Abstract:
(A) 적어도 하나의 말단에 하기 화학식 1로 표시되는 관능기를 포함하는 폴리벤조옥사졸 전구체; (B) 감광성 디아조퀴아논 화합물; 및 (C) 용매를 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물, 그리고 이를 이용한 감광성 수지막 및 표시 소자가 제공된다. [화학식 1]
Abstract:
The present invention relates to a photocurable composition which includes a dipodal silicon compound having a (meth)acrylate group, and a photo polymerization initiator, and which has a viscosity of 10-500 cps at 25°C, and to an optical member including an organic protective layer made of the composition.
Abstract:
PURPOSE: A photo-resist sublayer composition and a method for manufacturing a semiconductor device using the same are provide to stably form a photo-resist pattern and easily control the surface material characteristic. CONSTITUTION: A photo-resist sublayer composition includes a solvent and a polysiloxane resin represented by chemical formula 1. In the chemical formula 1, the x, the y, and the z represents the relative ratio of the (SiO_1.5Y-SiO_1.5)_x repeating unit, the (SiO_2)_y repeating unit, the (XSiO_1.5)_z repeating unit. The e and the f represents the ratio of the number of OH groups and OR groups, which is bonded with the silicon atom in the polysiloxane resin, with respect to the 2x+Y+z of silicon atoms. The R1 is C1 to C6 alkyl group. The X is substituted or non-substituted C6 to C30 aryl group or C3 to C30 hetero aryl group. The Y is substituted or non-substituted C6 to C30 aryl group, C3 to C30 hetero aryl group, C1 to C20 linear or branched substituted or non-substituted akylene group, C1 to C20 alkylene group, C2 to C20 hydrocarbon group with a double bond or a triple bond, and the combination of the same.
Abstract:
A semiconductor micro gap-filling composition is provided to ensure excellent shelf life by not changing the molecular weight according to a storage period and maintaining the dissolution rate constantly. A semiconductor micro gap-filling composition comprises a silicon-based polymer 1-50 parts by weight, an end-capping agent 0.001-10 parts by weight, represented by the formula 1: [HO]x-R-[CO2H]y, and solvent 40-98 parts by weight. In the chemical formula 1, R is C1~12 linear, cyclic or branched alkyl group or allyl group which is substituted or unsubstituted by a hydroxyl group or carboxyl group; X is an integer of 1~4; y is an integer of 0~3.
Abstract:
본 발명은 노드 분리용 중합체 및 이를 이용한 조성물에 관한 것으로서, 하기 화학식 1, 화학식 2, 또는 화학식 3으로 나타내어 지는 반복구조 단위를 포함하는 것을 특징으로 하는 노드 분리용 중합체 및 이를 이용한 조성물에 관한 것이다. [화학식 1]
(상기 식에서, Ra는 수소 또는 메틸기를 나타낸다) [화학식 2]
[화학식 3]
본 발명은 직경이 100nm 이하이며, 높이/직경으로 나타나는 아스팩트비가 1 이상인 홀을 갖는 반도체 기판에 일반적인 스핀코팅 방법으로 공기 보이드(void) 등의 결함없이 완전한 갭 필(Gap-Fill)이 가능하며, 알칼리 수용액(현상액이라고 함)에 의해 원하는 두께만큼 막을 녹여 낼 수 있으며, 베이킹에 의한 경화 후에는 이소프로필 알코올(IPA) 및 플라즈마 에칭에 강한 내성을 가지며, 에싱(Ashing) 처리에 의해서 빠르게 홀 내부에서 제거될 수 있고, 시간에 따른 DR값의 변동이 적어 보관안정성이 우수한 조성물을 제공한다. 노드 분리, 용해속도(Dissolution Rate), 스핀코팅, 반도체