公开(公告)号：KR102098284B1

公开(公告)日：2020-04-07

申请号：KR1020180033366

申请日：2018-03-22

Applicant: 한국과학기술연구원 ,  서울대학교산학협력단

Inventor： 서민아 ,  최근창 ,  김대식

IPC: G01N21/63 ,  G01N21/956

公开(公告)号：KR1020010077675A

公开(公告)日：2001-08-20

申请号：KR1020000005631

申请日：2000-02-07

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 우덕하 ,  이석 ,  한일기 ,  김선호 ,  최원준 ,  변영태 ,  김회종 ,  김재헌 ,  강광남 ,  김대식 ,  양지상

IPC: H01L31/14

Abstract: PURPOSE: A method for extending the gain bandwidth of a semiconductor optical amplifier is provided to obtain the semiconductor optical amplifier having a wide gain bandwidth by using a quantum dot as a gain region of the semiconductor optical amplifier. CONSTITUTION: An InP(Indium Phosphorus) buffer layer is grown at a predetermined thickness(S10). After the growing of the InP buffer layer, a predetermined gas is supplied(S20, S30, S40). An InAs(Indium arsenide) single well layer is grown on the InP buffer layer(S50). After the growing of the InAs layer, a predetermined gas is supplied(S60, S70, S80). An InP cap layer is grown on the InAs layer(S90).

Abstract translation: 目的：提供一种用于扩展半导体光放大器的增益带宽的方法，通过使用量子点作为半导体光放大器的增益区，获得具有宽增益带宽的半导体光放大器。 构成：以预定厚度生长InP（铟磷）缓冲层（S10）。 在InP缓冲层生长之后，提供预定的气体（S20，S30，S40）。 在InP缓冲层上生长InAs（砷化铟）单阱层（S50）。 在InAs层生长之后，提供预定的气体（S60，S70，S80）。 InAs层在InAs层上生长（S90）。

公开(公告)号：KR100066831B1

公开(公告)日：1993-10-23

申请号：KR1019900001238

申请日：1990-02-02

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김영하 ,  한양규 ,  김대식 ,  지성대 ,  박종원

IPC: C08G75/20

公开(公告)号：KR1019910015625A

公开(公告)日：1991-09-30

申请号：KR1019900001238

申请日：1990-02-02

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김영하 ,  한양규 ,  김대식 ,  지성대 ,  박종원

IPC: C08G75/20

Abstract: 내용 없음

公开(公告)号：KR100361035B1

公开(公告)日：2002-11-18

申请号：KR1020000005631

申请日：2000-02-07

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 우덕하 ,  이석 ,  한일기 ,  김선호 ,  최원준 ,  변영태 ,  김회종 ,  김재헌 ,  강광남 ,  김대식 ,  양지상

IPC: H01L31/14

Abstract: 본 발명은 스스로 뭉쳐서 형성된 양자점에서 나오는 광의 스펙트럼이 매우 넓은 것을 이용하여 반도체 광 증폭기의 이득 대역폭을 확장하는 방법에 관한 것이다.
더 상세하게는 InGaAs/InGaAsP/InP 양자우물 반도체 광증폭기의 이득 대역폭 확장방법에 있어서, 소정 두께의 InP 버퍼층을 성장시키는 과정과, 상기 InP 버퍼층 성장후 소정 가스를 공급하는 제1 가스 공급 과정과, 상기 InP 버퍼층 위로 InAs 단일 우물 구조층을 성장시키는 과정과, 상기 InAs 층 성장 후 소정 가스를 공급하여 격자 상수가 맞지 않는 상기 InAs 층이 서로 뭉쳐서 양자점을 형성하도록 하는 제2 가스 공급 과정과, 상기 InAs 층 위로 소정 두께의 InP 캡층을 성장시키는 과정으로 양자점을 생성하여 반도체 광 증폭기의 이득영역으로 양자점을 도입하고, 상기 InAs가 서로 뭉치면서 각 점들의 크기와 높이가 불균일하게 서로 독립적인 점을 형성하게 함을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1019930006259B1

公开(公告)日：1993-07-09

申请号：KR1019900001238

申请日：1990-02-02

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김영하 ,  한양규 ,  김대식 ,  지성대 ,  박종원

IPC: C08G75/20

CPC classification number: C08G75/23 ,  C08G65/4012 ,  C08L2205/05

Abstract: The polymer having a repeating unit of formula (I) is prepared by condensation reacting aromatic dihalogen compound (A) of formula (II) and aromatic diol (B) of formula (III) in the presence of alkali metal salt at 140-250 deg.C for 1-12 hr. In formulae, Ar is phenylene, biphenylene, etc., X is chlorine and M is alkali metal, compound (A) is 4-fluoro-4'-(4-fluorobenzoyl phenyloxy)diphenylsulfone and compound (B) is selected from 2,2-bis- (4-hydroxyphenyl)propane, hydroquinone or 4,4'-biphenol. The alkali metal salt is potassium carbonate and its addition amount is 1.0-20 wt.% w.r.t. aromatic diol.

Abstract translation: 具有式（I）的重复单元的聚合物通过在140-250度的碱金属盐存在下使式（II）的芳族二卤化合物（A）和式（III）的芳族二醇（B） C 1〜12小时。 式中，Ar为亚苯基，亚联苯等，X为氯，M为碱金属，化合物（A）为4-氟-4' - （4-氟苯甲酰苯氧基）二苯砜，化合物（B） 丙二醇，对苯二酚或4,4'-联苯酚。 碱金属盐是碳酸钾，其添加量为1.0-20重量％w.r.t. 芳族二醇。