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公开(公告)号：KR1020170082181A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：KR1020160001010
申请日：2016-01-05
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 기판상에금속환원제를포함하는제 1 용액을도포하여버퍼층을형성하는것, 상기버퍼층상에제 2 용액을도포하는것, 및상기제 2 용액이도포된상기버퍼층상에건조공정을수행하는것을포함하는도전패턴의형성방법을제공하되, 상기금속환원제는제 1 금속을포함하고, 상기제 2 용액은상기제 1 금속과다른제 2 금속의이온을포함하고, 상기건조공정동안상기제 2 금속이온이환원되어상기버퍼층의내부및 표면에금속층이형성될수 있다.
Abstract translation: 该方法包括：将包含金属还原剂的第一溶液施加在基板上以形成缓冲层;在缓冲层上施加第二溶液;以及对施加了第二溶液的缓冲层执行干燥处理 提供形成导电图案的方法，其中所述金属还原剂包含第一金属且所述第二溶液包含不同于所述第一金属的第二金属的离子， 金属层可以形成在缓冲层的内部和表面上。
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公开(公告)号：KR1020150138913A
公开(公告)日：2015-12-11
申请号：KR1020140065804
申请日：2014-05-30
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L29/78603 , H01L21/3105 , H01L21/31058 , H01L21/31144 , H01L27/1218 , H01L27/1266 , H01L29/66742
Abstract: 본발명의실시예들에따른전자장치의제조방법은소자영역및 배선영역을포함하는캐리어기판을제공하는것; 캐리어기판상에희생층및 전자소자를차례로형성하는것; 희생층상에배선영역에서굴곡진표면을갖는제1탄성층을형성하는것; 배선영역의제1탄성층상에금속배선들을형성하는것; 제1탄성층상에금속배선들을덮는제2탄성층을형성하는것; 전자소자상의제2탄성층에함몰되며, 굴곡진표면을갖는고강성패턴을형성하는것; 제2탄성층및 고강성패턴상에제3탄성층을형성하는것; 및캐리어기판을분리하는것을포함한다.
Abstract translation: 根据本发明的实施例，提供了一种用于制造电子设备的方法。 该方法包括：制备包括元件区域和布线区域的载体衬底; 依次在载体基板上形成牺牲层和电子元件; 在所述牺牲层的所述布线区域中形成具有波纹状表面的第一弹性层; 在布线区域的第一弹性层上形成金属布线; 形成覆盖所述第一弹性层上的所述金属配线的第二弹性层; 在所述电子元件上方的所述第二弹性层的凹部中形成具有波纹状表面的高刚性图案; 在第二弹性层上形成第三弹性层和高刚性图案; 并分离载体衬底。
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公开(公告)号：KR1020150138512A
公开(公告)日：2015-12-10
申请号：KR1020140065202
申请日：2014-05-29
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/32 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L29/78603 , H01L51/0097
Abstract: 본발명은신축성전자소자의제조방법을개시한다. 그의방법은, 복수개의트렌치들을갖는몰드기판을제공하는단계와, 상기몰드기판상에상기트렌치들깊이에대응되는단차를갖는신축성기판을형성하는단계와, 상기몰드기판을제거하는단계와, 상기신축성기판상에박막트랜지스터를형성하는단계를포함한다. 상기신축성기판은, 상기몰드기판의상기트렌치들내에서형성되는하드영역과, 상기트렌치들사이의상기몰드기판상에형성되는유연영역을포함할수 있다.
Abstract translation: 公开了一种制造可拉伸电子装置的方法。 该方法包括：提供具有沟槽的模具基板的步骤; 形成具有与模具基板上的沟槽的深度对应的台阶的伸缩性电子基板的工序; 去除模具基板的步骤; 以及在所述伸缩性基板上形成薄膜晶体管的工序。 可拉伸基板可以包括形成在模具基板的沟槽中的硬区域和在沟槽之间形成在模具基板上的柔性区域。
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公开(公告)号：KR1020140032304A
公开(公告)日：2014-03-14
申请号：KR1020130008103
申请日：2013-01-24
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G06F3/14 , G06F1/16 , G06F1/1601 , G06F1/1626 , G06F3/1407
Abstract: A mobile e-binder system according to the present invention includes at least one display for displaying information; a docking system electrically connected to the at least one display to exchange information according to standards in a telecommunication field; and a computing device for transmitting information to the at least one display by storing and processing the information, wherein the at least one display is detachably mounted in the docking system. In addition, the computing device includes a central processing unit for processing the information; a storage unit for storing the information therein; and a power supply for supplying power to the central processing unit, the storage unit, and the at least one display. Further, the docking system includes at least one of a D-ring open horizontally to allow the at least one display to be locked and fixed to the ring, a clip moved left or right to fix the at least one display by pressing the at least one display, and a slide groove for fixing the at least one display by allowing the at least one display to move up or down.
Abstract translation: 根据本发明的移动电子邮件系统包括用于显示信息的至少一个显示器; 电连接到所述至少一个显示器的对接系统，以根据电信领域中的标准交换信息; 以及用于通过存储和处理所述信息将信息发送到所述至少一个显示器的计算设备，其中所述至少一个显示器可拆卸地安装在所述对接系统中。 此外，计算装置包括用于处理信息的中央处理单元; 用于存储信息的存储单元; 以及用于向中央处理单元，存储单元和至少一个显示器供电的电源。 此外，对接系统包括水平开放以允许至少一个显示器被锁定并固定到环的D形环中的至少一个，通过按压至少一个键来左右移动的夹子来固定至少一个显示器 一个显示器和用于通过允许所述至少一个显示器向上或向下移动来固定所述至少一个显示器的滑动槽。
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公开(公告)号：KR1020140031781A
公开(公告)日：2014-03-13
申请号：KR1020130031979
申请日：2013-03-26
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: B41J2/06 , B41J2/14 , B41J2/162 , B41J2/1629 , B41J2/1631 , B41J2/1639 , B41J2/1642 , B41J2/1646 , B41J2202/04
Abstract: Disclosed are a nano printing apparatus, a manufacturing method thereof, and a printing method using the same. The nano printing apparatus includes: a circuit board; a first electric wiring which are extended, on the circuit board, in the direction of a first direction; an inter-layer insulating layer which is located on the first wiring and has holes exposing part of the first electric wiring; a second electric wiring which is located in the inter-layer insulating layer and is extended in the direction of a second direction crossed by the first electric wiring; and wedge electrodes which are connected with the first electric wiring and protrudes from the holes on each intersection where the first and the second electric wiring are crossed.
Abstract translation: 公开了纳米打印装置及其制造方法和使用其的打印方法。 纳米打印装置包括：电路板; 在所述电路板上沿第一方向的方向延伸的第一电线; 层间绝缘层，其位于所述第一布线上，并且具有露出所述第一电布线的一部分的孔; 位于所述层间绝缘层中并且沿着与所述第一电布交叉的第二方向的方向延伸的第二电布线; 以及与第一电布线连接并从第一和第二电线交叉的交叉点上的孔突出的楔形电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101343569B1
公开(公告)日：2013-12-20
申请号：KR1020100029135
申请日：2010-03-31
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , H01L29/786 , H01L21/8242
Abstract: 본기술은비휘발성메모리셀 및그 제조방법에관한것이다. 본기술은비휘발성메모리셀에있어서, 기판상에형성된반도체막, 버퍼막, 유기강유전체막및 게이트전극을포함하는메모리트랜지스터; 및상기기판상에형성된상기반도체막, 상기버퍼막, 게이트절연막및 상기게이트전극을포함하는구동트랜지스터를포함한다. 본기술에따르면, 동일한기판상에형성된메모리트랜지스터및 구동트랜지스터를구비하며, 가시광영역에서투명한비휘발성메모리셀을제공할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020110021632A
公开(公告)日：2011-03-04
申请号：KR1020100029135
申请日：2010-03-31
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , H01L29/786 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L21/28273 , H01L21/28291 , H01L27/1159 , H01L29/78645
Abstract: PURPOSE: A nonvolatile memory cell and a manufacturing method thereof are provided to reduce the additional packaging expense by mounting the memory transistor inside the system and omitting the external memory. CONSTITUTION: A memory transistor including a semiconductor film(204A), a buffer layer(206A), an organic ferroelectric film(208A), and a gate electrode(214) is formed on a substrate(200). A driving transistor including the semiconductor film, a buffer layer, a gate insulating layer(209A), and a gate electrode is formed on the top of the substrate. The buffer layer is interposed between the semiconductor film and the organic ferroelectric film.
Abstract translation: 目的：提供一种非易失性存储单元及其制造方法，通过将存储晶体管安装在系统内并省略外部存储器来减少额外的封装费用。 构成：在衬底（200）上形成包括半导体膜（204A），缓冲层（206A），有机铁电体膜（208A）和栅电极（214）的存储晶体管。 包括半导体膜，缓冲层，栅极绝缘层（209A）和栅电极的驱动晶体管形成在基板的顶部。 缓冲层介于半导体膜和有机铁电体膜之间。
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公开(公告)号：KR100981736B1
公开(公告)日：2010-09-13
申请号：KR1020080063418
申请日：2008-07-01
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: 본 발명은 상변화 메모리 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히 상변화 재료 영역이 전극층과의 직접 접촉없이 자기 발열 과정에 의해 메모리 동작을 수행하는 자기 발열형 채널 구조를 포함하는 상변화 메모리 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 상변화 메모리 소자는 기판; 상기 기판 상에 형성된 복수의 제 1 금속 전극층; 상기 기판의 상부에서 상기 복수의 제 1 금속 전극층 사이에 형성되고, 자기 발열형 채널 구조로 구성되는 상변화 재료층; 상기 복수의 제 1 금속 전극층 및 상기 상변화 재료층 상부에 형성된 절연층; 상기 복수의 제 1 금속 전극층의 상부에 형성된 비아 홀; 및 상기 비아 홀을 매립하는 형태로 형성된 제 2 금속 전극층로 구성된다. 본 발명은 별도의 발열 전극을 사용하지 않고 상변화 물질 자체의 저항에 따른 발열 현상을 이용하여 메모리 동작을 수행함으로써, 금속 전극의 열전도에 따른 열손실을 최소화하여 메모리 소자의 소비전력을 감소시킬 수 있다.
상변화, 비휘발성 메모리, 게르마늄-안티몬-텔레륨, 자기 발열Abstract translation: 本发明涉及一种相变存储器装置及其制造的方法，特别是相变存储器装置包括自热型沟道结构，其中所述相变材料区域，以通过自加热过程执行存储器操作，而不与电极层直接接触，并且 及其制造方法。 根据本发明的相变存储器件包括：衬底; 形成在基板上的多个第一金属电极层; 相变材料层，形成在所述衬底上的所述多个第一金属电极层之间，所述相变材料层具有自加热沟道结构; 形成在所述多个第一金属电极层和所述相变材料层上的绝缘层; 形成在多个第一金属电极层的上部中的通孔; 以及形成为填充通孔的第二金属电极层。 本发明通过使用取决于相变材料本身的电阻的发热现象而不使用单独的加热电极而使由于金属电极的热传导导致的热损失最小化，从而降低存储器件的功耗 有。
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公开(公告)号：KR1020100068793A
公开(公告)日：2010-06-24
申请号：KR1020080127269
申请日：2008-12-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/06 , H01L21/28273 , H01L45/141
Abstract: PURPOSE: A nonvolatile programmable switch device and a method for fabricating the same are provided to improve the retention property of the device by separately forming a first electrode and a second electrode for reading, and a third electrode and a fourth electrode for writing. CONSTITUTION: A first electrode(102) is formed on a semiconductor substrate(100). Insulating layers(104a, 108a) comprise pores(110) which expose a part of the first electrode. A heat-generating electrode(106a) is formed on the lateral side of the pores. A phase-changing layer(112) is connected to the first electrode. A second electrode is connected to the phase-changing layer. A third electrode(122) is connected to one side of the heat-generating electrode. A fourth electrode(126) is connected to another side of the heat-generating electrode.
Abstract translation: 目的：提供一种非易失性可编程开关装置及其制造方法，通过分别形成用于读取的第一电极和第二电极以及用于书写的第三电极和第四电极来改善器件的保持性。 构成：第一电极（102）形成在半导体衬底（100）上。 绝缘层（104a，108a）包括暴露第一电极的一部分的孔（110）。 在孔的侧面形成发热电极（106a）。 相变层（112）连接到第一电极。 第二电极连接到相变层。 第三电极（122）连接到发热电极的一侧。 第四电极（126）连接到发热电极的另一侧。
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公开(公告)号：KR1020100063604A
公开(公告)日：2010-06-11
申请号：KR1020090025243
申请日：2009-03-25
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247 , B82Y10/00
CPC classification number: H01L21/28291 , B82Y10/00 , H01L27/1159 , H01L29/6684
Abstract: PURPOSE: A nonvolatile information storage apparatus using organic ferroelectric material and a manufacturing method thereof are provided to improve a leakage current property by inserting a thin inorganic material insulator film. CONSTITUTION: A first electrode layer is formed on a substrate. A ferroelectric material film layer(130) is formed on the first electrode layer(110). A semiconductor film layer(140) is formed on the organic ferroelectric material film layer. A second electrode layer(150) is formed on the semiconductor film layer. An inorganic material insulator film layer(120) is formed on an upper or lower part of the organic ferroelectric film layer.
Abstract translation: 目的：提供一种使用有机铁电材料的非挥发性信息存储装置及其制造方法，通过插入薄的无机材料绝缘膜来提高泄漏电流特性。 构成：在基板上形成第一电极层。 铁电材料膜层（130）形成在第一电极层（110）上。 在有机铁电体膜层上形成有半导体膜层（140）。 在半导体膜层上形成第二电极层（150）。 无机材料绝缘膜层（120）形成在有机铁电体膜层的上部或下部。
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