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    성막 장치
    2.
    发明公开
    성막 장치 有权
    沉积装置

    公开(公告)号：KR1020120135253A

    公开(公告)日：2012-12-12

    申请号：KR1020127024088

    申请日：2011-03-08

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 하라마사미치 ,  야마모토가오루 ,  고미아츠시 ,  다가사토시

    IPC: C23C16/455 ,  H01L21/285

    CPC classification number: C23C16/455 ,  C23C16/16 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45591 ,  C23C16/45593 ,  H01L21/28556

    Abstract: 유기 금속 화합물로 이루어지는 원료 가스를 이용하여 박막을 형성하는 성막 장치는, 내부를 진공 배기할 수 있는 처리 용기(22)와, 피처리체(W)를 배치하며 피처리체(W)를 가열하는 가열 히터(34)가 설치된 배치대(28)와, 배치대(28)의 상방에 배치대(28)에 대향하도록 설치되고, 배치대(28) 상의 피처리체(W)의 외주단보다 외측의 영역을 향하여 원료 가스를 도입하는 가스 도입 기구(80)와, 배치대(28)의 상방의 처리 공간(S)을 둘러싸, 그 내외를 구획하며, 그 하단부가 배치대(28)에 접근하도록 설치되고, 하단부와 배치대(28)의 주연부 사이에서 가스 출구(92)를 형성하는 내부 구획벽(90)과, 내부 구획벽(90)의 하단부에 배치대(28)의 반경 방향의 내방을 향하여 연장되도록 설치되며, 배치대(28)의 주연부와의 사이에서 가스 출구(92)에 연통하는 오리피스부(98)를 형성하는 오리피스 형성 부재(96)를 구비한다.

    기판 탑재 기구 및 기판 처리 장치
    3.
    发明授权
    기판 탑재 기구 및 기판 처리 장치 有权
    基板放置机构和基板处理装置

    公开(公告)号：KR101196601B1

    公开(公告)日：2012-11-02

    申请号：KR1020107005343

    申请日：2008-09-03

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 하라마사미치 ,  고미아츠시 ,  마에카와신지 ,  다가사토시

    IPC: H01L21/687 ,  H01L21/205

    CPC classification number: C23C16/4586 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/46 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/68742

    Abstract: 피처리 기판이 탑재되는 기판 탑재 기구로서, 피처리 기판 탑재면(21a)을 갖고, 피처리 기판 W를, 막이 퇴적되는 성막 온도로 가열하는 가열체가 매설되고, 대직경부(94b)와 소직경부(94a)를 갖는 제 1 리프터핀 삽입 통과 구멍(81a)을 구비한 히터 플레이트(21)와, 적어도 피러치 기판 탑재면(21a) 이외의 표면을 덮도록 형성되고, 온도가 성막온도 미만의 비성막 온도로 되고, 대직경부(92b)와 소직경부(92a)를 갖는 제 2 리프터핀 삽입 통과 구멍(81c)을 구비한 온도 조절 재킷과, 대직경부(94b)에 삽입 통과 가능한 덮개부(93b)와, 대직경부(94b) 및 소직경부(94a) 모두에 삽입 통과 가능한 축부(93a)를 구비한 제 1 리프터핀(24b-1)과, 대직경부(92b)에 삽입통과 가능한 덮개부(91b)와, 대직경부(92b) 및 소직경부(92a) 모두에 삽입통과 가능한 축부(91a)를 구비한 제 2 리프터핀(24b-2)를 구비한다.

    성막 장치
    5.
    发明授权
    성막 장치 有权
    沉积装置

    公开(公告)号：KR101499305B1

    公开(公告)日：2015-03-05

    申请号：KR1020127024088

    申请日：2011-03-08

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 하라마사미치 ,  야마모토가오루 ,  고미아츠시 ,  다가사토시

    IPC: C23C16/455 ,  H01L21/285

    CPC classification number: C23C16/455 ,  C23C16/16 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45591 ,  C23C16/45593 ,  H01L21/28556

    Abstract: 유기 금속 화합물로 이루어지는 원료 가스를 이용하여 박막을 형성하는 성막 장치는, 내부를 진공 배기할 수 있는 처리 용기(22)와, 피처리체(W)를 배치하며 피처리체(W)를 가열하는 가열 히터(34)가 설치된 배치대(28)와, 배치대(28)의 상방에 배치대(28)에 대향하도록 설치되고, 배치대(28) 상의 피처리체(W)의 외주단보다 외측의 영역을 향하여 원료 가스를 도입하는 가스 도입 기구(80)와, 배치대(28)의 상방의 처리 공간(S)을 둘러싸, 그 내외를 구획하며, 그 하단부가 배치대(28)에 접근하도록 설치되고, 하단부와 배치대(28)의 주연부 사이에서 가스 출구(92)를 형성하는 내부 구획벽(90)과, 내부 구획벽(90)의 하단부에 배치대(28)의 반경 방향의 내방을 향하여 연장되도록 설치되며, 배치대(28)의 주연부와의 사이에서 가스 출구(92)에 연통하는 오리피스부(98)를 형성하는 오리피스 형성 부재(96)를 구비한다.

    기판 탑재 기구, 기판 처리 장치, 기판 탑재 기구상으로의 막 퇴적 억제 방법 및 기억 매체
    8.
    发明公开
    기판 탑재 기구, 기판 처리 장치, 기판 탑재 기구상으로의 막 퇴적 억제 방법 및 기억 매체 有权
    基板放置机构，基板处理装置，用于抑制基板放置机构上的膜沉积的方法和存储介质

    公开(公告)号：KR1020100071979A

    公开(公告)日：2010-06-29

    申请号：KR1020107005339

    申请日：2008-09-03

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 하라마사미치 ,  고미아츠시 ,  마에카와신지 ,  다가사토시 ,  야마모토가오루

    IPC: H01L21/687 ,  H01L21/205 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46

    CPC classification number: H01L21/67103 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67109

    Abstract: Provided is a substrate placing mechanism whereupon a substrate to be processed is placed. The substrate placing mechanism is provided with a heater plate (21), which has a surface (21a) whereupon a substrate to be processed is placed and has a heating body (21b) embedded therein for heating the substrate to a film forming temperature where a film is deposited. The substrate placing mechanism is also provided with a temperature adjustment jacket (22), which is formed to cover at least a surface of the heater plate (21) other than the surface of the substrate placing surface (21a) and adjusts the temperature to be a non film forming temperature below the film forming temperature.

    Abstract translation: 提供了一种基板放置机构，由此放置待处理的基板。 基板放置机构设置有加热板（21），该加热板具有表面（21a），其中放置有待加工的基板，并且具有嵌入其中的加热体（21b），用于将基板加热到成膜温度，其中 电影被存放。 衬底放置机构还设置有温度调节护套（22），其形成为覆盖加热器板（21）的除了衬底放置表面（21a）的表面之外的至少一个表面，并将温度调节为 非成膜温度低于成膜温度。

    기판 처리 장치 및 탑재대
    9.
    发明公开
    기판 처리 장치 및 탑재대 审中-实审
    基板加工装置和安装表

    公开(公告)号：KR1020140095430A

    公开(公告)日：2014-08-01

    申请号：KR1020140005509

    申请日：2014-01-16

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 다가사토시 ,  고바야시요시유키

    IPC: H01L21/683 ,  H01L21/3065

    CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32715 ,  H01L21/6831

    Abstract: A temperature response of a mounting tray is increased. A substrate processing apparatus includes: a chamber, a mounting tray installed in the chamber to mount a substrate, a high frequency power source to apply high frequency electric power, a gas supply source to supply a desired gas into the chamber wherein the mounting tray has a first ceramic base having a passage through which a refrigerant flows, and a first conductive layer formed on a peripheral surface and a side surface of the first ceramic base to which a substrate is mounted; and an electrostatic chuck laminated on the first conductive layer, to electrostatically absorb the mounted substrate, the volume of the passage equal to or greater than the volume of the first ceramic base, whereby plasma is generated from the desired gas by the high frequency electric power applied to the first conductive layer, and the mounted substrate is processed by the plasma.

    Abstract translation: 安装托盘的温度响应增加。 基板处理装置包括：室，安装在室中的安装托盘以安装基板，高频电源施加高频电力;气体供应源，用于将所需气体供应到所述室中，其中所述安装托盘具有 第一陶瓷基座，具有通过制冷剂流过的通道;以及第一导电层，其形成在安装有基板的第一陶瓷基体的外周面和侧面上; 以及静电卡盘，其层压在第一导电层上，静电吸收安装的基板，通道的体积等于或大于第一陶瓷基体的体积，由此通过高频电力从期望的气体产生等离子体 施加到第一导电层，并且所安装的衬底由等离子体处理。

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