公开(公告)号：KR100925223B1

公开(公告)日：2009-11-06

申请号：KR1020080001229

申请日：2008-01-04

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 김기범 ,  위정섭 ,  남성욱 ,  임기필

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  B82Y40/00

Abstract: UV 나노임프린트 리소그라피용 몰드 및 UV 나노 임프린트 리소그라피용 몰드 제조를 위한 적층구조물이 개시된다. 본 발명에 따른 UV 나노임프린트 리소그라피용 몰드는 투명기판, 투명기판 상에 형성된 광을 투과시키는 전도성 물질로 이루어진 방전층, 방전층 상에 형성된 광을 투과시키고 방전층의 손상을 방지하는 보호층, 보호층 상에 형성된 패터닝된 실리콘층을 구비한다. 본 발명에 따르면, 방전층을 보호하는 산화실리콘층이 방전층 상에 형성되어 있어 피라나 용액으로 표면처리시에 방전층이 손상되지 않는다. 또한, 본 발명에 따른 UV 나노임프린트 리소그라피용 몰드는 한 번의 식각공정으로 간단하게 형성되므로 제조비용을 절감할 수 있고, 큰 종횡비(aspect ratio)를 가지므로 설계대로 명확하게 패터닝을 할 수 있게 된다.

公开(公告)号：KR1020060103357A

公开(公告)日：2006-09-29

申请号：KR1020050025210

申请日：2005-03-26

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 김기범 ,  남성욱

IPC: B82B3/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: B82B3/0038 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01P2004/16

Abstract: 본 발명은 나노 와이어 또는 나노 튜브의 선택적 성장을 위한 촉매 물질 양자점 배열 방법이다. 구체적으로는 촉매 물질의 균일한 분포를 가능하게 하기 위해 증착된 감광막을 광 리소그래피 또는 전자빔 리소그래피를 사용하여 일정한 패턴을 형성하고, 형성한 임의의 패턴 위에 촉매 물질을 증착한 후, 일정한 온도에서 열처리를 하여 표면 응집 현상이 발생하게 함으로써 촉매 물질 원자들이 계면 에너지가 낮아지는 방향으로 확산하여 감광막 패턴의 형태에 따라 촉매 물질 양자점들을 형성한다. 이러한 방법으로 촉매물질 양자점들의 자기 조립화가 가능하며, 또한 감광막 패턴에 의하여 촉매 물질을 격리되게 하는 자기 격리화가 가능하다.
나노 와이어, 나노 튜브, 선택적 성장, 촉매물질, 양자점

公开(公告)号：KR1020090076597A

公开(公告)日：2009-07-13

申请号：KR1020080002636

申请日：2008-01-09

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 김철규 ,  권민호 ,  강윤호 ,  강윤선 ,  이태연 ,  허성 ,  김기범 ,  남성욱 ,  이동복

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L45/126 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16 ,  H01L45/143

Abstract: A phase change memory device and a method of manufacturing the same are provided, which can prevent misalignment problem of the bottom electrode and diffusion stopper. The phase change memory device comprises the storage node and the switching element connected to the storage node. The storage node comprises electrode and phase-change layer(30). The diffusion stopper(20) includes the silicide compound between the electrode and phase-change layer. The silicide compound includes at least one among silicide, silicide oxide, and silicide nitride. The electrode is the bottom electrode(10).

Abstract translation: 提供了一种相变存储器件及其制造方法，其可以防止底部电极和扩散塞的不对准问题。 相变存储器件包括存储节点和连接到存储节点的开关元件。 存储节点包括电极和相变层（30）。 扩散阻挡层（20）包括电极和相变层之间的硅化物。 硅化物化合物包括硅化物，硅化物氧化物和氮化硅中的至少一种。 电极是底部电极（10）。

公开(公告)号：KR1020090075392A

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：KR1020080001229

申请日：2008-01-04

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 김기범 ,  위정섭 ,  남성욱 ,  임기필

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  B82Y40/00

CPC classification number: G03F7/0015 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  Y10S977/887

Abstract: A mold for uv nano-imprint lithography and a laminated structure for thereof are provided to prevent the damage of a discharge layer in surface treatment with a piranha solution by forming the discharge layer with an oxide silicon layer. A discharge layer(520) is made of a conductive material transmitting a light formed on the transparent substrate(510). A protective layer transmits the light formed on the discharge layer and prevents the damage of the protective layer. A silicon layer(540) is formed on the protective layer. An electronic beam resist layer(550) is formed on the silicon layer, and while being made of the HSQ(hydrogen silsesquioxane).

Abstract translation: 提供了一种用于uv纳米压印光刻的模具及其层压结构，以通过用氧化硅层形成放电层来防止用食人鱼溶液进行表面处理的放电层的损坏。 放电层（520）由透射形成在透明基板（510）上的光的导电材料制成。 保护层透过形成在放电层上的光并防止保护层的损坏。 在保护层上形成硅层（540）。 在硅层上形成电子束阻挡层（550），同时由HSQ（氢倍半硅氧烷）制成。

公开(公告)号：KR1020090068817A

公开(公告)日：2009-06-29

申请号：KR1020070136585

申请日：2007-12-24

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 김철규 ,  남성욱 ,  김기준 ,  강윤호 ,  이태연 ,  김기범 ,  권민호 ,  이동복

IPC: G11C13/02 ,  G11C5/14

CPC classification number: G11C13/0038 ,  G11C5/14 ,  G11C7/20 ,  G11C13/0004

Abstract: An operation method of the phase change memory device is provided, which recovers the phase-change layer to the steady-state by authorizing the treatment voltage greater than the reset voltage to the phase-change layer. An operation method of the phase change memory device authorizes the treatment voltage which is greater than the reset voltage to the phase-change layer. The authentication hour of the treatment voltage is longer than the authentication hour of the reset voltage. The intensity of the treatment voltage is 1.1 times or greater of the reset voltage. The authentication hour of the treatment voltage is one micro-second or greater. The treatment voltage is one pulse voltage. The treatment voltage comprises two or more pulse voltages which are consecutively applied.

Abstract translation: 提供了相变存储器件的操作方法，通过授权处理电压大于相变层的复位电压，将相变层恢复到稳态。 相变存储器件的操作方法授权处理电压大于相变层的复位电压。 处理电压的认证时间长于复位电压的认证时间。 处理电压的强度是复位电压的1.1倍以上。 治疗电压的认证时间为1微秒或更大。 处理电压为一脉冲电压。 处理电压包括连续施加的两个或更多个脉冲电压。

公开(公告)号：KR100699948B1

公开(公告)日：2007-03-26

申请号：KR1020050025210

申请日：2005-03-26

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 김기범 ,  남성욱

IPC: B82B3/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 본 발명은 나노 와이어 또는 나노 튜브의 선택적 성장을 위한 촉매 물질 양자점 배열 방법이다. 구체적으로는 촉매 물질의 균일한 분포를 가능하게 하기 위해 증착된 감광막을 광 리소그래피 또는 전자빔 리소그래피를 사용하여 일정한 패턴을 형성하고, 형성한 임의의 패턴 위에 촉매 물질을 증착한 후, 일정한 온도에서 열처리를 하여 표면 응집 현상이 발생하게 함으로써 촉매 물질 원자들이 계면 에너지가 낮아지는 방향으로 확산하여 감광막 패턴의 형태에 따라 촉매 물질 양자점들을 형성한다. 이러한 방법으로 촉매물질 양자점들의 자기 조립화가 가능하며, 또한 감광막 패턴에 의하여 촉매 물질을 격리되게 하는 자기 격리화가 가능하다.
나노 와이어, 나노 튜브, 선택적 성장, 촉매물질, 양자점