포지티브형 감광성 수지 조성물, 이를 이용한 표시 소자용 유기 절연막, 및 표시 소자
    4.
    发明公开
    포지티브형 감광성 수지 조성물, 이를 이용한 표시 소자용 유기 절연막, 및 표시 소자 有权
    正型感光树脂组合物,用于显示装置的有机绝缘膜和使用其形成的显示装置

    公开(公告)号:KR1020150005167A

    公开(公告)日:2015-01-14

    申请号:KR1020130078592

    申请日:2013-07-04

    CPC classification number: G03F7/023 G03F7/027 G03F7/0392 Y10S430/1055

    Abstract: (A) 적어도 하나의 말단에 하기 화학식 1로 표시되는 관능기를 포함하는 폴리벤조옥사졸 전구체; (B) 감광성 디아조퀴아논 화합물; 및 (C) 용매를 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물, 그리고 이를 이용한 감광성 수지막 및 표시 소자가 제공된다.
    [화학식 1]

    (상기 화학식 1에서, 각 치환기는 명세서에 정의된 바와 같다.)

    Abstract translation: 在本发明中,提供一种正型感光性树脂组合物,其包含(A)在至少一个末端具有由化学式1表示的官能团的聚苯并恶唑前体:(B)感光性重氮醌化合物; (C)和溶剂和感光性树脂层以及使用其的显示装置。 在化学式1中,每个取代基如说明书中所定义。 根据本发明的实施例,提供了一种包括感光性树脂层的显示装置。

    포토레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용하는 반도체 소자의 제조 방법
    6.
    发明公开
    포토레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용하는 반도체 소자의 제조 방법 有权
    光刻胶底层组合物及其制造半导体器件的方法

    公开(公告)号:KR1020110079194A

    公开(公告)日:2011-07-07

    申请号:KR1020090136178

    申请日:2009-12-31

    CPC classification number: G03F7/0752 G03F7/09 G03F7/11

    Abstract: PURPOSE: A photo-resist sublayer composition and a method for manufacturing a semiconductor device using the same are provide to stably form a photo-resist pattern and easily control the surface material characteristic. CONSTITUTION: A photo-resist sublayer composition includes a solvent and a polysiloxane resin represented by chemical formula 1. In the chemical formula 1, the x, the y, and the z represents the relative ratio of the (SiO_1.5Y-SiO_1.5)_x repeating unit, the (SiO_2)_y repeating unit, the (XSiO_1.5)_z repeating unit. The e and the f represents the ratio of the number of OH groups and OR groups, which is bonded with the silicon atom in the polysiloxane resin, with respect to the 2x+Y+z of silicon atoms. The R1 is C1 to C6 alkyl group. The X is substituted or non-substituted C6 to C30 aryl group or C3 to C30 hetero aryl group. The Y is substituted or non-substituted C6 to C30 aryl group, C3 to C30 hetero aryl group, C1 to C20 linear or branched substituted or non-substituted akylene group, C1 to C20 alkylene group, C2 to C20 hydrocarbon group with a double bond or a triple bond, and the combination of the same.

    Abstract translation: 目的:提供光致抗蚀剂亚层组合物和使用其的半导体器件的制造方法,以稳定地形成光刻胶图案并容易地控制表面材料特性。 构成:光抗蚀剂亚层组合物包括溶剂和由化学式1表示的聚硅氧烷树脂。在化学式1中,x,y和z表示(SiO_1.5Y-SiO_1.5 )_x重复单元,(SiO_2)_y重复单元,(XSiO_1.5)_z重复单元。 e和f表示与硅原子的2x + Y + z相关的与硅氧烷树脂中的硅原子键合的OH基和OR基的数目的比例。 R1是C1-C6烷基。 X是取代或未取代的C6至C30芳基或C3至C30杂芳基。 Y为取代或未取代的C6至C30芳基,C3至C30杂芳基,C1至C20直链或支链取代或未取代亚烷基,C1至C20亚烷基,C2至C20烃基双键 或三键,以及它们的组合。

    말단기 보호에 의해 보관안정성이 향상된 반도체 미세 갭 필용 조성물
    7.
    发明公开
    말단기 보호에 의해 보관안정성이 향상된 반도체 미세 갭 필용 조성물 有权
    通过末端封闭的具有优异寿命的GAP填充组合物

    公开(公告)号:KR1020090034294A

    公开(公告)日:2009-04-07

    申请号:KR1020080097419

    申请日:2008-10-02

    CPC classification number: C08L83/04 C08G77/045 C08G77/12 C08G77/70

    Abstract: A semiconductor micro gap-filling composition is provided to ensure excellent shelf life by not changing the molecular weight according to a storage period and maintaining the dissolution rate constantly. A semiconductor micro gap-filling composition comprises a silicon-based polymer 1-50 parts by weight, an end-capping agent 0.001-10 parts by weight, represented by the formula 1: [HO]x-R-[CO2H]y, and solvent 40-98 parts by weight. In the chemical formula 1, R is C1~12 linear, cyclic or branched alkyl group or allyl group which is substituted or unsubstituted by a hydroxyl group or carboxyl group; X is an integer of 1~4; y is an integer of 0~3.

    Abstract translation: 提供了一种半导体微间隙填充组合物,以通过不根据储存期改变分子量并保持溶解速率不断地确保优异的保质期。 半导体微间隙填充组合物包含1-50重量份的硅基聚合物,由式1表示的封端剂0.001-10重量份:[HO] xR- [CO 2 H] y,溶剂 40-98重量份。 在化学式1中,R是被羟基或羧基取代或未取代的C1〜12直链,环状或支链烷基或烯丙基; X为1〜4的整数; y是0〜3的整数。

    노드 분리용 중합체 및 이를 이용한 조성물
    8.
    发明授权
    노드 분리용 중합체 및 이를 이용한 조성물 失效
    用于节点分离的聚合物和含有它们的涂料组合物

    公开(公告)号:KR100884264B1

    公开(公告)日:2009-02-17

    申请号:KR1020060132976

    申请日:2006-12-22

    Abstract: 본 발명은 노드 분리용 중합체 및 이를 이용한 조성물에 관한 것으로서, 하기 화학식 1, 화학식 2, 또는 화학식 3으로 나타내어 지는 반복구조 단위를 포함하는 것을 특징으로 하는 노드 분리용 중합체 및 이를 이용한 조성물에 관한 것이다.
    [화학식 1]

    (상기 식에서, Ra는 수소 또는 메틸기를 나타낸다)
    [화학식 2]

    [화학식 3]

    본 발명은 직경이 100nm 이하이며, 높이/직경으로 나타나는 아스팩트비가 1 이상인 홀을 갖는 반도체 기판에 일반적인 스핀코팅 방법으로 공기 보이드(void) 등의 결함없이 완전한 갭 필(Gap-Fill)이 가능하며, 알칼리 수용액(현상액이라고 함)에 의해 원하는 두께만큼 막을 녹여 낼 수 있으며, 베이킹에 의한 경화 후에는 이소프로필 알코올(IPA) 및 플라즈마 에칭에 강한 내성을 가지며, 에싱(Ashing) 처리에 의해서 빠르게 홀 내부에서 제거될 수 있고, 시간에 따른 DR값의 변동이 적어 보관안정성이 우수한 조성물을 제공한다.
    노드 분리, 용해속도(Dissolution Rate), 스핀코팅, 반도체

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