公开(公告)号：KR1020170138346A

公开(公告)日：2017-12-15

申请号：KR1020170066837

申请日：2017-05-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시이테히데오 ,  요시하라코우스케 ,  요시다유이치 ,  요시하라켄타로

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 처리액중의이물의혼입을억제하는기술을제공하는것이다. 레지스트액을공급하는노즐(5)과, 레지스트액공급원(4)과노즐(5)을접속하는처리액공급로(2)에있어서, 레지스트액공급원(4)측으로부터, 버퍼탱크(41), 제 1 펌프(31), 제 1 삼방밸브(36), 필터부(3), 제 2 삼방밸브(37) 및제 2 펌프(32)를마련하고, 제 2 삼방밸브(37)에는일단측이노즐(5)에접속된토출유로(23)의타단측을접속한다. 또한제 2 펌프(32)의이차측으로부터제 1 삼방밸브(36)로레지스트액을되돌리는리턴유로(26)를마련하고있다. 또한토출유로(23)에상류측으로부터압력측정부(7) 및공급제어밸브(6)를마련하고있다. 따라서제 2 펌프(32)의이차측에별도의필터부(3)를추가하지않고, 웨이퍼(W)에공급되는레지스트액중의파티클을억제할수 있다. 이때문에설비비용의코스트업이억제된다.

Abstract translation: 并抑制水在处理液中的掺入。 在缓冲罐41中设置有用于供应抗蚀剂溶液的喷嘴5和用于连接抗蚀剂溶液供应源4和喷嘴5的处理液供应路径2， 第一三通阀36，过滤器部分3，第二三通阀37和第二泵32设置在第二三通阀37中， 与排出通路5连接的排出通路23的前端侧连接。 并且提供用于将抗蚀剂溶液从第二泵32的第二侧返回到第一三通阀36的返回流动路径26。 此外，排放通道23从上游侧设置有压力测量部分7和供应控制阀6。 因此，能够抑制向第二泵32的二次侧追加独立的过滤器单元3而向晶片W供给的抗蚀剂溶液中的粒子。 因此，设备成本的成本被抑制。

公开(公告)号：KR101641090B1

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：KR1020110063519

申请日：2011-06-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이치노카츠노리 ,  요시하라코우스케

IPC: H01L21/027 ,  B05C11/08

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 도포액(예를들면레지스트액)의공급량을줄여얇은도포막을형성하는경우에도기판면 내의도포막두께의불균일을억제할수 있는기술을제공한다. 도포액을기판의중심부로공급하고기판을회전시켜기판의표면전체를도포액으로덮는도포액도포공정과, 도포액도포공정후에도포액의공급을정지한상태로기판을회전시켜도포액을건조시키는건조공정을구비한도포방법에있어서, 건조공정에서기판의이면측에서기판의반경방향의특정범위의온도를국소적으로조절한다. 이조정은예를들면, 온조노즐에의해기판의이면의반경방향의특정범위에온조유체를분사함으로써, 혹은열선을기판의이면의반경방향의특정범위에조사함으로써행할수 있다.

公开(公告)号：KR101223354B1

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：KR1020090008989

申请日：2009-02-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이세키토모히로 ,  요시하라코우스케 ,  타카야나기코지

IPC: H01L21/302

Abstract: 본 발명은 용기에 부착된 처리액을 세정하는 경우에, 세정 효율이 높고, 또한 효율이 좋은 세정을 행하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
레지스트 도포 장치는 스핀 척에 흡착 유지된 세정 지그(20)와 스핀 척 및 세정 지그(20)를 둘러싸는 용기와 세정 지그(20)의 이면에 세정액을 분사하는 세정액 공급 노즐을 갖고 있다. 세정 지그(20)는 표면이 평탄한 본체부(50)를 갖고 있다. 본체부(50)의 외주위에는 외측으로 돌출한 돌출부(51)가 형성되고 본체부(50)와 돌출부(51)는 일체가 되어 형성되고 있다. 돌출부(51)는 본체부(50)의 표면(50a)과 이면(50b)으로부터 연속하도록 외측으로 만곡하고 있다. 돌출부(51)의 정점부(T)의 위치는 세정 지그(20)의 외주위를 따라 상기 세정 지그(20)의 두께 방향으로 연속적으로 변화하고 있다.

公开(公告)号：KR1020110094241A

公开(公告)日：2011-08-23

申请号：KR1020110007699

申请日：2011-01-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 타키구치야스시 ,  야마모토타로 ,  아리마히로시 ,  요시하라코우스케 ,  요시다유이치

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/3021 ,  H01L21/0274

Abstract: PURPOSE: A developing apparatus, a developing method thereof, and a storage medium are provided to form a liquid film over the surface of a substrate by setting the temperature of a heating plate to be below a temperature in which the vapor of a developing solution is condensed in a substrate. CONSTITUTION: In a developing apparatus, a developing method thereof, and a storage medium, a reaction container(5) forms a process condition. A heating plate(3) is installed in the reaction container and mounts a substrate(W). A gas supply unit(55) supplies gas including the mist and steam vapor of a developer to the surface of the substrate. A developer supply source(58) supplies the developer to the lower part of the gas supply unit. A gas heating unit(56) heats the gas to be a certain temperature.

Abstract translation: 目的：提供显影装置，显影方法和存储介质，以通过将加热板的温度设定在显影液的蒸气的温度以下而在基板的表面上形成液膜 在底物中冷凝。 构成：在显影装置中，其显影方法和存储介质，反应容器（5）形成工艺条件。 加热板（3）安装在反应容器中并安装基板（W）。 气体供给单元（55）将包括显影剂的雾和蒸汽的气体供给到基板的表面。 显影剂供应源（58）将显影剂供应到气体供应单元的下部。 气体加热单元（56）将气体加热到一定温度。

公开(公告)号：KR101054125B1

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：KR1020060102208

申请日：2006-10-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시하라코우스케 ,  이세키토모히로

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/6715 ,  G03F7/162

Abstract: 본 발명은 레지스트 도포방법, 레지스트 도포장치 및 컴퓨터 독취가능한 기억 매체에 관한 것으로서, 레지스트 도포 방법은 피처리 기판을 제1의 회전 속도로 회전시키면서 피처리 기판의 대략 중앙에 레지스트액이 공급한 후, 피처리 기판의 회전 속도를 제1의 회전 속도보다 늦은 제2의 회전 속도 또는 회전 정지까지 감속함과 동시에, 그 감속 과정에서 감속도를 제2의 회전 속도 또는 회전 정지에 가까워지는 만큼 작게 해 나가고 다음에 피처리 기판의 회전 속도를 제2의 회전 속도보다 빠른 제3의 회전 속도까지 가속해 잔여의 레지스트액을 분사한다.

Abstract translation: 本发明涉及一种抗蚀剂涂布方法后，抗蚀剂涂布装置，和计算机读取的存储介质，抗蚀剂涂敷方法在所述第一的旋转速度旋转所述靶底物，而抗蚀剂溶液被供给到所述目标基板的大致中心， 待处理基板的旋转速度被减速至比第一旋转速度慢的第二旋转速度或旋转停止，并且减速过程中减速被减速至第二旋转速度或旋转停止 接着，将被处理基板的旋转速度加速到比第2旋转速度快的第3旋转速度，喷射残留的抗蚀剂液。

公开(公告)号：KR101685961B1

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：KR1020110007700

申请日：2011-01-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 타키구치야스시 ,  야마모토타로 ,  아리마히로시 ,  요시하라코우스케 ,  요시다유이치

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03B27/52 ,  G03F7/3021 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68785

Abstract: 기판표면전체에균일성높게현상액의액막을형성하고또한높은스루풋을얻을수 있는도포현상장치를제공한다. 현상모듈과, 세정모듈과, 상기현상모듈에의해현상된기판을상기세정모듈로반송하는반송기구를구비하고, 상기현상모듈은, 처리분위기를형성하는기밀한처리용기와, 이처리용기내에설치되며기판을재치하여냉각시키기위한온조플레이트와, 상기처리용기내로현상액의미스트를포함하는분위기가스를공급하는증기공급부와, 상기온조플레이트를상기증기가기판상에결로되는온도로조정하기위한온조부를구비하도록도포현상장치를구성한다. 현상모듈과세정모듈에서병행하여처리를행할수 있으므로, 높은스루풋을얻을수 있다.

Abstract translation: 涂层和显影设备开发其表面被抗蚀剂涂覆并暴露于光的基底。 涂料和显影装置包括显影模块; 清洁模块; 以及传送机构，其构造成将由显影模块显影的基板传送到清洁模块。 显影模块包括构造成形成处理气氛的气密密封处理容器; 设置在处理容器中并安装在其上的温度控制板并冷却基板; 以及气氛气体供给单元，被构造成将处理容器内的显影液的气雾气体气体供给至基板的表面。 清洁模块包括：安装台，其安装在其上; 以及清洗液供给单元，其构造成将清洗液供给到安装在所述安装台上的基板。

公开(公告)号：KR101512642B1

公开(公告)日：2015-04-16

申请号：KR1020100016753

申请日：2010-02-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마모토타로 ,  요시하라코우스케 ,  요시다유이치

IPC: H01L21/027

Abstract: 액침 보호막 또는 발수성 레지스트를 포함하여 광범위한 종류의 막이 성막된 기판을 노광하여 현상하는 경우에도, 기판 표면 내에서의 CD치의 균일성을 향상시킬 수 있고, 처리 시간을 단축시킬 수 있는 현상 처리 방법을 제공한다. 표면에 레지스트가 도포되어 노광된 후의 기판을 회전시키면서 현상 처리하는 현상 처리 방법에서, 기판(W)의 상방에 배치된 현상액 노즐(4b)을 기판(W)의 중심측으로부터 외주측으로 이동시켜, 현상액 노즐(4b)로부터 기판(W)의 표면으로 현상액(D)을 공급하는 현상액 공급 단계와, 기판(W)의 상방에 배치된 제 1 린스액 노즐(4c)을 기판(W)의 중심측으로부터 외주측으로 이동시켜, 제 1의 린스액 노즐(4c)로부터 기판(W)의 표면으로 제 1 린스액(R)을 공급하는 제 1 린스액 공급 단계를 가지고, 제 1 린스액 노즐(4c)이 현상액 노즐(4b)보다 기판(W)의 중심측에 배치된 상태를 유지한 채로 제 1 린스액 공급 단계를 현상액 공급 단계와 동시에 행하는 것을 특징으로 한다.

Abstract translation: 曝光和适用范围广的膜形成基板，其包括液浸保护膜或防水性的抗蚀剂膜显影情况下，也能够提高在基板表面内的CD的值的均匀性，提供一种能够缩短加工时间显影处理方法 的。 设置在基板W上方的显影液喷嘴4b从基板W的中心侧向外侧移动而形成显影液 从第一衬底到布置从喷嘴供给的显影剂（d）到基板（W）的表面的显影液供给步骤上方的漂洗液喷嘴（4C）（W）的中心侧（4B）和衬底（W） 并且，第一冲洗液供给工序，在第一冲洗液喷嘴4c向外周侧移动的期间，从第一冲洗液喷嘴4c向基板W的表面供给第一冲洗液R， 与显影剂供应步骤同时执行第一冲洗溶液供应步骤，同时维持比显影剂喷嘴4b更靠近基板W的中心的状态。

公开(公告)号：KR1020140007767A

公开(公告)日：2014-01-20

申请号：KR1020130080226

申请日：2013-07-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시하라코우스케 ,  나이토료이치로 ,  요시다유이치

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/0273 ,  B05C11/08 ,  B05C11/1002 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/304

Abstract: The residue and cracking of liquid on the substrate surface are prevented by controlling the boundary surface in a liquid film and a drying area when a process for forming the liquid film of the processing liquid on the substrate surface is performed and the liquid film is removed and dried. Furthermore, the substrate surface is prevented from being damaged. While a wafer (W) is rotated, the liquid film is formed by supplying cleaning solution (L) around the surface of the wafer from a first cleaning solution nozzle (60). A drying are (D) is formed by supplying N2 gas from a first gas nozzle (70) towards the periphery from the central part of the wafer and removing the liquid film on the wafer surface. When a first drying fluid supply unit is moved to the second drying fluid supply start position and concentric position predetermined not to interfere with the first drying fluid supply unit, the N2 gas is supplied to the boundary surface of the liquid film and the drying area from a second gas nozzle (80) towards the periphery of the wafer from the drying fluid supply start position and the first gas nozzle and the second gas nozzle are moved in a concentric circle shape.

Abstract translation: 通过控制在基板表面上形成处理液的液膜的工序和去除液膜的方法，通过控制液膜和干燥区域中的边界面来防止液体在基板表面上的残留和裂纹， 干燥。 此外，防止了基板表面的损坏。 当晶片（W）旋转时，通过从第一清洗溶液喷嘴（60）向晶片表面提供清洁溶液（L）形成液膜。 通过从第一气体喷嘴（70）向晶片的中心部分的周边供给N 2气体并除去晶片表面上的液膜，形成干燥（D）。 当第一干燥流体供应单元移动到第二干燥流体供应开始位置和预定不干扰第一干燥流体供应单元的同心位置时，将N 2气体供应到液膜的边界表面和从 从干燥流体供应开始位置朝向晶片周边的第二气体喷嘴（80）和第一气体喷嘴和第二气体喷嘴以同心圆形移动。

公开(公告)号：KR1020130091268A

公开(公告)日：2013-08-16

申请号：KR1020130012383

申请日：2013-02-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시다유이치 ,  요시하라코우스케 ,  이세키토모히로

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0273 ,  G03F7/3042 ,  H01L21/304

Abstract: PURPOSE: A substrate processing apparatus, a coating and developing apparatus including the same, and a substrate processing method are provided to prevent defects by widening a space between wires. CONSTITUTION: A carrier station has a placement table (21) and a transfer device. A carrier (20) is replaced on the placement table. Four carriers are placed on the replacement table in parallel. The transfer device extracts a wafer from the carrier. The transfer device transfers the wafer to a processing station. [Reference numerals] (AA) TCT layer; (BB) COT layer; (CC) BCT layer; (DD) DEV layer

Abstract translation: 目的：提供一种基板处理装置，包括该基板处理装置的涂覆和显影装置以及基板处理方法，以通过加宽导线之间的空间来防止缺陷。 构成：载波台具有放置台（21）和传送装置。 在放置台上更换托架（20）。 四个载体平行放置在更换台上。 转印装置从载体上提取晶片。 传送装置将晶片传送到处理站。 （标号）（AA）TCT层; （BB）COT层; （CC）BCT层; （DD）DEV层

公开(公告)号：KR101015659B1

公开(公告)日：2011-02-22

申请号：KR1020077005480

申请日：2005-07-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카무라준지 ,  요시하라코우스케 ,  야마무라켄타로 ,  이와오후미코 ,  타케구치히로후미

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67051 ,  B08B3/02 ,  B08B3/10 ,  G03F7/3021 ,  Y10S134/902

Abstract: 본 발명은 현장장치 및 현상방법에 관한 것으로서 현상을 끝낸 웨이퍼를 회전시키면서 노즐로부터 웨이퍼 중심부에 세정액을 토출하여 그 세정액을 주위로 확대하여 액막을 형성하고 다음에 상기 노즐을 이동시켜, 기판의 중심부에 건조 영역을 발생시키고 기판을 1500 rpm의 회전수로 회전시키고 그 원심력에 의해 상기 건조 영역을 주위로 확대한다. 상기 노즐은 건조 영역에 도달하지 않는 속도로 웨이퍼의 중심으로부터 예를 들면 80 mm 떨어진 위치로서 웨이퍼의 주변에서 5 mm이상 중심부 측으로 몰린 위치까지 이동하고 거기서 세정액의 토출을 정지한다. 또 미리 이 위치에 다른 노즐을 배치하고 여기로부터 세정액을 토출해 두고 건조 영역이 그곳에 도달하기 직전에 그 토출을 정지해도 괜찮다. 웨이퍼의 중심으로 건조 영역의 코어를 형성하는 경우 가스를 기판의 중심부에 분사하고 곧바로 그 분사를 정지하는 것이 바람직한 노광된 반도체 웨이퍼의 표면에 현상액을 공급해 현상을 실시한 후에, 기판의 표면의 용해물을 세정함에 있어 높은 세정 효과를 구하는 기술을 제공한다.