公开(公告)号：KR101287225B1

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：KR1020107005339

申请日：2008-09-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하라마사미치 ,  고미아츠시 ,  마에카와신지 ,  다가사토시 ,  야마모토가오루

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/205 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46

CPC classification number: H01L21/67103 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67109

Abstract: 피처리 기판이 탑재되는 기판 탑재 기구로서, 피처리 기판 탑재면(21a)을 갖고, 피처리 기판 W를, 막이 퇴적되는 성막 온도로 가열하는 가열체(21b)가 매립된 히터 플레이트(21)와, 적어도 히터 플레이트(21)의 피처리 기판 탑재면(21a) 이외의 표면을 덮도록 형성되고, 온도가 성막 온도 미만인 비성막 온도로 되는 온도 조절 재킷(22)을 구비한다.

公开(公告)号：KR101052156B1

公开(公告)日：2011-07-26

申请号：KR1020097020116

申请日：2008-03-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하라마사미치 ,  고미아츠시 ,  요코야마오사무 ,  다나카도시마사 ,  마에카와신지 ,  다가사토시

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/4481 ,  C23C16/52

Abstract: 본 발명은, 원료 용기내의 고체 원료를 가열하여 기화시킨 원료 가스를 소비 구역에 공급하는 가스 공급 방법에 있어서, 소비 구역에 연통하는 처리가스 공급로에 캐리어 가스를 통류시키는 동시에, 해당 처리가스 공급로내의 가스 압력을 측정하는 공정(a)과, 상기 원료 용기내의 고체원료를 가열하여, 원료 가스를 발생시키는 공정(b)과, 상기 공정(a)과 동일한 유량의 캐리어 가스를 상기 원료 용기내에 공급하여, 이 캐리어 가스와 함께 상기 원료 가스를 상기 처리가스 공급로에 통류시키면서 해당 처리가스 공급로내의 가스 압력을 측정하는 공정(c)과, 상기 공정(a)에서 취득한 압력 측정값과, 상기 공정(c)에서 취득한 압력 측정값과, 캐리어 가스의 유량에 근거하여, 상기 원료 가스의 유량을 연산하는 공정(d)을 구비한 것을 특징으로 하는 가스 공급 � �법이다.

公开(公告)号：KR1020100126307A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：KR1020107018300

申请日：2009-01-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하라마사미치 ,  미즈사와야스시 ,  다가사토시 ,  고미아츠시 ,  하타노다츠오

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/285 ,  C23C16/16

CPC classification number: C23C16/45559 ,  C23C16/16 ,  H01L21/28562

Abstract: 성막 방법은, 금속 카르보닐을 함유하는 처리 가스와 일산화탄소를 함유하는 캐리어 가스를 포함하는 처리 가스 흐름을, 피처리 기판의 표면을 피하여, 피처리 기판의 외주보다 직경 방향 상외측의 영역으로 흘리고, 상기 처리 가스 흐름으로부터 상기 금속 카르보닐을 상기 피처리 기판의 표면으로 확산시켜, 상기 피처리 기판의 표면에 금속막을 성막하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1020080102184A

公开(公告)日：2008-11-24

申请号：KR1020087022157

申请日：2007-01-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈키겐지 ,  귀도엠마누엘피 ,  루싱크게리트제이 ,  하라마사미치 ,  구로이와다이스케 ,  이시자카다다히로

IPC: C23C16/448 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/4481

Abstract: A high conductance, multi-tray film precursor evaporation system (1) coupled with a high conductance vapor delivery system (40) is described for increasing deposition rate by increasing exposed surface area of film precursor. The multi-tray film precursor evaporation system (50) includes one or more trays (340). Each tray is configured to support and retain film precursor (350) in, for example, solid powder form or solid tablet form. Additionally, each tray is configured to provide for a high conductance flow of carrier gas over the film precursor while the film precursor is heated. For example, the carrier gas flows inward over the film precursor, and vertically upward through a flow channel (318) within the stackable trays and through an outlet (322) in the solid precursor evaporation system.

Abstract translation: 描述了与高电导蒸气输送系统（40）耦合的高电导多托盘膜前体蒸发系统（1），以通过增加膜前体的暴露表面积来提高沉积速率。 多托盘膜前体蒸发系统（50）包括一个或多个托盘（340）。 每个托盘构造成支撑并保持例如固体粉末形式或固体片剂形式的膜前体（350）。 此外，每个托盘构造成在膜前体被加热的同时提供载气在膜前体上的高电导流。 例如，载气在膜前体向内流动，并且垂直向上流过可堆叠托盘内的流动通道（318）并通过固体前驱物蒸发系统中的出口（322）。

公开(公告)号：KR101989366B1

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：KR1020187021262

申请日：2013-04-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고미아츠시 ,  미야시타데츠야 ,  후루카와신지 ,  마에다고지 ,  하라마사미치 ,  스즈키나오유키 ,  미키히로시 ,  히라타도시하루

IPC: H01L43/12 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677

公开(公告)号：KR101674000B1

公开(公告)日：2016-11-08

申请号：KR1020137027936

申请日：2012-02-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마모토카오루 ,  하라마사미치 ,  고미아츠시 ,  히라타토시하루 ,  타가사토시

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/18 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/4412

Abstract: 기판처리장치는, 유기금속화합물을포함하는원료가스를이용하여기판처리를행하는처리실과유기금속화합물을회수하는회수장치를포함한다. 회수장치는, 처리실로부터배출된가스가통류하는통류부, 통류부로유입된가스에포함되는미반응의유기금속화합물을통류부내에서석출시키도록상기통류부를냉각하는냉각부, 통류부의상류측과하류측을연통하는바이패스로, 통류부의상류측에설치되고, 처리실로부터배출된가스의통류부에의유입을허가또는저지하는제 1 개폐부, 통류부의상류측에설치되고, 처리실로부터배출된가스의바이패스로에의유입을허가또는저지하는바이패스로개폐부, 및통류부의하류측에설치된배출관을포함한다.

Abstract translation: 该基板处理装置包括：处理室，其中使用含有有机金属化合物的原料气体处理基板; 以及还原有机金属化合物的回收装置。 回收装置包括：循环单元，其中从处理室排出的气体循环; 冷却单元，其冷却循环单元，使得已经流入循环单元的气体中包含的未反应的有机金属化合物在循环单元内沉淀; 旁通通道，其在所述循环单元的上游侧和下游侧连通; 第一打开/关闭单元，设置在循环单元的上游，并允许或防止从处理室排出的气体流入循环单元; 旁通通道打开/关闭单元，设置在循环单元的上游，并允许或防止已经从处理室排出的气体流入旁通通道; 以及设置在循环单元的下游的排出管。

公开(公告)号：KR1020140029412A

公开(公告)日：2014-03-10

申请号：KR1020137027936

申请日：2012-02-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마모토카오루 ,  하라마사미치 ,  고미아츠시 ,  히라타토시하루 ,  타가사토시

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/18 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C16/18 ,  C23C16/4408 ,  H01L21/31

Abstract: 기판 처리 장치는, 유기 금속 화합물을 포함하는 원료 가스를 이용하여 기판 처리를 행하는 처리실과 유기 금속 화합물을 회수하는 회수 장치를 포함한다. 회수 장치는, 처리실로부터 배출된 가스가 통류하는 통류부, 통류부로 유입된 가스에 포함되는 미반응의 유기 금속 화합물을 통류부 내에서 석출시키도록 상기 통류부를 냉각하는 냉각부, 통류부의 상류측과 하류측을 연통하는 바이패스로, 통류부의 상류측에 설치되고, 처리실로부터 배출된 가스의 통류부에의 유입을 허가 또는 저지하는 제 1 개폐부, 통류부의 상류측에 설치되고, 처리실로부터 배출된 가스의 바이패스로에의 유입을 허가 또는 저지하는 바이패스로 개폐부, 및 통류부의 하류측에 설치된 배출관을 포함한다.

Abstract translation: 该基板处理装置包括：处理室，其中使用含有有机金属化合物的原料气体处理基板; 以及回收有机金属化合物的回收装置。 回收装置包括：循环单元，其中从处理室排出的气体循环; 冷却单元，其冷却循环单元，使得已经流入循环单元的气体中包含的未反应的有机金属化合物在循环单元内沉淀; 旁通通道，其在所述循环单元的上游侧和下游侧连通; 第一打开/关闭单元，设置在循环单元的上游，并允许或防止从处理室排出的气体流入循环单元; 旁通通道打开/关闭单元，设置在循环单元的上游，并允许或防止已经从处理室排出的气体流入旁通通道; 以及设置在循环单元的下游的排出管。

公开(公告)号：KR101336420B1

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：KR1020110069572

申请日：2011-07-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미야시타데츠야 ,  하라마사미치 ,  미즈사와야스시 ,  히라타도시하루

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67173 ,  H01L21/67736

Abstract: 본 발명은 복수의 처리 영역에 있어서 각각 기판에 대해 진공 처리를 실행함에 있어서, 장치 전체의 풋프린트를 억제하면서, 기판의 이송 탑재에 요하는 시간을 짧게 억제할 수 있는 진공 처리 장치를 제공한다. 제 1 및 제 2 로드록실(2a, 2b)간에, 상류측에서 하류측을 향해 일렬로 3개의 처리 유닛(11) 및 반송 모듈(12)을 순차적으로 기밀하게 배열한다. 또한, 각각의 처리 유닛(11)내에 상류측으로부터 웨이퍼(W)를 이송 탑재하기 위한 웨이퍼 반송 장치(24)를 배치하는 동시에, 하류단의 처리 유닛(11)으로부터 제 2 로드록실(2b)에 웨이퍼(W)의 이송 탑재를 실행하기 위한 웨이퍼 반송 장치(24)를 반송 모듈(12)내에 마련한다. 그리고, 제 1 로드록실(2a)로부터 상류단의 처리 유닛(11)에의 웨이퍼(W)의 이송 탑재와, 하류단의 처리 유닛(11)으로부터 제 2 로드록실(2b)에의 웨이퍼(W)의 이송 탑재와, 상류측의 처리 유닛(11a)으로부터 하류측의 처리 유닛(11)에의 웨이퍼(W)의 이송 탑재를 동시에 실행한다.

公开(公告)号：KR101172931B1

公开(公告)日：2012-08-10

申请号：KR1020077014437

申请日：2005-10-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 수주키켄지 ,  기도티엠마누엘 ,  레우신크게리트제이 ,  하라마사미치 ,  쿠로이와다이수케

IPC: C23C16/448 ,  C23C16/00

CPC classification number: C23C16/16 ,  C23C16/4481

Abstract: 고 전도성을 가지며, 고전도 증기 이송 시스템에 연결되는 멀티 트레이 고상 전구체 증발 시스템(50, 150, 300, 300')에 이용하기 위한 교체 가능한 전구체 트레이가 고상 전구체의 노출 면적을 증가시킴으로써 증착률을 증가시키는 것에 대해 기술되어 있다. 멀티 트레이 고상 전구체 증발 시스템(50, 150, 300, 300')은 박막 증착 시스템(1, 100)의 처리 챔버(10, 110)에 연결되도록 형성되고, 하나 이상의 적층 가능한 상부 트레이(340)와 함께 기반 트레이(330)를 포함한다. 각각의 트레이(330, 340)는 예컨대, 고상 파우더 형태 또는 고상 타블렛 형태의 막 전구체(350)를 지지하고 유지하도록 형성된다. 또한, 각 트레이(330, 340)는 막 전구체(350)가 가열되는 동안 막 전구체(350) 상에 캐리어 가스의 고전도 유동을 제공하도록 형성된다. 예컨대, 캐리어 가스는 내부로 유입되어, 막 전구체(350)의 위를 거쳐, 적층 가능한 트레이(370, 370') 내의 유동 채널(318)을 통해 수직 상방으로 흘러, 고상 전구체 증발 시스템(50, 150, 300, 300')의 출구를 통해 흐른다.

公开(公告)号：KR1020110117700A

公开(公告)日：2011-10-27

申请号：KR1020117020855

申请日：2010-03-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고미아츠시 ,  미즈사와야스시 ,  하타노다츠오 ,  하라마사미치 ,  야마모토가오루 ,  다가사토시 ,  야스무로치아키

IPC: H01L21/683 ,  C23C16/458 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/68785 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/4586 ,  H01L21/67109

Abstract: 본 발명은 진공 배기가 가능하게 된 처리 용기내에서, 유기 금속 화합물의 원료로 이루어지는 원료 가스를 이용하여, 피처리체의 표면에 박막을 형성하기 위해 해당 피처리체를 탑재하는 탑재대 구조에 관한 것이다. 본 발명에 의한 탑재대 구조는 피처리체를 탑재하고, 내부에 가열 히터가 마련된 탑재대 본체와, 상기 탑재대 본체의 측면과 저면을 둘러싼 상태에서 상기 탑재대 본체를 지지하고, 내부에 냉매를 흘리는 냉매 통로가 마련되고, 원료 가스의 분해 온도 미만이고 또한 원료 가스의 고화 온도 또는 액화 온도 이상의 온도 범위로 유지된 기대를 구비한 것을 특징으로 한다.