公开(公告)号：KR101730755B1

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：KR1020157029440

申请日：2014-02-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 자오지안핑 ,  첸리 ,  펑크메리트 ,  이와오도시히코 ,  벤트젝피터엘지

IPC: H01J37/32 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32247 ,  H01J37/32256

Abstract: 플라즈마에인접한공진캐비티에서공진마이크로파에너지를생성하는것에의해소망의 EM파모드의전자기(EM) 에너지를플라즈마에커플링하도록구성되는하나이상의공진캐비티를갖는공진기시스템(100, 200, 300, 400, 1000, 1100, 1200, 1300)이제공된다. 공진기시스템은하나이상의인터페이스어셈블리(165a, 165b, 265a, 265b, 365a, 365b, 465a, 465b, 1065) 및분리어셈블리(164a-c, 264a-c, 364a-c, 464a-d, 1164a)를사용하여프로세스챔버(110, 210, 310, 410, 1010, 1110, 1210, 1310)에커플링될수 있고, 각각의공진캐비티는자신에게커플링되는복수의플라즈마튜닝로드(170a-c와 175a-c, 270a-c와 275a-c, 370a-c와 375a-c, 470a-d와 475a-d, 570a-d와 575a-d, 670a-d와 675a-d, 770a-d와 775a-d, 1070a와 1075a, 1170a와 1175a)를구비할수 있다. 플라즈마튜닝로드는공진캐비티로부터의 EM 에너지를프로세스챔버내의프로세스공간(115, 215, 315, 415)으로커플링하도록구성될수 있다.

Abstract translation: 在邻近由具有至少一个谐振腔由期望的能量的EM波模式的电磁（EM）的耦合到所述等离子体（100，200，300，400中产生能量的等离子体共振微波谐振器系统的谐振腔， 1000,1100,1200,1300）。 使用谐振器系统的至少一个接口组件（165A，165B，265A，265B，365A，365B，465A，465B，1065）和分隔组件（164A-C，264A-C，364A-C，464A-d，1164A） C和175a-c，其耦合到处理室110,210,310,410,1010,1110,1210,1310， 器270a-c和275A-C，370A-C和375A-C，470A-d和475A-d，570A-d和575A-d，670A-d和675A-d，770A-d和775A-d，1070A和 1075a，1170a和1175a。 等离子体调谐杆可以被配置成耦合从谐振腔中的EM能量转换成在处理室中的处理空间（115，215，315，415）。

公开(公告)号：KR1020160007441A

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：KR1020150098627

申请日：2015-07-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 왕밍메이 ,  란잔알록 ,  벤트젝피터엘지

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/32136 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32816 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/31116

Abstract: 본개시는플라즈마처리시스템과, 마이크로전자기판의고정밀에칭을위한방법에대한것이다. 시스템은모노층(들)을제거하기위한플라즈마조건을발생시킬수 있는무선주파수(rf) 전원및 마이크로파의조합을포함할수 있다. 시스템은마이크로전자기판의표면상에얇은흡수층을형성하기위해제1 플라즈마를발생시킬수 있다. 시스템이제2 플라즈마로전이할때, 흡수층이제거될수 있다. 제1 및제2 플라즈마간의차이는기판에근접한이온에너지일수 있다. 예를들면, 제1 플라즈마는 20ev 보다작은이온에너지를가질수 있고, 제2 플라즈마는 20ev 보다큰 이온에너지를가질수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及等离子体处理系统和微电子基板的高精度蚀刻方法。 该系统可以包括微波和射频（RF）电源的组合，其可以产生等离子体条件以去除单层。 该系统可以产生第一等离子体以在微电子衬底的表面上形成薄的吸收层。 当系统转变到第二等离子体时，可以去除吸收层。 第一和第二等离子体之间的差异可以是靠近衬底的离子能。 例如，第一等离子体的离子能量可以为20eV以下，第二等离子体的离子能量可以为20eV以上。

公开(公告)号：KR1020160007373A

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：KR1020150094868

申请日：2015-07-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 란잔알록 ,  왕밍메이 ,  벤트젝피터엘지

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/32136 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32816 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/31116

Abstract: 본개시는플라즈마처리시스템과, 마이크로전자기판의고정밀에칭을위한방법에대한것이다. 시스템은모노층(들)을제거하기위한플라즈마조건을발생시킬수 있는무선주파수(rf) 전원및 마이크로파의조합을포함할수 있다. 시스템은마이크로전자기판의표면상에얇은흡수층을형성하기위해제1 플라즈마를발생시킬수 있다. 시스템이제2 플라즈마로전이할때, 흡수층이제거될수 있다. 제1 및제2 플라즈마간의차이는기판에근접한이온에너지일수 있다. 예를들면, 제1 플라즈마는 20ev 보다작은이온에너지를가질수 있고, 제2 플라즈마는 20ev 보다큰 이온에너지를가질수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及等离子体处理系统和微电子基板的高精度蚀刻方法。 该系统可以包括微波和射频（RF）电源的组合，其可以产生等离子体条件以去除单层。 该系统可以产生第一等离子体以在微电子衬底的表面上形成薄的吸收层。 当系统转变到第二等离子体时，可以去除吸收层。 第一和第二等离子体之间的差异可以是靠近衬底的离子能。 例如，第一等离子体可具有20eV以下的离子能量，第二等离子体的离子能量可以为20eV以上。

公开(公告)号：KR101490628B1

公开(公告)日：2015-02-05

申请号：KR1020130130260

申请日：2013-10-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시카와준 ,  스사요시오 ,  마츠모토나오키 ,  벤트젝피터엘지

IPC: H05H1/46

CPC classification number: H01J37/3266 ,  H01J37/32669 ,  H01J37/32678

Abstract: 본 발명은 인가하는 자기장을 적정화함으로써, 플라즈마를 균일하게 생성하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에서는, 처리실과, 고주파 전력을 출력하는 발진기와, 상기 고주파 전력을 특정 플라즈마 생성 위치로부터 상기 처리실의 내부에 공급하는 전력 공급 수단과, 상기 처리실의 외부에 마련되고, 적어도 상기 특정 플라즈마 생성 위치에 자기장을 형성하는 자기장 형성 수단과, 상기 처리실의 내부에서 생성된 플라즈마의 전자 충돌 주파수(fe) 및 사이클로트론 주파수(fc)가 fc>fe가 되도록 상기 자기장 형성 수단에 의해 형성되는 상기 자기장을 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치가 제공된다.

Abstract translation: 本公开提供了一种等离子体处理装置，包括：处理室; 配置为输出高频电力的振荡器; 电源单元，被配置为将来自特定等离子体产生位置的高频电力提供给所述处理室; 磁场形成单元，其设置在所述处理室的外部，并且被配置为至少在所述特定等离子体产生位置处形成磁场; 以及控制单元，被配置为控制由所述磁场形成单元形成的磁场，使得在所述处理室中产生的等离子体的电子碰撞频率fe与回旋加速器频率fc之间的关系为fc> fe。

公开(公告)号：KR1020140058350A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：KR1020130130260

申请日：2013-10-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시카와준 ,  스사요시오 ,  마츠모토나오키 ,  벤트젝피터엘지

IPC: H05H1/46

CPC classification number: H01J37/3266 ,  H01J37/32669 ,  H01J37/32678

Abstract: An objective of the present invention is to optimize a magnetic field that is applied to uniformly generate plasma. The present invention provides a plasma treatment apparatus including a treatment chamber; an oscillator for outputting high-frequency power; a power supply unit for supplying the high-frequency power from a specific plasma generation position to the inside of the treatment chamber; a magnetic field generating unit provided outside the treatment chamber to generate a magnetic field at the specific plasma generation position; and a control unit for controlling the magnetic field formed by the magnetic field generating unit so that an electron collision frequency (fe) of the plasma generated from the inside of the treatment chamber and a cyclone frequency (fc) satisfy a condition of fc>fe.

Abstract translation: 本发明的目的是优化用于均匀产生等离子体的磁场。 本发明提供一种等离子体处理装置，其包括处理室; 用于输出高频电源的振荡器; 电源单元，用于将来自特定等离子体产生位置的高频电力提供到处理室的内部; 设置在处理室外部的磁场产生单元，以在特定等离子体产生位置产生磁场; 以及控制单元，用于控制由磁场产生单元形成的磁场，使得从处理室的内部产生的等离子体的电子碰撞频率（fe）和旋风频率（fc）满足fc> fe的条件 。

公开(公告)号：KR101991477B1

公开(公告)日：2019-06-20

申请号：KR1020170094367

申请日：2017-07-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 벤트젝피터엘지 ,  란잔알록

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324

公开(公告)号：KR101886349B1

公开(公告)日：2018-08-08

申请号：KR1020150098627

申请日：2015-07-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 왕밍메이 ,  란잔알록 ,  벤트젝피터엘지

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/32136 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32816 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/31116

Abstract: 본개시는플라즈마처리시스템과, 마이크로전자기판의고정밀에칭을위한방법에대한것이다. 시스템은모노층(들)을제거하기위한플라즈마조건을발생시킬수 있는무선주파수(RF) 전원및 마이크로파의조합을포함할수 있다. 시스템은마이크로전자기판의표면상에얇은흡수층을형성하기위해제1 플라즈마를발생시킬수 있다. 시스템이제2 플라즈마로전이할때, 흡수층이제거될수 있다. 제1 및제2 플라즈마간의차이는기판에근접한이온에너지일수 있다. 예를들면, 제1 플라즈마는 20eV 보다작은이온에너지를가질수 있고, 제2 플라즈마는 20eV 보다큰 이온에너지를가질수 있다.

公开(公告)号：KR101745686B1

公开(公告)日：2017-06-12

申请号：KR1020150094868

申请日：2015-07-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 란잔알록 ,  왕밍메이 ,  벤트젝피터엘지

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/32136 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32816 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/31116

Abstract: 본개시는플라즈마처리시스템과, 마이크로전자기판의고정밀에칭을위한방법에대한것이다. 시스템은모노층(들)을제거하기위한플라즈마조건을발생시킬수 있는무선주파수(RF) 전원및 마이크로파의조합을포함할수 있다. 시스템은마이크로전자기판의표면상에얇은흡수층을형성하기위해제1 플라즈마를발생시킬수 있다. 시스템이제2 플라즈마로전이할때, 흡수층이제거될수 있다. 제1 및제2 플라즈마간의차이는기판에근접한이온에너지일수 있다. 예를들면, 제1 플라즈마는 20eV 보다작은이온에너지를가질수 있고, 제2 플라즈마는 20eV 보다큰 이온에너지를가질수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于等离子体处理系统的高精度的蚀刻和微电子衬底。 该系统可以包含sikilsu产生等离子体的条件用于去除单层（S）（RF）和微波功率的射频组合。 Sikilsu系统可产生第一等离子体，以形成微电子衬底的表面上形成薄的吸收层。 当系统现在转换为两个等离子体时，吸收层可以被移除。 第一和第二等离子体之间的差异可以是靠近衬底的离子能量。 例如，第一等离子体小，并且可以具有比20eV任何离子能量，所述第二等离子体可以具有比20eV大的离子能量。

公开(公告)号：KR1020170005140A

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：KR1020167036408

申请日：2015-05-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 벤트젝피터엘지 ,  천리

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32229 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222

Abstract: 본개시내용은동일한물리적하드웨어를사용하여유도결합플라즈마(ICP) 및표면파플라즈마를생성하기위해단일전원어셈블리를사용할수 있는플라즈마처리시스템에관한것이다. 전원어셈블리는무선주파수(RF) 전원을위한 ICP 코일및 마이크로파소스를위한슬롯안테나로서사용될도전성물질을포함할수 있는안테나플레이트를포함할수 있다.

Abstract translation: 本公开涉及一种等离子体处理系统，其可以使用单个电源组件来生成使用相同物理硬件的电感耦合等离子体（ICP）和表面波等离子体。 电源组件可以包括天线板，其可以包括用于射频（RF）电源的ICP线圈和用作微波源的缝隙天线的导电材料。

公开(公告)号：KR102260394B1

公开(公告)日：2021-06-02

申请号：KR1020167036408

申请日：2015-05-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 벤트젝피터엘지 ,  천리

IPC: H01J37/32