公开(公告)号：KR101791302B1

公开(公告)日：2017-10-27

申请号：KR1020150068979

申请日：2015-05-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마모토가오루 ,  오리모토신지 ,  스즈키나오유키

IPC: H01L21/683

CPC classification number: H02N13/00 ,  H01L21/6833 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/6875

Abstract: [과제] 극저온에서사용할수 있는정전흡착장치를제공한다. [해결수단] 이정전흡착장치의정전척에서는, 베이스상에제1 절연층이형성된다. 제1 절연층의제1 부분은베이스의제1 면상에서뻗어있고, 제1 절연층의제2 부분은베이스의제2 면의적어도일부위에서뻗어있다. 제1 절연층의제1 부분상에는흡착전극이형성된다. 제1 절연층의제1 부분및 흡착전극상에는제2 절연층이형성되어있다. 흡착전극으로부터는도체패턴이뻗어있고, 이도체패턴은제1 절연층의제2 부분상에급전단자를제공한다. 이급전단자에는압박부재에의해서압박된단자부재의접촉부가접촉한다. 이단자부재에는전원에접속된배선이접속된다.

Abstract translation: 发明内容本发明提供一种可在低温下使用的静电吸附装置。 解决问题的手段在瞬态吸附装置的静电吸盘中，第一绝缘层形成在基座上。 第一绝缘层的第一部分在基底的第一侧上延伸，并且第一绝缘层的第二部分在基底的第二侧的至少一部分上延伸。 吸附电极形成在第一绝缘层的第一部分上。 第二绝缘层形成在第一绝缘层的第一部分和吸附电极上。 导体图案从吸附电极延伸并且导体图案在第一绝缘层的第二部分上提供馈电端子。 被按压部件施力的端子部件的接触部分与供电端子接触。 连接到电源的配线连接到端子构件。

公开(公告)号：KR1020140036978A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：KR1020130110920

申请日：2013-09-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미야시타데츠야 ,  야마모토가오루

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67703 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67196

Abstract: A processing system is provided. A transfer device for transferring a substrate and is maintained in a vacuum state, and a process unit (1-4) which is connected to the transfer room (5) and performs a preset process on the substrate are formed. The process unit (1-4) has a first chamber (51) which performs a preset process on the substrate and a second chamber (81) which can be separated from the first chamber (51) and performs a preset process on the substrate in a mounting process. The wall part of the first chamber (51) and the second chamber (81) is maintained in a different temperate condition.

Abstract translation: 提供处理系统。 一种用于传送基板并保持在真空状态的转印装置，并且形成一个连接到转印室（5）并在基板上执行预设处理的处理单元（1-4）。 处理单元（1-4）具有在基板上执行预设处理的第一室（51）和可与第一室（51）分离的第二室（81），并对基板进行预设处理 一个安装过程。 第一室（51）和第二室（81）的壁部分保持在不同的温度条件下。

公开(公告)号：KR101287225B1

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：KR1020107005339

申请日：2008-09-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하라마사미치 ,  고미아츠시 ,  마에카와신지 ,  다가사토시 ,  야마모토가오루

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/205 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46

CPC classification number: H01L21/67103 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67109

Abstract: 피처리 기판이 탑재되는 기판 탑재 기구로서, 피처리 기판 탑재면(21a)을 갖고, 피처리 기판 W를, 막이 퇴적되는 성막 온도로 가열하는 가열체(21b)가 매립된 히터 플레이트(21)와, 적어도 히터 플레이트(21)의 피처리 기판 탑재면(21a) 이외의 표면을 덮도록 형성되고, 온도가 성막 온도 미만인 비성막 온도로 되는 온도 조절 재킷(22)을 구비한다.

公开(公告)号：KR1020080000593A

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：KR1020077023871

申请日：2006-03-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시자카다다히로 ,  야마모토가오루

IPC: C23C16/50 ,  C23C16/455 ,  C23C16/00 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/28562 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/5096 ,  H01J2237/022 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76862

Abstract: A method for depositing a film on a substrate using a plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD) process includes disposing the substrate in a process chamber configured to facilitate the PEALD process. A first process material is introduced within the process chamber, and a second process material is introduced within the process chamber. Electromagnetic power of more than 600W is coupled to the process chamber during introduction of the second process material in order to generate a plasma that accelerates a reduction reaction between the first and second process materials at a surface of the substrate. The film is formed on the substrate by alternatingly introducing the first process material and the second process material.

Abstract translation: 使用等离子体增强原子层沉积（PEALD）工艺在衬底上沉积膜的方法包括将衬底设置在配置为便于PEALD工艺的处理室中。 在处理室内引入第一处理材料，并且在处理室内引入第二处理材料。 超过600W的电磁功率在引入第二工艺材料期间耦合到处理室，以便产生加速基材表面处的第一和第二工艺材料之间的还原反应的等离子体。 通过交替地引入第一处理材料和第二处理材料，在基板上形成膜。

公开(公告)号：KR100715052B1

公开(公告)日：2007-05-07

申请号：KR1020057007348

申请日：2003-11-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루 ,  이시바시세이지 ,  야마모토가오루 ,  다나카스미 ,  야나기타니게니치

IPC: H01L21/02

CPC classification number: G05D16/208

Abstract: 이 처리 장치는 기판(W)을 탑재하는 탑재대(8)를 갖는 처리용기(4)와, 처리 가스를 도입하는 가스 도입 수단(10)과, 소정의 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급계(14, 16, 18)와, 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 공급계(12)와, 밸브 개방도가 가능하게 이루어진 압력 제어 밸브(36)와 진공 펌프(38)가 설치된 진공 배기계(32)와, 압력계(48)를 갖고, 처리 가스의 분압이 중요해지는 처리를 할 때에는 처리 가스를 일정량 흐르게 하면서 압력계(48)의 검출값에 근거하여 압력 제어 밸브(36)의 밸브 개방도를 제어하고, 처리 가스의 분압이 비교적 중요해지지 않는 처리를 할 때에는 압력 제어 밸브(36)의 밸브 개방도를 소정의 값으로 고정함과 동시에 압력계(48)의 검출값에 근거하여 불활성 가스의 공급량을 제어한다. 따라서, 처리 압력의 범위가 크게 다른 복수 종류의 처리를 하는 경우에도, 각각의 처리의 압력 제어를 적정하게 실행할 수 있다.

公开(公告)号：KR101685753B1

公开(公告)日：2016-12-12

申请号：KR1020137024499

申请日：2012-03-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마모토가오루 ,  하라마사미치 ,  미야시타데츠야

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/16 ,  C23C14/56 ,  F16K51/02 ,  F16K3/02 ,  F16K3/18 ,  H01L21/285 ,  H01L21/67 ,  H01L21/768 ,  B65G49/00 ,  C23C16/54

CPC classification number: F16K3/30 ,  B65G49/00 ,  C23C14/566 ,  C23C16/16 ,  C23C16/4401 ,  F16K3/0227 ,  F16K3/182 ,  F16K51/02 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/76841

Abstract: 온도가상온보다도높아지는측벽과, 상기측벽에마련된제 1 기판반입·반출구를가지는감압가능한핫 월챔버와, 상기핫 월챔버에대하여기판을반입·반출하는반송아암기구와, 제 2 기판반입·반출구를가지는감압가능한트랜스퍼챔버와, 상기핫 월챔버와상기트랜스퍼챔버의사이에마련되는게이트밸브장치를구비한기판처리장치. 상기게이트밸브장치는연통구멍과, 제 1 하우징체기판반입·반출구와, 제 2 하우징체기판반입·반출구가마련된측벽을가지는하우징체와, 상기하우징체의내부를자유롭게승강할수 있는밸브체와, 제 1 시일부재와상기제 1 시일부재의외측에마련된제 2 시일부재를가지는 2중시일구조를구비하고, 상기연통구멍은, 상기제 1 시일부재와상기제 2 시일부재와의사이의극간을상기하우징체의내부공간과연통한다.

Abstract translation: 基板处理装置包括具有侧壁的可降压热壁室，其温度变得高于室温，以及设置在侧壁中的第一基板输送口，具有转移臂机构和第二基板输送口的可降压输送室，以及 设置在所述热壁室和所述传送室之间的闸阀单元。 闸阀单元包括：壳体，其具有设置有连通孔的侧壁，第一壳体基板传送端口和第二壳体基板传送端口; 可在壳体内升降的阀体; 以及具有第一密封构件和设置在第一密封构件的外侧的第二密封构件的双重密封结构。 连通孔与第一密封构件和第二密封构件之间的间隙与壳体的内部空间连通。

公开(公告)号：KR101662421B1

公开(公告)日：2016-10-04

申请号：KR1020147028904

申请日：2013-03-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하라마사미치 ,  야마모토가오루 ,  미즈사와야스시

IPC: C23C16/16 ,  C23C16/44 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/4412 ,  B01D8/00 ,  B01D2258/0216 ,  C23C16/16 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46 ,  C23C16/463 ,  F15D1/0005 ,  H01J37/32834 ,  H01J37/32844 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605

Abstract: 처리용기로부터의배기가스를흘려보내는배기통로의도중에개설되는하우징과, 상기하우징안에설치되고상기배기가스의흐름방향에대해서주 트랩면이평행하게되도록배치되며상기배기가스의흐름방향과직교하는방향으로서로소정의간격을두고설치된복수의트랩판을가지는트랩유닛을구비하며, 상기트랩유닛을, 상기배기가스의흐름방향을따라서복수개 마련하는것을특징으로하는트랩장치가제공된다.

公开(公告)号：KR1020140021566A

公开(公告)日：2014-02-20

申请号：KR1020137024499

申请日：2012-03-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마모토가오루 ,  하라마사미치 ,  미야시타데츠야

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/16 ,  C23C14/56 ,  F16K51/02 ,  F16K3/02 ,  F16K3/18 ,  H01L21/285 ,  H01L21/67 ,  H01L21/768 ,  B65G49/00 ,  C23C16/54

CPC classification number: F16K3/30 ,  B65G49/00 ,  C23C14/566 ,  C23C16/16 ,  C23C16/4401 ,  F16K3/0227 ,  F16K3/182 ,  F16K51/02 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/76841 ,  C23C16/54

Abstract: 온도가 상온보다도 높아지는 측벽과, 상기 측벽에 마련된 제 1 기판 반출입구를 가지는 감압 가능한 핫 월 챔버와, 상기 핫 월 챔버에 대하여 기판을 반출입하는 반송 아암 기구와, 제 2 기판 반출입구를 가지는 감압 가능한 트랜스퍼 챔버와, 상기 핫 월 챔버와 상기 트랜스퍼 챔버의 사이에 마련되는 게이트 밸브 장치를 구비한 기판 처리 장치. 상기 게이트 밸브 장치는 연통 구멍과, 제 1 하우징체 기판 반출입구와, 제 2 하우징체 기판 반출입구가 마련된 측벽을 가지는 하우징체와, 상기 하우징체의 내부를 자유롭게 승강할 수 있는 밸브체와, 제 1 시일 부재와 상기 제 1 시일 부재의 외측에 마련된 제 2 시일 부재를 가지는 2중 시일 구조를 구비하고, 상기 연통 구멍은, 상기 제 1 시일 부재와 상기 제 2 시일 부재와의 사이의 극간을 상기 하우징체의 내부 공간과 연통한다.

Abstract translation: 基板处理装置包括具有侧壁的可降压热壁室，其温度变得高于室温，以及设置在侧壁中的第一基板输送口，具有转移臂机构和第二基板输送口的可降压输送室，以及 设置在所述热壁室和所述传送室之间的闸阀单元。 闸阀单元包括：壳体，其具有设置有连通孔的侧壁，第一壳体基板传送端口和第二壳体基板传送端口; 可在壳体内升降的阀体; 以及具有第一密封构件和设置在第一密封构件的外侧的第二密封构件的双重密封结构。 连通孔与第一密封构件和第二密封构件之间的间隙与壳体的内部空间连通。

公开(公告)号：KR101263565B1

公开(公告)日：2013-05-13

申请号：KR1020110021519

申请日：2011-03-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마모토가오루

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/28556 ,  C23C16/16 ,  C23C16/45517 ,  C23C16/45565 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76873

Abstract: 본발명은막 두께의면내균일성을향상시키며, 반응효율을향상시켜성막속도도높게할 수있는성막장치를제공한다. 유기금속화합물의원료가스를이용하여피처리체(W)의표면에박막을형성하는성막장치에있어서, 진공배기가가능하게이루어진처리용기(22)와, 가열히터(34)가마련된배치대(28)와, 배치대에대향시켜마련되어있고, 원료가스의분해를촉진시키는분해촉진가스를도입시키기위해배치대위의피처리체에대향하도록배치된복수의분해촉진가스도입구(80A)와원료가스를도입시키기위해복수의분해촉진가스도입구가형성된영역을둘러싸도록하여배치된원료가스도입구(80B)를갖는가스도입수단(80)을구비한다. 이에따라막 두께의면내균일성을향상시키며, 반응효율을향상시켜성막속도도높게한다.

公开(公告)号：KR1020120135253A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：KR1020127024088

申请日：2011-03-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하라마사미치 ,  야마모토가오루 ,  고미아츠시 ,  다가사토시

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/455 ,  C23C16/16 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45591 ,  C23C16/45593 ,  H01L21/28556

Abstract: 유기 금속 화합물로 이루어지는 원료 가스를 이용하여 박막을 형성하는 성막 장치는, 내부를 진공 배기할 수 있는 처리 용기(22)와, 피처리체(W)를 배치하며 피처리체(W)를 가열하는 가열 히터(34)가 설치된 배치대(28)와, 배치대(28)의 상방에 배치대(28)에 대향하도록 설치되고, 배치대(28) 상의 피처리체(W)의 외주단보다 외측의 영역을 향하여 원료 가스를 도입하는 가스 도입 기구(80)와, 배치대(28)의 상방의 처리 공간(S)을 둘러싸, 그 내외를 구획하며, 그 하단부가 배치대(28)에 접근하도록 설치되고, 하단부와 배치대(28)의 주연부 사이에서 가스 출구(92)를 형성하는 내부 구획벽(90)과, 내부 구획벽(90)의 하단부에 배치대(28)의 반경 방향의 내방을 향하여 연장되도록 설치되며, 배치대(28)의 주연부와의 사이에서 가스 출구(92)에 연통하는 오리피스부(98)를 형성하는 오리피스 형성 부재(96)를 구비한다.