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公开(公告)号：KR1020050055686A
公开(公告)日：2005-06-13
申请号：KR1020050046175
申请日：2005-05-31
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01L21/6708 , B05D1/005 , B05D3/0486 , B05D3/107 , H01L21/6715 , Y10S134/902
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술분야
도포막형성방법, 도포유니트, 에이징유니트, 용매치환유니트, 및 도포막형성장치
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
밀폐용기내로의 가스도입 개시시의 농도 및 온도의 변동을 억제하는 것, 밀폐용기내에 기판 예컨대 웨이퍼를 반입한 직후에 있어서의 용매성분의 가스의 결로를 막는 것 및 그에 따라 양질인 얇은 막 예컨대 층간절연막을 얻을 수 있는 도포막형성방법, 에이징유니트, 도포막형성장치를 제공함.
3. 발명의 해결방법의 요지
웨이퍼(W) 반입전에 혼합가스를 생성하여 배기하여 두고, 챔버(3)내로의 가스도입 개시시의 용매성분의 농도 및 온도의 변동을 억제한다. 에이징유니트내에 웨이퍼(W)를 반입하고 나서 겔화시키는 공정을 몇 개의 단계로 나눈다. 웨이퍼(W) 온도가 소정의 처리온도에 달할 때까지 혼합가스중의 용매성분의 평균농도를 웨이퍼(W) 온도에 대하여 서서히 높게 하여 간다. 그에 따라 밀폐용기내에 웨이퍼(W)를 반입한 직후에 있어서의 용매성분의 가스의 결로를 방지한다.
4. 발명의 중요한 용도
반도체디바이스의 층간절연막을 형성하는 방법에 사용됨.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100503391B1
公开(公告)日：2005-07-22
申请号：KR1020050046175
申请日：2005-05-31
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01L21/6708 , B05D1/005 , B05D3/0486 , B05D3/107 , H01L21/6715 , Y10S134/902
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술분야
도포막형성방법, 도포유니트, 에이징유니트, 용매치환유니트, 및 도포막형성장치
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
밀폐용기내로의 가스도입 개시시의 농도 및 온도의 변동을 억제하는 것, 밀폐용기내에 기판 예컨대 웨이퍼를 반입한 직후에 있어서의 용매성분의 가스의 결로를 막는 것 및 그에 따라 양질인 얇은 막 예컨대 층간절연막을 얻을 수 있는 도포막형성방법, 에이징유니트, 도포막형성장치를 제공함.
3. 발명의 해결방법의 요지
웨이퍼(W) 반입전에 혼합가스를 생성하여 배기하여 두고, 챔버(3)내로의 가스도입 개시시의 용매성분의 농도 및 온도의 변동을 억제한다. 에이징유니트내에 웨이퍼(W)를 반입하고 나서 겔화시키는 공정을 몇 개의 단계로 나눈다. 웨이퍼(W) 온도가 소정의 처리온도에 달할 때까지 혼합가스중의 용매성분의 평균농도를 웨이퍼(W) 온도에 대하여 서서히 높게 하여 간다. 그에 따라 밀폐용기내에 웨이퍼(W)를 반입한 직후에 있어서의 용매성분의 가스의 결로를 방지한다.
4. 발명의 중요한 용도
반도체디바이스의 층간절연막을 형성하는 방법에 사용됨.-
公开(公告)号：KR1020150060741A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：KR1020157008388
申请日：2013-09-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027 , B05D3/02 , B05D3/10 , B05D7/24 , B05C9/14 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/67098 , B05C9/14 , B05C11/08 , G03F7/0002 , H01J37/32889 , H01J2237/334 , H01L21/0271 , H01L21/3105 , H01L21/31058 , H01L21/31138 , H01L21/67023 , H01L21/67069 , H01L21/67103 , H01L21/67173 , H01L21/67225 , H01L21/67748 , H01L21/68757 , H01L21/68764
Abstract: 본발명은, 제1 폴리머와제2 폴리머를포함하는블록공중합체를이용하여기판을처리하는방법으로서, 블록공중합체를, 기판상 또는기판상에도포된하지막상에도포하는블록공중합체도포공정과, 기판상의블록공중합체를비산화성가스분위기에서열처리하여, 블록공중합체를제1 폴리머와제2 폴리머로상 분리시키는폴리머분리공정을포함한다.
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公开(公告)号：KR100524205B1
公开(公告)日：2006-04-17
申请号：KR1019980054990
申请日：1998-12-15
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: B05C5/00
CPC classification number: H01L21/6708 , B05D1/005 , B05D3/0486 , B05D3/107 , H01L21/6715 , Y10S134/902
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술분야
도포막형성방법, 도포유니트, 에이징유니트, 용매치환유니트, 및 도포막형성장치
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
밀폐용기내로의 가스도입 개시시의 농도 및 온도의 변동을 억제하는 것, 밀폐용기내에 기판 예컨대 웨이퍼를 반입한 직후에 있어서의 용매성분의 가스의 결로를 막는 것 및 그에 따라 양질인 얇은 막 예컨대 층간절연막을 얻을 수 있는 도포막형성방법, 에이징유니트, 도포막형성장치를 제공함.
3. 발명의 해결방법의 요지
웨이퍼(W) 반입전에 혼합가스를 생성하여 배기하여 두고, 챔버(3)내로의 가스도입 개시시의 용매성분의 농도 및 온도의 변동을 억제한다. 에이징유니트내에 웨이퍼(W)를 반입하고 나서 겔화시키는 공정을 몇 개의 단계로 나눈다. 웨이퍼(W) 온도가 소정의 처리온도에 달할 때까지 혼합가스중의 용매성분의 평균농도를 웨이퍼(W) 온도에 대하여 서서히 높게 하여 간다. 그에 따라 밀폐용기내에 웨이퍼(W)를 반입한 직후에 있어서의 용매성분의 가스의 결로를 방지한다.
4. 발명의 중요한 용도
반도체디바이스의 층간절연막을 형성하는 방법에 사용됨.-
公开(公告)号：KR101967503B1
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：KR1020157008388
申请日：2013-09-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027 , H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/687 , H01L21/3105
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公开(公告)号：KR1019990063060A
公开(公告)日：1999-07-26
申请号：KR1019980054990
申请日：1998-12-15
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: B05C5/00
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술분야
도포막형성방법, 도포유니트, 에이징유니트, 용매치환유니트, 및 도포막형성장치
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
밀폐용기내로의 가스도입 개시시의 농도 및 온도의 변동을 억제하는 것, 밀폐용기내에 기판 예컨대 웨이퍼를 반입한 직후에 있어서의 용매성분의 가스의 결로를 막는 것 및 그에 따라 양질인 얇은 막 예컨대 층간절연막을 얻을 수 있는 도포막형성방법, 에이징유니트, 도포막형성장치를 제공함.
3. 발명의 해결방법의 요지
웨이퍼(W) 반입전에 혼합가스를 생성하여 배기하여 두고, 챔버(3)내로의 가스도입 개시시의 용매성분의 농도 및 온도의 변동을 억제한다. 에이징유니트내에 웨이퍼(W)를 반입하고 나서 겔화시키는 공정을 몇 개의 단계로 나눈다. 웨이퍼(W) 온도가 소정의 처리온도에 달할 때까지 혼합가스중의 용매성분의 평균농도를 웨이퍼(W) 온도에 대하여 서서히 높게 하여 간다. 그에 따라 밀폐용기내에 웨이퍼(W)를 반입한 직후에 있어서의 용매성분의 가스의 결로를 방지한다.
4. 발명의 중요한 용도
반도체디바이스의 층간절연막을 형성하는 방법에 사용됨.
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