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公开(公告)号：KR101676903B1
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：KR1020130103099
申请日：2013-08-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01L21/02041 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01J37/32449 , H01J37/32862 , H01L21/02065
Abstract: 일실시형태의플라즈마처리장치는처리용기, 탑재대, 리모트플라즈마유닛, 확산부, 및이온필터를구비한다. 탑재대는처리용기내에마련되어있다. 리모트플라즈마유닛은수소함유가스를여기시켜여기가스를생성한다. 리모트플라즈마유닛에는여기가스의출구가형성되어있다. 확산부는리모트플라즈마유닛의출구에면하도록마련되어있고, 해당출구로부터흘러나오는여기가스를받아, 수소이온의양이감소된수소의활성종을확산시킨다. 이온필터는확산부와탑재대의사이에위치하고, 또한, 확산부로부터이간하도록마련되어있다. 이온필터는확산부에의해확산된수소의활성종에포함되는수소이온을포착하여, 수소이온의양이더욱감소된수소의활성종을통과시킨다.
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公开(公告)号：KR101240076B1
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：KR1020107028339
申请日：2009-08-04
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , B01D53/14 , B01D53/72 , H01L21/02
CPC classification number: C23C16/4412 , B01D53/002 , B01D53/62 , B01D53/75 , B01D2257/706 , B01D2258/0216 , B01D2259/416 , C23C16/16 , Y02C20/30
Abstract: 본 발명은, 특정한 냉매에 대하여 분해되지 않고 안정된 특성을 갖는 유기 금속 화합물의 원료를 기화시켜 얻어진 원료 가스를 이용하여 피처리체의 표면에 금속의 박막을 형성하도록 한 처리 용기로부터 배출되는 배기 가스중으로부터, 상기 원료를 회수하는 원료 회수 방법에 있어서, 상기 배기 가스를 상기 냉매와 접촉시켜 냉각함으로써, 미반응의 원료 가스를 응고시키고, 상기 원료를 재석출시키는 응고 공정과, 상기 응고 공정에서 재석출된 상기 원료를, 상기 냉매로부터 분리하여 회수하는 회수 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 원료 회수 방법이다.
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公开(公告)号：KR1020170070852A
公开(公告)日：2017-06-22
申请号：KR1020170072206
申请日：2017-06-09
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065 , H05H1/00
CPC classification number: H05F3/00 , C23C14/34 , C23C14/50 , C23C16/50 , H01J37/32568 , H01J37/34 , H01L21/6833 , H05H1/46 , H01L21/3065 , H05H1/00
Abstract: 플라즈마처리시의척력(흡착력)을충분히얻을수 있고, 잔류전하를적게해서파티클의발생량도억제하는것이가능한플라즈마처리방법을제공한다. 탑재대의상면에마련한정전척에피처리체를흡착시킨상태에서피처리체에대하여플라즈마처리를실시하도록한 플라즈마처리방법에있어서, 정전척에인가전압으로서제 1 전압을인가하여피처리체를흡착함과함께정전척과피처리체와의사이에열전도가스를공급한상태에서플라즈마처리를실시하는플라즈마처리공정과, 플라즈마처리공정의종료시에열전도가스의공급을정지하여정전척과기피처리체와의사이에잔류하는열전도가스를배기시키면서인가전압을저하시키도록한 인가전압저하공정과, 인가전압저하공정후에, 정전척으로의인가전압을제로로해서피처리체를정전척으로부터이탈시키도록한 이탈공정을가진다.
Abstract translation: 本发明提供一种等离子体处理方法，其能够充分地获得等离子体处理时的排斥力（吸附力），并且通过减少残留电荷量来减少残留颗粒的量。 一种等离子体处理方法，其中待处理物体在待处理物体被吸附在设置在载置台的上表面上的静电吸盘中的同时经受等离子体处理， 为在卡盘和工件之间所提供的热传导性气体hansangtae进行等离子体处理静电等离子体处理步骤，以停止所述传热气体的供给在等离子体处理过程结束排出静电卡盘之间，以及防水处理构件之间保留的传热气体 在施加电压降低步骤之后，通过将施加到静电吸盘的电压设定为零，从静电吸盘释放待处理物体的释放步骤。
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公开(公告)号：KR1020140043877A
公开(公告)日：2014-04-11
申请号：KR1020130117804
申请日：2013-10-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H05F3/00 , C23C14/34 , C23C14/50 , C23C16/50 , H01J37/32568 , H01J37/34 , H01L21/6833
Abstract: Provided is a plasma processing method capable of obtaining sufficient repulsion force (adhesion) when processing plasma, and suppressing the generation of particles by reducing residual charges. In this method, plasma processing is performed on a subject in a state that the subject is adsorbed onto an electrostatic chuck on the top of a tray. The methods comprises: a plasma processing process of performing plasma processing in a state that heat conduction gas is supplied between a subject and the electrostatic chuck while adsorbing the subject by applying a first voltage to the electrostatic chuck as an application voltage; an application voltage reduction process of reducing the application voltage while exhausting the heat conduction gas remaining between the subject and the electrostatic chuck by stopping supplying the heat conduction gas at the termination of the plasma processing process; and a separation process of separating the subject from the electrostatic chuck by making the application voltage to the electrostatic chuck become zero after the application voltage reduction process. [Reference numerals] (AA) Voltage of an electrostatic chuck; (BB) Pressure of heat conduction gas; (CC) High frequency power for plasma; (DD,EE) First voltage; (FF) (opening and closing switch → close); (GG) Separate a wafer by a lifter pin; (HH) Plasma processing method of the present invention
Abstract translation: 提供一种等离子体处理方法，其能够在处理等离子体时获得足够的排斥力（粘附），并通过减少残余电荷来抑制颗粒的产生。 在该方法中，在被检体吸附在托盘顶部的静电卡盘上的状态下，对被检体进行等离子体处理。 所述方法包括：等离子体处理过程，其在通过向所述静电卡盘施加第一电压作为施加电压而吸附被检体之间，在被检体和所述静电卡盘之间供给导热气体的状态下进行等离子体处理; 施加电压降低处理，其通过在等离子体处理过程的终止时停止供给导热气体而排出残留在被检体和静电卡盘之间的导热气体，同时降低施加电压; 以及通过使静电卡盘的施加电压在施加电压降低处理之后变为零而将被摄体与静电卡盘分离的分离处理。 （附图标记）（AA）静电卡盘的电压; （BB）导热气压力; （CC）等离子体的高频功率; （DD，EE）第一电压; （FF）（开关→关闭）; （GG）通过升降器引脚分离晶片; （HH）本发明的等离子体处理方法
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020130095283A
公开(公告)日：2013-08-27
申请号：KR1020137010785
申请日：2011-09-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 이시자카다다히로 , 사쿠마다카시 , 하타노다츠오 , 요코야마오사무 , 고미아츠시 , 야스무로치아키 , 후쿠시마도시히코 , 도시마히로유키 , 가와마타마사야 , 미즈사와야스시 , 가토다카라
IPC: H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/768 , C23C14/021 , C23C14/024 , C23C14/14 , C23C14/345 , C23C14/3492 , C23C14/541 , C23C14/542 , H01J37/34 , H01L21/2855 , H01L21/76865 , H01L21/76873 , H01L21/76877 , H01L21/76882
Abstract: 처리 용기 내에서 플라즈마에 의해 금속의 타겟으로부터 금속 이온을 발생시켜 바이어스에 의해 인입하여 오목부가 형성되어 있는 피처리체에 금속의 박막을 퇴적시키는 성막 방법에 있어서, 타겟으로부터 금속 이온을 생성하고, 그 금속 이온을 바이어스에 의해 피처리체에 인입하여 오목부 내에 기초막을 형성하는 기초막 형성 공정과, 금속 이온을 발생시키지 않는 상태에서 바이어스에 의해 희가스를 이온화시킴과 아울러 발생한 이온을 피처리체에 인입하여 기초막을 에칭하는 에칭 공정과, 타겟을 플라즈마 스퍼터링하여 금속 이온을 생성하고, 그 금속 이온을 바이어스 전력에 의해 피처리체를 인입하여 금속막으로 이루어지는 본막을 퇴적하면서, 그 본막을 가열 리플로우시키는 성막 리플로우 공정을 갖는다.
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公开(公告)号：KR101481924B1
公开(公告)日：2015-01-12
申请号：KR1020137010785
申请日：2011-09-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 이시자카다다히로 , 사쿠마다카시 , 하타노다츠오 , 요코야마오사무 , 고미아츠시 , 야스무로치아키 , 후쿠시마도시히코 , 도시마히로유키 , 가와마타마사야 , 미즈사와야스시 , 가토다카라
IPC: H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/768 , C23C14/021 , C23C14/024 , C23C14/14 , C23C14/345 , C23C14/3492 , C23C14/541 , C23C14/542 , H01J37/34 , H01L21/2855 , H01L21/76865 , H01L21/76873 , H01L21/76877 , H01L21/76882
Abstract: 처리 용기 내에서 플라즈마에 의해 금속의 타겟으로부터 금속 이온을 발생시켜 바이어스에 의해 인입하여 오목부가 형성되어 있는 피처리체에 금속의 박막을 퇴적시키는 성막 방법에 있어서, 타겟으로부터 금속 이온을 생성하고, 그 금속 이온을 바이어스에 의해 피처리체에 인입하여 오목부 내에 기초막을 형성하는 기초막 형성 공정과, 금속 이온을 발생시키지 않는 상태에서 바이어스에 의해 희가스를 이온화시킴과 아울러 발생한 이온을 피처리체에 인입하여 기초막을 에칭하는 에칭 공정과, 타겟을 플라즈마 스퍼터링하여 금속 이온을 생성하고, 그 금속 이온을 바이어스 전력에 의해 피처리체를 인입하여 금속막으로 이루어지는 본막을 퇴적하면서, 그 본막을 가열 리플로우시키는 성막 리플로우 공정을 갖는다.
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公开(公告)号：KR1020140029289A
公开(公告)日：2014-03-10
申请号：KR1020130103099
申请日：2013-08-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01L21/02041 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01J37/32449 , H01J37/32862 , H01L21/02065
Abstract: The present invention relates to a plasma processing device comprising a processing vessel, a mounting tray, a remote plasma unit, a diffusion part, and an ion filter. The mounting tray is formed in the processing vessel. Excitation gas is generated by controlling the remote plasma unit to excite hydrogen containing gas. The exit of the excitation gas is formed at the remote plasma unit. The diffusion part is formed at the exit of the remote plasma unit and receives the excitation gas flowing from the exit for diffusing the active species of hydrogen with reduced amount of hydrogen ion. The ion filter is positioned between the diffusion part and the mounting tray and separated from the diffusion part. The ion filter traps hydrogen ion included in the active species of the hydrogen diffused by the diffusion part for passing the active species of the hydrogen with additionally reduced amount of the hydrogen ions. [Reference numerals] (26) Exhaustion device; (30) Direct current power circuit; (32) Heater power; (36) Cooler
Abstract translation: 等离子体处理装置技术领域本发明涉及一种等离子体处理装置，其包括处理容器，安装托盘，远程等离子体装置，扩散部件和离子过滤器。 安装托盘形成在处理容器中。 通过控制远程等离子体单元来激发含氢气体产生激发气体。 在远程等离子体单元处形成激发气体的出口。 扩散部分形成在远程等离子体单元的出口处，并接收从出口流出的激发气体，用于以减少量的氢离子扩散活性物质的氢。 离子过滤器位于扩散部分和安装托盘之间，并与扩散部分分离。 离子过滤器捕获由扩散部分扩散的氢的活性物质中包含的氢离子，用于使氢的活性物质进一步减少氢离子的量。 （附图标记）（26）耗尽装置; （30）直流电源电路; （32）加热器功率; （36）冷却器
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公开(公告)号：KR101359070B1
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：KR1020117020855
申请日：2010-03-03
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/683 , C23C16/458 , H01L21/02 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/68785 , C23C16/4404 , C23C16/4412 , C23C16/4585 , C23C16/4586 , H01L21/67109
Abstract: 본 발명은 진공 배기가 가능하게 된 처리 용기내에서, 유기 금속 화합물의 원료로 이루어지는 원료 가스를 이용하여, 피처리체의 표면에 박막을 형성하기 위해 해당 피처리체를 탑재하는 탑재대 구조에 관한 것이다. 본 발명에 의한 탑재대 구조는 피처리체를 탑재하고, 내부에 가열 히터가 마련된 탑재대 본체와, 상기 탑재대 본체의 측면과 저면을 둘러싼 상태에서 상기 탑재대 본체를 지지하고, 내부에 냉매를 흘리는 냉매 통로가 마련되고, 원료 가스의 분해 온도 미만이고 또한 원료 가스의 고화 온도 또는 액화 온도보다 높은 온도 범위로 유지된 기대를 구비한 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR101291821B1
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：KR1020117021177
申请日：2010-02-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/285 , H01L21/3205 , C23C16/18
CPC classification number: H01L23/53238 , C23C16/16 , C23C16/56 , H01L21/28556 , H01L21/76846 , H01L21/76864 , H01L21/76873 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 유기 금속 화합물을 포함하는 성막 원료를 이용하여 CVD에 의해 기판 상에 Ru막을 성막하는 공정과, 상기 Ru막이 성막된 기판에 대해, 수소함유 분위기에서의 아닐을 실시하는 공정에 의해 CVD－Ru막을 형성한다.
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