특정 파장의 광원 및 반응성 가스를 이용하여 대상물의 표면을 평탄화하는 방법 및 장치

    公开(公告)号:WO2019208916A1

    公开(公告)日:2019-10-31

    申请号:PCT/KR2019/001411

    申请日:2019-02-01

    Abstract: 본 발명의 일 실시예에 따른 특정 파장의 광원을 이용하여 대상물의 표면을 평탄화하는 방법은, 메인 챔버 내부에 평탄화하고자 하는 대상물을 제공하는 단계; 상기 메인 챔버 내부에 식각용 가스를 주입하는 단계; 상기 특정 파장의 광원을 상기 대상물의 표면에 입사하는 단계; 및 상기 대상물의 온도를 제어하는 단계를 포함한다. 상기 방법에 의하면 종래의 CMP 공정에 의한 평탄화에서 발생하는 시료의 스크래치 또는 오염 등의 부작용을 최소화할 수 있고 공정 난이도가 낮아 평탄화 공정에 소요되는 비용 및 시간을 줄일 수 있다. 또한, 본 발명의 실시예에 따르면 나노미터(nm) 단위의 정교한 평탄화가 가능하며, 대면적의 표면뿐만 아니라 소자 측면의 평탄화도 동시에 수행 가능하므로, 평탄화 공정에 소요되는 비용 및 시간을 줄일 수 있다. 또한, 표면 거칠기를 개선하고 전기 전도도를 향상시킴으로써 LED 소자의 효율 증대 및 고출력화가 가능하다.

    위조 변조 및 재사용 방지를 위한 구조체, 이의 제조방법 및 이를 이용한 위조 변조 및 재사용 진위 판별방법
    2.
    发明申请
    위조 변조 및 재사용 방지를 위한 구조체, 이의 제조방법 및 이를 이용한 위조 변조 및 재사용 진위 판별방법 审中-公开
    用于防止伪造调制和再利用的结构,其制造方法以及使用该结构的伪造调制和再利用真实性判别方法

    公开(公告)号:WO2017090831A1

    公开(公告)日:2017-06-01

    申请号:PCT/KR2016/000774

    申请日:2016-01-25

    CPC classification number: B42D25/30 B42D25/373 B42D25/382 B42D25/435

    Abstract: 본 발명은 위조, 변조 및 재사용을 어렵게 하고, 육안으로 적절한 빛을 통해 이를 쉽게 관찰할 수 있는 구조체에 관한 것으로, 제1 금속층; 상기 제1 금속층 상에 구비된, 복수 개의 업컨버전 나노입자로 이루어진 패턴층; 상기 패턴층 상에 구비된 제2 금속층; 상기 패턴층을 포함하는 제1 금속층과 제2 금속층의 개방된 면을 밀폐시키도록 부착된, 외력에 의해 분리되는 액체 불투과성 및 접착성의 투명필름; 및 상기 투명필름의 측면 또는 외측면에 위치한 유체;를 포함하고, 상기 위조 변조 방지 및 재사용 방지를 위한 구조체는 상기 투명필름에 의해 상기 유체로부터 격리되어 있는 것을 특징으로 한다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种难以伪造,调制和重复使用并且能够通过肉眼适当的光线容易地观察它的结构,其包括第一金属层; 形成在所述第一金属层上的图案层,所述图案层包含多个上转换纳米颗粒; 设置在图案层上的第二金属层; 由外力分开的不透液体和粘性透明膜,所述外力被附着以密封所述第一金属层和包括所述图案层的所述第二金属层的开放表面; 以及位于透明膜的侧表面或外表面上的流体,其中用于防止和防止伪造调制的结构通过透明膜与流体隔离。

    광반응 스마트 윈도우
    3.
    发明公开
    광반응 스마트 윈도우 有权
    光反应智能窗口

    公开(公告)号:KR1020170077858A

    公开(公告)日:2017-07-06

    申请号:KR1020170079819

    申请日:2017-06-23

    CPC classification number: Y02E10/50 G02F1/137 H01L31/042 H02S10/00

    Abstract: 광반응스마트윈도우가제공된다. 상기광반응스마트윈도우는자외선우무에따라투과도가조절되는액정층을태양전지와결합하여새로운형태의전기생산스마트윈도우로서, 자외선이있는낮에는투명해져서창문에노출되는태양광을전기에너지로변환할수 있고, 자외선이없는저녁에는불투명해져서커튼없는창문으로사용될수 있다.

    Abstract translation: 提供一个光反应智能窗口。 光学响应智能窗作为发电智能窗新型的液晶层的传输速率的组合是与根据紫外线琼脂的太阳能电池的控制,是在紫外线下具有haejyeoseo透明转换日光暴露于窗口为电能 并且在没有紫外线的夜晚变得不透明,并且可以用作无窗帘。

    다색 양자점 패턴의 형성 방법 및 그 방법에 따라 형성된 다색 양자점 패턴, 양자점 발광소자
    4.
    发明授权
    다색 양자점 패턴의 형성 방법 및 그 방법에 따라 형성된 다색 양자점 패턴, 양자점 발광소자 有权
    一种形成多色量子点图案的方法,根据该方法形成的多色量子点图案,

    公开(公告)号:KR101724032B1

    公开(公告)日:2017-04-07

    申请号:KR1020150074016

    申请日:2015-05-27

    CPC classification number: H01L51/502 H01L51/0014

    Abstract: 다색양자점패턴의형성방법은, 기판상에제1 포토레지스트패턴을형성하는단계; 상기제1 포토레지스트패턴이형성된기판의표면을활성화시키는단계; 상기활성화된기판상에제1 양자점층을형성하는단계; 상기제1 포토레지스트패턴을제거하여제1 양자점패턴을생성하는단계; 및상기기판에생성된상기제1 양자점패턴과동일층상에제2 양자점패턴을생성하는단계를포함한다. 이에따라, 하나의기판에다양한양자점을용이하게구현할수 있다.

    Abstract translation: 形成多色量子点图案的方法包括:在衬底上形成第一光致抗蚀剂图案; 激活其上形成有第一光致抗蚀剂图案的基板的表面; 在激活的衬底上形成第一量子点层; 去除第一光致抗蚀剂图案以产生第一量子点图案; 并且在与衬底上产生的第一量子点图案相同的层上产生第二量子点图案。 因此,可以容易地在一个衬底上实施各种量子点。

    업컨버전 나노입자를 포함하는 GPR 및 이를 이용한 태양전지
    5.
    发明授权
    업컨버전 나노입자를 포함하는 GPR 및 이를 이용한 태양전지 有权
    包含上转换纳米粒子和使用其的太阳能电池的间隙等离子体共振器

    公开(公告)号:KR101489913B1

    公开(公告)日:2015-02-06

    申请号:KR1020140029474

    申请日:2014-03-13

    CPC classification number: Y02E10/50 H01L31/04

    Abstract: 본 발명은 업컨버전 나노입자를 포함하는 GPR 및 이를 이용한 태양전지에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플라즈몬 특성을 이용하여 업컨버전 나노물질의 발광 효율을 향상시킬 수 있고, 낮은 파워밀도에서도 우수한 발광 세기를 나타내며, 이를 태양전지에 이용할 경우, 보다 우수한 광전환 효율을 가질 수 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及包含上转换纳米颗粒的GPR和使用其的太阳能电池。 更具体地,本发明可以通过使用等离子体激元特性来提高上转换纳米材料的发光效率,即使在低功率密度下也显示出优异发光的强度,并且在用作太阳能电池时具有优异的光电转换效率。

    플라즈몬을 이용한 광대역 가시광선 흡수 나노구조체
    6.
    发明公开
    플라즈몬을 이용한 광대역 가시광선 흡수 나노구조체 有权
    BROADBADN可见光吸收纳米结构使用PLASMON

    公开(公告)号:KR1020150000616A

    公开(公告)日:2015-01-05

    申请号:KR1020130072912

    申请日:2013-06-25

    CPC classification number: G02B5/204 B82Y20/00 G02B5/008 G02B5/208 G02B5/22

    Abstract: 나노구조체는 기판, 기판 위에 위치하는 제1 금속층, 그리고 제1 금속층 위에 위치하는 단위 구조물(unit structure)을 포함하고, 단위 구조물은 제1 금속층 위에 위치하는 제1 유전체층, 제1 유전체층 위에 위치하는 제2 금속층, 제2 금속층 위에 위치하는 제2 유전체층, 제2 유전체층 위에 위치하는 제3 금속층, 제3 금속층 위에 위치하는 제3 유전체층, 그리고 제3 유전체층 위에 위치하는 제4 금속층을 포함하고, 제1 유전체층, 제2 유전체층, 그리고 제3 유전체층은 서로 두께가 다르다.

    Abstract translation: 提供使用等离子体的宽带可见光吸收纳米结构,能够有效地吸收整个可见光区域的光。 所述纳米结构包括基板,位于所述基板上的第一金属层和位于所述第一金属层上的单元结构,其中所述单元结构包括位于所述第一金属层上的第一介电层,位于所述第一金属层上的第二金属层 介电层,位于第二金属层上的第二电介质层,位于第二电介质层上的第三金属层,位于第三金属层上的第三电介质层和位于第三电介质层上的第四金属层,其中, 第一,第二和第三电介质层具有不同的厚度。

    수중 통신 장치 및 방법
    7.
    发明公开
    수중 통신 장치 및 방법 有权
    水下通信装置和方法

    公开(公告)号:KR1020130084897A

    公开(公告)日:2013-07-26

    申请号:KR1020120005832

    申请日:2012-01-18

    CPC classification number: H04B10/80 H04B13/02

    Abstract: PURPOSE: An underwater communication apparatus and a method thereof are provided to transmit data without distortion using the light with a wavelength of 450-500 nm. CONSTITUTION: A current control unit (120) converts first data to be transmitted to an external device into first current. An optical transmitter (110) transmits the light with a wavelength of 450-500 nm into the external device. The light corresponds to the converted first current. The first data includes one or more data among image data, voice data, and text data. A data transmitter transmits the first data to the current control unit. The data transmitter comprises one or more among a mike, a camera, a text input device, a body information collection device, and an environmental information collection device. [Reference numerals] (110) Optical transmitter; (120) Current control unit

    Abstract translation: 目的:提供水下通信装置及其方法,使用波长为450-500nm的光来传输数据而不失真。 构成:电流控制单元(120)将要发送到外部设备的第一数据转换为第一电流。 光发射器(110)将波长为450-500nm的光透射到外部设备中。 光对应于转换的第一电流。 第一数据包括图像数据,语音数据和文本数据中的一个或多个数据。 数据发送器将第一数据发送到当前控制单元。 数据发送器包括麦克风,照相机,文本输入装置,身体信息收集装置和环境信息收集装置中的一个或多个。 (附图标记)(110)光发射机; (120)电流控制单元

    스트레인 보상 다층양자우물을 이용하는 단일모드형 레이저 다이오드 및 그 제조 방법
    8.
    发明授权
    스트레인 보상 다층양자우물을 이용하는 단일모드형 레이저 다이오드 및 그 제조 방법 失效
    使用应变补偿多量子晶胞的单模激光二极管及其制造方法

    公开(公告)号:KR100602973B1

    公开(公告)日:2006-07-20

    申请号:KR1020030076161

    申请日:2003-10-30

    Abstract: 본 발명은 스트레인 보상 다층양자우물을 이용하는 단일모드형 레이저 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 기판, 기판 상에 형성되는 n형 클래딩층, n형 클래딩층 상에 형성되는 n형 SCH(Separate Confinement Heterostructure)층, n형 SCH층 상에 형성되며 사전설정된 파장 대역의 광을 발생시키기 위한 다층양자우물, 다층양자우물 상에 형성되며 광을 구속하기 위한 p형 SCH층, p형 SCH층 상에 형성되며 광의 손실을 방지하기 위한 p형 클래딩층, p형 클래딩층 상에 형성되며 옴접촉을 조절하기 위한 오믹층, 및 광을 발생시키기 위한 전류를 다층양자우물로 주입하기 위한 전극을 포함하며, n형 클래딩층은 광의 손실을 방지하고, n형 SCH층은 광을 구속하며, 다층양자우물은 사전설정된 적층 주기로 교번하여 형성된 다수의 압축 스트레인 우물층 및 다수의 긴장 스트레인 장벽층에 의해 스트레인 보상되는 단일모드형 레이저 다이오드 및 그 제조 방법을 제공한다.
    레이저 다이오드, 스트레인 보상 다층양자우물, 압축 스트레인 우물층, 긴장 스트레인 장벽층, 에피 구조

    다양한 크기의 양자점으로 이루어진 활성층을 이용하는고휘도 발광소자 및 그 제조 방법
    9.
    发明公开
    다양한 크기의 양자점으로 이루어진 활성층을 이용하는고휘도 발광소자 및 그 제조 방법 有权
    使用形成有各种尺寸的量子的活性层的超级亮度二极管及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020060037033A

    公开(公告)日:2006-05-03

    申请号:KR1020040086139

    申请日:2004-10-27

    CPC classification number: B82Y10/00 H01L33/0045

    Abstract: 파장대역폭이 넓고 광출력이 큰 고휘도 발광소자 및 그 제조 방법을 제공한다. 이를 위해, 기판, 상기 기판 상에 형성되어 방출되는 광을 구속하는 제 1 클래딩층 및 제2 클래딩층, 상기 제1 클래딩층 및 제2 클래딩층 사이에 형성되어 사전설정된 적어도 두 파장의 광을 방출하는 CQD 양자점 구조의 활성층을 포함하는 고휘도 발광소자 및 그 제조 방법을 제공한다.
    고휘도 발광소자, 파장 대역폭, 광출력, CQD (Chirped Quantum Dots), 활성층

    비대칭 SCH 구조를 갖는 반도체 레이저 다이오드 및 그제조 방법
    10.
    发明公开
    비대칭 SCH 구조를 갖는 반도체 레이저 다이오드 및 그제조 방법 失效
    具有不对称SCH结构的半导体激光二极管及其制造方法,其中将InGaAs层插入第一N型SCH层

    公开(公告)号:KR1020040083753A

    公开(公告)日:2004-10-06

    申请号:KR1020030018348

    申请日:2003-03-25

    Abstract: PURPOSE: A semiconductor laser diode having an asymmetric SCH(Separate-Confinement Hetero) structure and a fabricating method thereof are provided to improve a thermal characteristic and an optical characteristic by reducing internal loss due to inserting a p-InP layer. CONSTITUTION: An n-type cladding layer(220) is formed on a substrate. An n-type second SCH layer(218) is formed on the n-type cladding layer. The first n-type SCH layer(210) is formed on the second SCH layer. An active layer(212) is formed on the first n-type SCH layer. The first p-type SCH layer(208) is formed on the active layer. The first insertion layer(206) is formed on the p-type first SCH layer. A p-type second SCH layer(204) is formed on the first insertion layer. A p-type cladding layer(202) is formed on the p-type second SCH layer.

    Abstract translation: 目的:提供具有不对称SCH(分离限制异质)结构的半导体激光二极管及其制造方法,通过减少由于插入p-InP层引起的内部损耗来改善热特性和光学特性。 构成:在基板上形成n型包覆层(220)。 在n型包覆层上形成n型第二SCH层(218)。 第一n型SCH层(210)形成在第二SCH层上。 在第一n型SCH层上形成有源层(212)。 第一p型SCH层(208)形成在有源层上。 第一插入层(206)形成在p型第一SCH层上。 在第一插入层上形成p型第二SCH层(204)。 p型覆层(202)形成在p型第二SCH层上。

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