 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/81

Abstract: 本发明涉及六方晶系钛酸钡粉末、其制造方法、电介质陶瓷组合物和电子部件。电介质陶瓷组合物，其以六方晶系钛酸钡为主成分，该六方晶系钛酸钡用通式(Ba1-αMα)A(Ti1-βMnβ)BO3表示，晶体结构为六方晶，且上述M的12配位时的有效离子半径相对于12配位时Ba2+的有效离子半径为±20％以内，上述A、B、α和β满足0.900≤(A/B)≤1.040、0.003≤α≤0.05、0.03≤β≤0.2的关系，相对于该主成分100摩尔，作为副成分，以特定量含有MgO等的碱土类氧化物、Mn3O4和/或Cr2O3、CuO、Al2O3、稀土类元素氧化物、和含SiO2的玻璃成分。根据本发明，可以提供适用于制造表现高的相对介电常数、绝缘电阻优异、且可确保充分可靠性的电容器等电子部件的六方晶系钛酸钡和电介质陶瓷组合物。

公开(公告)号：CN102731089A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210087451.4

申请日：2012-03-29

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 石井辰也 ,  增田健一郎 ,  日高重和 ,  夏井秀定 ,  塚田岳夫

IPC: C04B35/468 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC classification number: C04B35/4682 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/81 ,  H01G4/1227

Abstract: 本发明涉及半导体陶瓷和层叠型半导体陶瓷电容器，更具体地，涉及BaTiO3系晶界绝缘型的半导体陶瓷和使用其的层叠型半导体陶瓷电容器。其目的在于提供通过提高半导体陶瓷部分的绝缘性，从而可兼具作为半导体陶瓷的高介电特性和高绝缘电阻的层叠型半导体陶瓷电容器。本发明所述的BaTiO3系半导体陶瓷，其特征在于，其由BaA(Ti1-α-βGaαNbβ)BO3所示，A/B摩尔比在0.900以上且1.060以下的范围，α/β摩尔比在0.92以上且100以下的范围。

公开(公告)号：CN102060521A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN201010537022.3

申请日：2010-11-05

Applicant: TDK株式会社 ,  独立行政法人宇宙航空研究开发机构

Inventor： 石井辰也 ,  夏井秀定 ,  塚田岳夫 ,  依田真一 ,  余野建定

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/626 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12

CPC classification number: C01G23/006 ,  C01G45/125 ,  C01P2002/52 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/76 ,  C01P2004/51 ,  C01P2004/52 ,  C01P2004/53 ,  C01P2006/12 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/468 ,  C04B35/62675 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3263 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/365 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/662 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/81

Abstract: 本发明涉及六方晶系钛酸钡粉末、其制造方法、电介质陶瓷组合物和电子部件。电介质陶瓷组合物，其以六方晶系钛酸钡为主成分，该六方晶系钛酸钡用通式(Ba1-αMα)A(Ti1-βMnβ)BO3表示，晶体结构为六方晶，且上述M的12配位时的有效离子半径相对于12配位时Ba2+的有效离子半径为±20％以内，上述A、B、α和β满足0.900≤(A/B)≤1.040、0.003≤α≤0.05、0.03≤β≤0.2的关系，相对于该主成分100摩尔，作为副成分，以特定量含有MgO等的碱土类氧化物、Mn3O4和/或Cr2O3、CuO、Al2O3、稀土类元素氧化物、和含SiO2的玻璃成分。根据本发明，可以提供适用于制造表现高的相对介电常数、绝缘电阻优异、且可确保充分可靠性的电容器等电子部件的六方晶系钛酸钡和电介质陶瓷组合物。

公开(公告)号：CN107266071A

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201710193148.5

申请日：2017-03-28

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 樱井弹 ,  森崎信人 ,  石井辰也 ,  有泉琢磨

IPC: C04B35/49 ,  C04B41/88 ,  H01G4/30 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明的目的在于提供一种即使在高的电场强度下也特性良好，尤其是IR特性及高温负载寿命良好的电介质陶瓷组合物。本发明的电介质陶瓷组合物的特征在于，包含：由组成式(Ba1-x-ySrxCay)m(Ti1-ZZrZ)O3(m、x、y、z全部表示摩尔比，且分别满足0.94≤m≤1.1，0≤x≤0.2，0≤y≤0.2，0.06≤z＜0.2)构成的主成分；由稀土元素R的氧化物构成的第一副成分；由Mg的氧化物构成的第二副成分；由选自Mn、Cr、Co及Fe的至少一种元素M的氧化物构成的第三副成分和作为烧结助剂的第四副成分，相对于上述主成分100mol，第一副成分的换算成氧化物的含量R为8～20mol，第二副成分的换算为氧化物的含量M为3～15mol，第三副成分的换算为氧化物的含量N为0.6～2.0mol，且1.0≤R/(M+N)≤2.4。