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公开(公告)号：CN102597312B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201080051642.4
申请日：2010-11-16
Applicant: FEI公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/44 , C23F4/04 , H01L21/3065
CPC classification number: C23C16/047 , C23C16/4485 , C23C16/45523 , C23C16/45561 , H01J2237/006
Abstract: 从多种气体源进入到束系统的样品腔中的气体流由用于每种气体源的循环阀控制，所述样品腔中的气体压力由阀打开的相对时间以及阀的上游压力确定。设置在真空腔内部的气体阀允许在截止气体方面快速响应。在一些优选的实施方式中，前体气体由容器中的固态或液态材料被供应，所述容器在使用时仍保持在所述真空系统外部并且被容易地连接到所述气体注入系统或从所述气体注入系统断开而不存在显著的泄漏。
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公开(公告)号：CN102618852A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210020842.4
申请日：2012-01-30
Applicant: FEI公司
IPC: C23C16/513
CPC classification number: C23C16/486 , C23C16/047 , C23C16/18 , C23C16/34 , C23C16/407 , H01J2237/31732 , H01L21/28556 , H01L21/76877 , H01L21/76892
Abstract: 改进的沉积低电阻率金属的束沉积方法。本发明的优选实施方案使用新型聚焦离子束诱导沉积前体沉积低电阻率金属材料，如锡。申请人已经发现，通过使用甲基化或乙基化金属，如六甲基二锡作为前体，可以沉积电阻率低至40µΩ. cm的材料。
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公开(公告)号：CN102618852B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201210020842.4
申请日：2012-01-30
Applicant: FEI公司
IPC: C23C16/513
CPC classification number: C23C16/486 , C23C16/047 , C23C16/18 , C23C16/34 , C23C16/407 , H01J2237/31732 , H01L21/28556 , H01L21/76877 , H01L21/76892
Abstract: 改进的沉积低电阻率金属的束沉积方法。本发明的优选实施方案使用新型聚焦离子束诱导沉积前体沉积低电阻率金属材料，如锡。申请人已经发现，通过使用甲基化或乙基化金属，如六甲基二锡作为前体，可以沉积电阻率低至40μΩ?cm的材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105321787A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510365464.7
申请日：2015-06-29
Applicant: FEI公司
IPC: H01J37/12 , H01J37/147 , H01J37/02
CPC classification number: H01J37/12 , H01J37/228 , H01J2237/006 , H01J2237/31749
Abstract: 带电粒子透镜中的集成光学件和气体输送。一种用于将光或气体或两者指引到离带电粒子束柱的下端约2mm内安置的样品的方法和装置。该带电粒子束柱组件包括定义样品保持位置的平台，并且具有每个包括一组电极的一组静电透镜。该组件包括最后静电透镜，其包括最接近于样品保持位置的最后电极。此最后电极定义至少一个内部通路，其具有接近于且指向样品保持位置的终点。
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公开(公告)号：CN103512781A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201310231578.3
申请日：2013-06-09
Applicant: FEI公司
IPC: G01N1/28
CPC classification number: G01N1/32 , H01J37/3023 , H01J37/3056 , H01J2237/31745
Abstract: 一种用于在衬底中生成基本上平坦的面的方法和系统，该方法包括：将一个或多个射束引导到衬底的第一表面处以从衬底中的第一位置移除材料，射束从第一表面的法线偏移非零垂落角；在垂直于第一表面的平面内扫动这一个或多个射束以在衬底中研磨出一个或多个初始切口，这些初始切口使基本上垂直于第一表面的第二表面暴露；使衬底围绕轴线旋转非零旋转角，该轴线不同于与第一射束正交或平行于第一射束的轴线；在不改变第一非零垂落角的情况下将第一射束引导到第二表面处，以从衬底中移除另外的材料；以及使这一个或多个射束在第二表面上按图案进行扫描，以在衬底中研磨出一个或多个最终切口。
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公开(公告)号：CN102597312A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201080051642.4
申请日：2010-11-16
Applicant: FEI公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/44 , C23F4/04 , H01L21/3065
CPC classification number: C23C16/047 , C23C16/4485 , C23C16/45523 , C23C16/45561 , H01J2237/006
Abstract: 从多种气体源进入到束系统的样品腔中的气体流由用于每种气体源的循环阀控制，所述样品腔中的气体压力由阀打开的相对时间以及阀的上游压力确定。设置在真空腔内部的气体阀允许在截止气体方面快速响应。在一些优选的实施方式中，前体气体由容器中的固态或液态材料被供应，所述容器在使用时仍保持在所述真空系统外部并且被容易地连接到所述气体注入系统或从所述气体注入系统断开而不存在显著的泄漏。
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公开(公告)号：CN104508791A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201380040374.X
申请日：2013-07-30
Applicant: FEI公司
IPC: H01J37/26
CPC classification number: H01J37/26 , H01J37/18 , H01J37/28 , H01J2237/0044 , H01J2237/006 , H01J2237/24445
Abstract: 一种气体喷射系统提供了样品表面处的局部区域，其具有足够的气体浓度来由次级电子电离以中和样品表面上的电荷。在一些实施例中，气体集中结构将气体集中在表面附近。气体集中结构中的可选的孔允许带电粒子束冲击护罩区域的内部。在一些实施例中，表面附近的阳极增大返回至工件表面用于电荷中和的离子的数量，阳极在一些实施例中为气体喷射系统的一部分，而在一些实施例中为单独的结构。
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公开(公告)号：CN104217912A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201410227896.7
申请日：2014-05-27
Applicant: FEI公司
IPC: H01J37/21 , H01J37/317 , H01L21/302
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/3056 , H01J37/3233 , H01J37/3244 , H01J2237/3151 , H01J2237/31744 , H01J2237/31749 , H01J2237/334 , H01L21/3065 , H01L21/31105 , H01L21/31116 , H01L21/32131 , H01L21/32136 , H01L21/76892
Abstract: 一种用于使用聚焦离子束系统改进半导体器件的平面剥层的方法和系统。该方法包括：限定有待清除的目标区域，该目标区域包括半导体器件的铜和电介质混合层的至少一部分；将前驱气体向该目标区域引导；以及在存在该前驱气体的情况下，将聚焦离子束向该目标区域引导，由此将第一铜和电介质混合层的至少一部分清除并在被铣削的目标区域中产生一个均匀光滑的面。该前驱气体使得该聚焦离子束以与该电介质基本上相同的速率对该铜进行铣削。在优选实施例中，该前驱气体包括硝乙酸甲酯。在替代性实施例中，该前驱气体是乙酸甲酯、乙酸乙酯、硝乙酸乙酯、乙酸丙酯、硝乙酸丙酯、乙酸硝基乙酯、甲氧基乙酸甲酯、或甲氧基乙酰氯。
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