公开(公告)号：KR100906516B1

公开(公告)日：2009-07-07

申请号：KR1020077006120

申请日：2005-09-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이데신지 ,  사사키마사루

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31633 ,  C23C16/5096 ,  C23C16/54 ,  C23C16/56 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3127 ,  H01L21/31695

Abstract: 플라즈마 처리 장치(100)에 있어서, 서셉터(2)의 윗쪽에는 상측 플레이트(60) 및 하측 플레이트(61)가 마련되어 있다. 상측 플레이트(60) 및 하측 플레이트(61)는 석영 등의 내열성 절연체로 구성되고, 소정 간격, 예컨대 5mm의 간격을 두고 서로 이격되어 평행하게 배치되어 있고, 복수의 관통 구멍(60a 또는 61a)을 갖고 있다. 2장의 플레이트를 중첩한 상태로, 하측 플레이트(61)의 관통 구멍(61a)과 상측 플레이트(60)의 관통 구멍(60a)이 겹치지 않도록 위치를 어긋나게 해서 형성되어 있다.

Abstract translation: 在等离子体处理装置100中，在基座2的上方设置有上板60和下板61。 上板60和下板61由诸如石英的耐热绝缘体制成，并且彼此平行且间隔开预定间隔（例如5mm），并且具有多个通孔60a或61a 有。 下板61的通孔61a和上板60的通孔60a在两个板重叠的状态下彼此偏移以不相互重叠。

公开(公告)号：KR1020070095989A

公开(公告)日：2007-10-01

申请号：KR1020077017648

申请日：2003-07-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 기타가와준이치 ,  이데신지

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01J37/32935 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02307 ,  H01L21/31662

Abstract: An oxide film is formed on a surface of a substrate for electronic device by irradiating the surface of the substrate for an electronic device with a plasma, which is produced from oxygen and hydrogen, in the presence of a treating gas containing at least oxygen and hydrogen. A method and apparatus for forming an oxide film, wherein control of the thickness of the oxide film is easy and an oxide film of good quality can be obtained, and a material for an electronic device having such a good-quality oxide film are disclosed.

Abstract translation: 通过在至少含有氧和氢的处理气体存在下，用氧和氢制造的等离子体照射电子器件用基板的表面，在电子器件用基板的表面上形成氧化膜 。 用于形成氧化膜的方法和装置，其中氧化膜的厚度的控制容易，并且可以获得质量好的氧化膜，并且公开了一种具有这种优质氧化膜的电子器件的材料。

公开(公告)号：KR100887449B1

公开(公告)日：2009-03-10

申请号：KR1020067005288

申请日：2004-09-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키마사루 ,  호시노사토히코 ,  이데신지 ,  가시와기유사쿠

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/31695 ,  C23C16/401 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32935 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3003 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/31633

Abstract: 본 발명은 화학 증착법에 의해 형성된 Si, O 및 CH를 포함하는 절연막의 유전율을 저하시키는 방법에 관한 것이다. 플라즈마 처리 장치의 반응 용기내에 수소 원자를 포함하는 프로세스 가스가 공급된다. 반응 용기내에 마이크로파를 도입하여 반응 용기내에 균일한 전자파를 공급하고, 이에 따라 반응 용기내에 수소 래디컬을 포함하는 플라즈마가 발생한다. 절연막에 조사된 플라즈마에 포함되는 수소 래디컬에 의해, 절연막의 구조가 변화되어 유전율이 저하한다. 마이크로파는 래디얼 슬롯 안테나를 거쳐서 반응 용기내에 공급된다.

公开(公告)号：KR1020070085038A

公开(公告)日：2007-08-27

申请号：KR1020067010790

申请日：2004-12-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키마사루 ,  이데신지 ,  오자키시게노리

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/02063 ,  H01J2237/335 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76838

Abstract: A method of cleaning semiconductor substrate conductive layer surface which can remove a residual organic material and a natural oxide satisfactorily and does not adversely affect a k value without damaging the side-wall insulation film of a via hole. A semiconductor device, comprising insulation films (2, 3) formed on the surface of the conductive layer (1) of a semiconductor substrate and a via hole (4) formed in the insulation film (3) to partly expose the conductive layer (1), is carried into a reaction vessel, plasma including hydrogen is generated in the reaction vessel to clean the surface of the conductive layer (1) at the bottom of the via hole (4), a residual organic material (6) is decomposed and removed by ashing, and a copper oxide film (7) on the surface of the conductive layer (1) is reduced to Cu.

Abstract translation: 一种清洁半导体衬底导电层表面的方法，其可以令人满意地去除残留的有机材料和天然氧化物，并且不会对k值产生不利影响而不损坏通孔的侧壁绝缘膜。 一种半导体器件，包括形成在半导体衬底的导电层（1）的表面上的绝缘膜（2,3）和形成在绝缘膜（3）中的通孔（4），以部分地暴露导电层（1） ）携带到反应容器中，在反应容器中产生包含氢的等离子体，以清洁通孔（4）底部的导电层（1）的表面，残留的有机材料（6）被分解， 通过灰化除去，并且在导电层（1）的表面上的氧化铜膜（7）被还原为Cu。

公开(公告)号：KR1020100011899A

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：KR1020090055994

申请日：2009-06-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠오카타카아키 ,  이데신지 ,  키쿠치요시유키

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76834 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/3148

Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to improve reliability by preventing a metal element from being diffused to an intermediate layer arranged on a conductive layer. CONSTITUTION: An intermediate layer(20) is formed on a substrate(10). An opening is formed on the intermediate layer. A conductive layer(30) is formed on the opening. A cap film is formed on a surface of the conductive layer. When forming the cap film, the reduction process of the surface of the conductive layer and the film formation process are performed at the same.

Abstract translation: 目的：提供半导体器件及其制造方法，以通过防止金属元件扩散到布置在导电层上的中间层来提高可靠性。 构成：在基板（10）上形成中间层（20）。 在中间层上形成开口。 在开口上形成导电层（30）。 在导电层的表面上形成盖膜。 当形成盖膜时，导电层的表面的还原过程和成膜工艺也是这样进行的。

公开(公告)号：KR1020090125173A

公开(公告)日：2009-12-03

申请号：KR1020097021159

申请日：2006-12-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이데신지 ,  오시마야스히로 ,  가시와기유사쿠

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L23/5329 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53295 ,  H01L2221/1047 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: Disclosed is a method for forming an SiOCH film which is characterized in that an SiOCH film is formed on a substrate by repeating, a plurality of times, a unit film forming process which includes a deposition step wherein an SiOCH film element is deposited by a plasma CVD method using an organosilicon compound as the raw material, and a hydrogen plasma processing step wherein the deposited SiOCH film element is treated with hydrogen plasma.

Abstract translation: 公开了一种形成SiOCH膜的方法，其特征在于，通过重复多次重复多次制备包括沉积步骤的单元成膜工艺在基板上形成SiOCH膜，其中通过等离子体沉积SiOCH膜元件 使用有机硅化合物作为原料的CVD法和氢等离子体处理工序，其中沉积的SiOCH膜元件用氢等离子体处理。

公开(公告)号：KR100783840B1

公开(公告)日：2007-12-10

申请号：KR1020057000687

申请日：2003-07-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 기타가와준이치 ,  이데신지

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01J37/32935 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02307 ,  H01L21/31662

Abstract: 적어도 산소 및 수소를 포함하는 처리 가스의 존재하에서, 산소 및 수소에 근거하는 플라즈마를 전자 디바이스용 기재의 표면에 조사하여, 해당 전자 디바이스용 기재의 표면에 산화막을 형성한다. 산화막의 막두께 제어가 용이하고, 또한, 양질의 산화막을 부여하는 산화막 형성 방법 및 산화막 형성 장치, 및 이러한 양질의 산화막을 갖는 전자 디바이스 재료가 제공된다.

公开(公告)号：KR1020060066114A

公开(公告)日：2006-06-15

申请号：KR1020067005288

申请日：2004-09-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키마사루 ,  호시노사토히코 ,  이데신지 ,  가시와기유사쿠

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/31695 ,  C23C16/401 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32935 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3003 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/31633

Abstract: Disclosed is a method for decreasing the dielectric constant of an insulating film which is formed by a chemical vapor deposition method and contains Si, O and CH. A process gas containing hydrogen atoms is supplied into a reaction chamber of a plasma processing apparatus. Microwaves are introduced into the reaction chamber for supplying uniform electromagnetic waves therein, thereby generating a plasma containing hydrogen radicals in the reaction chamber. Due to the hydrogen radicals contained in the plasma with which an insulating film is irradiated, the structure of the insulating film is changed and the dielectric constant of the insulating film is decreased. The microwaves are supplied into the reaction chamber via a radial slot antenna.

Abstract translation: 公开了一种降低由化学气相沉积法形成并含有Si，O和CH的绝缘膜的介电常数的方法。 将含有氢原子的工艺气体供给到等离子体处理装置的反应室中。 将微波引入到反应室中以在其中提供均匀的电磁波，从而在反应室中产生含氢自由基的等离子体。 由于照射绝缘膜的等离子体中所含的氢原子，绝缘膜的结构发生变化，绝缘膜的介电常数降低。 微波经由径向缝隙天线供入反应室。

公开(公告)号：KR101200667B1

公开(公告)日：2012-11-12

申请号：KR1020097021159

申请日：2006-12-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이데신지 ,  오시마야스히로 ,  가시와기유사쿠

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L23/5329 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53295 ,  H01L2221/1047 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 본 발명은, 유기 실리콘 화합물을 원료로 하여, 플라즈마 CVD법에 의해서 SiOCH막 요소를 퇴적하는 퇴적 공정과, 퇴적된 상기 SiOCH막 요소를 수소 플라즈마 처리하는 수소 플라즈마 처리 공정을 포함하는 단위 성막 처리 공정을 구비하고 있고, 상기 단위 성막 처리 공정이, 복수회 반복되는 것에 의해, 기판 상에 SiOCH막이 형성되는 것을 특징으로 하는 SiOCH막의 성막 방법이다.

公开(公告)号：KR100933374B1

公开(公告)日：2009-12-22

申请号：KR1020077023692

申请日：2007-01-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오시마야스히로 ,  이데신지 ,  가시와기유사쿠 ,  미야타니고타로

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/31695 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31633

Abstract: 유기 실리콘 화합물 원료를 사용한 플라즈마 CVD법에 의해 형성된 SiOCH 막의 표면을 산소 플라즈마 처리하여 표면 치밀화 층을 형성하고, 또한 수소 플라즈마 처리에 의해 표면 치밀화 층 아래의 SiOCH 막으로부터, CH
x 기나 OH기를 상기 표면 치밀화 층을 통하여 제어된 레이트로 방출시켜 안정하게 다공질 저유전율 막을 형성한다.

Abstract translation: 本发明提供一种稳定地形成多孔质介电体膜的方法：通过在使用有机硅化合物源的同时对通过等离子体CVD法形成的SiOCH膜的表面进行处理而形成表面致密化层的工序; 并且通过表面致密化层以受控速率通过氢等离子体处理从表面致密化层下面的SiOCH膜释放CH x基团或OH基团。