-
-
公开(公告)号：KR101009727B1
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：KR1020080096896
申请日：2008-10-02
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L29/82 , H01L29/772
CPC classification number: H01L29/66984 , H01L29/7785
Abstract: 본 발명은 게이트 전압에 따라 채널 내의 전위 기울기를 음과 양의 값으로 용이하게 조절할 수 있는 스핀 트랜지스터에 관한 것이다. 본 발명의 스핀 트랜지스터는, 2차원 전자가스 구조의 채널층과 상기 채널층의 상하에 각각 배치된 상부 클래딩층 및 하부 클래딩층을 갖는 반도체 기판; 상기 반도체 기판 상에 형성되어 상기 채널층의 길이 방향으로 서로 이격 배치된 강자성체 소스 및 드레인; 상기 소스와 드레인 사이에서 상기 반도체 기판 위에 형성되어, 상기 채널층을 통과하는 전자의 스핀을 제어하도록 게이트 전압이 인가되는 게이트 전극; 상기 하부 클래딩층과 채널층 사이에 배치되어 상기 채널층에 캐리어(carrier)를 공급하는 제1 전하 공급층; 및 상기 상부 클래딩층과 채널층 사이에 배치되어 상기 채널층에 캐리어를 공급하는 제2 전하 공급층;을 포함한다.
스핀 트랜지스터-
公开(公告)号：KR101753342B1
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：KR1020160045820
申请日：2016-04-14
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01L29/66984 , B82Y10/00 , H01L27/222 , H01L29/045 , H01L29/0673 , H01L29/417 , H01L29/41725 , H01L29/47 , H01L29/82 , H01L43/08 , H01L43/02 , H01L43/10 , H01L43/12
Abstract: 본발명의일 실시예에따른상온작동스핀제어전자소자는, 기판상에위치하고, 제1 방향으로긴 형상을가지며, 제1 방향에수직인제2 방향으로절단된단면이삼각형인저차원나노구조를포함하는전송채널, 기판상에위치하고전송채널과교차되며, 전송채널의일부를덮는소스전극, 그리고기판상에서소스전극과이격되어위치하고, 전송채널과교차되며, 전송채널의일부를덮는드레인전극을포함한다.
Abstract translation: 根据本发明实施例的室温下的旋转控制电子器件包括：低维纳米结构，其位于基板上并且在第一方向上具有长形形状，并且具有在垂直于第一方向的方向上切割的三角形横截面 源电极位于衬底上并与传输通道相交并覆盖传输通道的一部分，漏电极与衬底上的源电极间隔开并与传输通道相交并覆盖传输通道的一部分 的。
-
公开(公告)号：KR1020140072983A
公开(公告)日：2014-06-16
申请号：KR1020120140275
申请日：2012-12-05
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66984
Abstract: The present invention relates to a lateral spin device. The lateral spin device comprises: a transmission channel which is formed on a substrate; a source which is formed on the transmission channel; and a drain which comprises a drain free layer, a drain middle layer, and a drain fixing layer which are formed on the transmission channel. In the drain, the magnetic direction of the drain free layer against the drain fixing layer is changed by spin electrons which are injected from the source and diffused by the transmission channel.
Abstract translation: 本发明涉及一种横向纺丝装置。 横向自旋装置包括：形成在基板上的传输通道; 形成在传输信道上的源; 以及包括形成在传输通道上的无漏极层，漏极中间层和漏极固定层的漏极。 在漏极中，针对漏极固定层的无漏极层的磁方向由从源极注入并由传输沟道扩散的自旋电子改变。
-
公开(公告)号：KR1020100028727A
公开(公告)日：2010-03-15
申请号：KR1020080087586
申请日：2008-09-05
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/66984
Abstract: PURPOSE: A spin transistor with enhanced spin injection efficiency is provided improve the spin injection efficiency into a semiconductor channel from a ferromagnetic material by using a MgO tunneling film/ semiconductor lamination structure. CONSTITUTION: A spin transistor(10) comprises a semiconductor substrate(12), a ferromagnetic material source(11), a ferromagnetic material drain(13), a gate electrode(14), and a MgO tunneling film or the organic tunneling film(23). The semiconductor substrate comprises a channel layer(7). The spin-polarized electronic is passed through the channel layer. The ferromagnetic material source implants the electronics spin-polarized to the channel layer. The ferromagnetic material drain detects the spin of the electronics passing through the channel layer. The gate electrode is formed between the source and the drain. A gate voltage is applied to the gate electrode.
Abstract translation: 目的：提供自旋注入效率提高的自旋晶体管通过使用MgO隧道膜/半导体层压结构，提高了从铁磁材料的半导体通道中的自旋注入效率。 构造：自旋晶体管（10）包括半导体衬底（12），铁磁材料源（11），铁磁材料漏极（13），栅电极（14）和MgO隧穿膜或有机隧穿膜 23）。 半导体衬底包括沟道层（7）。 自旋极化电子通过沟道层。 铁磁材料源将电子自旋极化注入沟道层。 铁磁材料漏极检测穿过沟道层的电子器件的旋转。 栅电极形成在源极和漏极之间。 栅极电压施加到栅电极。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020090036281A
公开(公告)日：2009-04-14
申请号：KR1020070101363
申请日：2007-10-09
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: B82B1/00 , H01L21/027 , B82Y25/00
CPC classification number: H01L21/0274 , B82B1/00 , B82Y25/00
Abstract: A magnetic-nanoparticles/magnetic-semiconductors hybrid type spin device is provided to diversify resistance of magnetic semiconductor by controlling an electron spin property according to a localized and uneven magnetic field. A magnetic-nanoparticles/magnetic-semiconductors hybrid type spin device comprises: a magnetic semi-conductor thin film formed on a substrate; a conductive channel(11) formed on the magnetic semi-conductor thin film; an insulating layer(12) formed on the conductive channel; an electrical connection terminal formed by removing some parts of the insulating layer; and a magnetic-nanoparticles array(13) formed on the conductive channel. The magnetic semi-conductor thin film represents a single crystal thin film which has thickness of 10-1000 nanometers and shows semiconductor and ferromagnetic characteristics.
Abstract translation: 提供磁 - 纳米颗粒/磁半混合型自旋装置，通过根据局部和不均匀的磁场控制电子自旋特性来使磁半导体的电阻分散。 磁性纳米颗粒/磁性半导体混合型自旋装置包括：形成在基板上的磁性半导体薄膜; 形成在所述磁性半导体薄膜上的导电沟道（11）; 形成在所述导电通道上的绝缘层（12） 通过去除所述绝缘层的一些部分而形成的电连接端子; 和形成在导电通道上的磁 - 纳米颗粒阵列（13）。 磁性半导体薄膜表示厚度为10-1000纳米的单晶薄膜，具有半导体和铁磁特性。
-
公开(公告)号：KR100855105B1
公开(公告)日：2008-08-29
申请号：KR1020070058532
申请日：2007-06-14
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L27/105 , H01L29/82
CPC classification number: G11C11/16 , H01L29/20 , H01L29/66984
Abstract: A spin transistor using perpendicular magnetization is provided to easily miniaturize a spin transistor while enabling resistance adjustment caused by a gate by forming a ferromagnetic source/drain whose magnetization direction is perpendicular to the upper surface of a channel layer. A channel layer(7) is formed in a semiconductor substrate(10). A ferromagnetic source(22) and a ferromagnetic drain(23) are disposed on the semiconductor substrate, separated from each other and magnetized in a direction perpendicular to the upper surface of the channel layer. A gate(15) is formed on the semiconductor substrate between the source and the drain, adjusting the spin direction of electrons passing through the channel layer. Spin-polarized electrons are implanted from the source to the channel layer, and the implanted electrons pass through the channel layer and are implanted into the drain. When the electron passes through the channel layer, the spin of the electron processes according to the voltage of the gate by a spin-orbit coupling inducing magnetic field(14). The magnetization direction of the source and the drain is uniformly fixed during an on-and-off operation. In the source and the drain, a ferromagnetic thin film and a non-magnetic thin film can be stacked alternately and repeatedly in a direction perpendicular to the upper surface of the channel layer.
Abstract translation: 提供使用垂直磁化的自旋晶体管，以通过形成其磁化方向垂直于沟道层的上表面的铁磁源极/漏极实现由栅极引起的电阻调节，从而容易地使自旋晶体管小型化。 在半导体衬底（10）中形成沟道层（7）。 铁氧体源（22）和铁磁性漏极（23）设置在半导体衬底上，彼此分离并在与沟道层的上表面垂直的方向上磁化。 在源极和漏极之间的半导体衬底上形成栅极（15），调整通过沟道层的电子的自旋方向。 自旋极化电子从源极注入到沟道层，并且注入的电子通过沟道层并且被注入到漏极中。 当电子通过沟道层时，电子自旋根据栅极的电压通过自旋 - 轨道耦合诱导磁场进行处理（14）。 源极和漏极的磁化方向在开 - 关操作期间均匀地固定。 在源极和漏极中，铁磁薄膜和非磁性薄膜可以在与沟道层的上表面垂直的方向上交替重复堆叠。
-
公开(公告)号：KR100704544B1
公开(公告)日：2007-04-09
申请号：KR1020050041684
申请日：2005-05-18
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 스핀분극에 의한 전위차를 이용한 자기 메모리 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 화합물 반도체 2차원 전자우물층과 강자성체로 구성되고, 자화방향에 따른 전위차를 이용한 비 휘발성 스핀 메모리 소자에 관한 것이다.
본 발명의 스핀분극에 의한 전위차를 이용한 자기 메모리 소자는 2차원 전자우물층에서 스핀분극을 이용하여 강자성체와의 접합을 통해 평행 또는 반평행에서 나타나는 전위차를 이용하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 스핀분극에 의한 전위차를 이용한 자기 메모리 소자 제조방법은 화합물 반도체 기판 상에 2차원 전자우물층을 포함한 웨이퍼를 성장시키는 제1단계; 상기 결과물에 리쏘그래피(lithography) 공정과 이온밀링(ion-milling)을 이용하여 워드라인을 정의하는 2단계; 상기 결과물 상에서 상기 워드라인이 증착되지 않은 부분에 산화막을 증착하는 제3단계; 전자빔 리소그래피와 스퍼터를 이용하여 상기 워드라인 상에 강자성체를 증착하는 제4단계; 및 상기 결과물을 패터닝하여 Al이나 Au을 증착하고, 비트라인을 형성하는 제5단계;을 포함한다.
스핀분극 메모리 소자, 2차원 전자우물층, 전위차-
公开(公告)号：KR1020050116927A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：KR1020040042043
申请日：2004-06-09
CPC classification number: A61K6/0023 , Y10S522/908 , C08L33/00
Abstract: 본 발명은 1단계 시술을 위한 치과용 고기능성 접착제 조성물에 관한 것으로, 본 발명에 따른 조성물은 2,2-비스[4-(2-히드록시-3-메타크릴로일옥시프로폭시)페닐]프로판 (이하, "Bis-GMA"라 칭함)에, 이 Bis-GMA 분자 중의 히드록시기의 수소 원자를 메타크릴레이트기로 치환한 멀티메타크릴레이트기 함유 다관능성 프리폴리머를 혼합한 프리폴리머 혼합물을 기재로 하고, 산성 단량체, 접착 단량체, 친수성 단량체, 희석 용매, 물, 무기 충전재, 광개시제 시스템을 포함하는 1단계 광중합형 치과용 고기능성 접착제 조성물에 관한 것이다. 본 발명의 조성물은 산부식제 처리 없이도 접착효과가 좋을 뿐만 아니라 치아와의 접착성이 뛰어나고 지각과민 현상 억제와 항우식성 등의 뛰어난 물성을 나타내고 생체 친화성도 우수한 효과를 나타낸다.
-
公开(公告)号：KR1019960004392A
公开(公告)日：1996-02-23
申请号：KR1019940018611
申请日：1994-07-29
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 스타형 분자 구조를 갖는 폴리락트산을 130∼180℃의 온도에서 용융시키고, 얻어진 용융물을 50℃이상, 바람직하기로는 50∼120℃의 온도에서 5배 이하, 바람직하기로는 2∼4배 연신시키는 것을 특징으로 하는 생분해성 폴리락트산 필름의 제조 방법 및 이 방법에 의해 제조된 3.5∼6.0㎏/㎟의 인장 강도 및 2.5∼6.0%의 연신율을 갖는 생분해성 폴리락트산 필름에 관한 것이다. 본 발명에 따라 제조된 폴리락트산 필름은 투명성이 우수하고 강도가 매우 우수하기 때문에 포장재와 같은 범용 생분해성 재료로 사용이 가능할 뿐만 아니라 생체 흡수성 재료, 농약이나 의약, 약제의 서방성 매트릭스, 농업용 필름 등으로 광범위하게 응용될 수 있다.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
45
records
(took 0.025 seconds)
