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    Interconnect structure with bi-layer metal cap and method of fabricating the same
    2.
    发明专利
    Interconnect structure with bi-layer metal cap and method of fabricating the same 有权
    具有双层金属盖的互连结构及其制造方法

    公开(公告)号：JP2008205458A

    公开(公告)日：2008-09-04

    申请号：JP2008028398

    申请日：2008-02-08

    Applicant: Internatl Business Mach Corp ,  インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Maschines Corporation

    Inventor： YANG CHIH-CHAO ,  CHANDA KAUSHIK ,  WANG PING-CHUAN

    IPC: H01L21/3205 ,  H01L23/52

    CPC classification number: H01L21/76849 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53266 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a structure and method of fabricating an interconnect structure with a bi-layer metal cap. SOLUTION: In one embodiment, this method of fabricating an interconnect structure with a bi-layer metal cap includes the steps of: forming an interconnect structure portion in a dielectric material layer; and forming a bi-layer metallic cap on the top surface of an interconnect structure portion. This method also includes the step of depositing the blanket layer of a dielectric capping layer, which covers the exposed surface of the dielectric material layer and the surface of a bi-layer metallic cap. The bi-layer metallic cap comprises: a metal capping layer formed on the conductive surface of an interconnect structure portion; and metal nitride formed on the top portion of the metal capping layer. The interconnect structure comprises: an interconnect structure portion formed in the dielectric layer: a bi-layer metallic cap formed on the top portion of the interconnect structure portion; and a dielectric capping layer formed on the bi-layer metallic cap. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种用双层金属帽制造互连结构的结构和方法。 解决方案：在一个实施例中，制造具有双层金属帽的互连结构的这种方法包括以下步骤：在介电材料层中形成互连结构部分; 以及在互连结构部分的顶表面上形成双层金属帽。 该方法还包括沉积介电覆盖层的覆盖层的步骤，该覆盖层覆盖介电材料层的暴露表面和双层金属盖的表面。 双层金属盖包括：形成在互连结构部分的导电表面上的金属覆盖层; 和金属氮化物形成在金属覆盖层的顶部上。 所述互连结构包括：形成在所述电介质层中的互连结构部分：形成在所述互连结构部分的顶部上的双层金属帽; 以及形成在双层金属盖上的电介质覆盖层。 版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

    Interconnection portion metallization process having step coverage equal to or more than 100%
    3.
    发明专利
    Interconnection portion metallization process having step coverage equal to or more than 100% 审中-公开
    互连部分金属化步骤覆盖程度等于或超过100％

    公开(公告)号：JP2007300113A

    公开(公告)日：2007-11-15

    申请号：JP2007118453

    申请日：2007-04-27

    Applicant: Internatl Business Mach Corp ,  インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Maschines Corporation

    Inventor： YANG CHIH-CHAO ,  CHANDA KAUSHIK

    IPC: H01L21/3205 ,  C23C14/34 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52 ,  H01L23/522

    CPC classification number: H01L21/76844 ,  C23C14/046 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an interconnection structure having a barrier material coverage range in which the barrier material thickness of the sidewall of the structure is larger than that of the bottom portion of the structure, and to provide the method of manufacturing such interconnection structure.
    SOLUTION: There are provided an interconnection structure having a barrier material coverage range in which the barrier material thickness of the sidewall of the structure is larger than that of the bottom portion of the structure, and the method of manufacturing such interconnection structure. The interconnection structure of the invention has improved technical extensibility for semiconductor society compared with the interconnection structure of the prior art in which a barrier material is formed by a conventional PVD process, conventional ionized plasma deposition, CVD, or ALD. According to the invention, there is provided the interconnection structure having the barrier material thickness (w
    t ) of the sidewall of the structure larger than the barrier material thickness (h
    t ) of the bottom portion of the structure. That is, in the interconnection structure of the invention, w
    t /h
    t fraction is equal to or more than 100%.
    COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种具有屏障材料覆盖范围的互连结构，其中结构的侧壁的阻挡材料厚度大于结构的底部的阻挡材料厚度，并且提供制造方法 这样的互连结构。 解决方案：提供了一种具有阻挡材料覆盖范围的互连结构，其中该结构的侧壁的阻挡材料厚度大于该结构的底部的阻挡材料厚度，以及制造这种互连结构的方法。 与现有技术的互连结构相比，本发明的互连结构提高了技术可扩展性，其中通过常规PVD工艺，常规电离等离子体沉积，CVD或ALD形成阻挡材料。 根据本发明，提供了具有大于阻挡材料厚度（h t ）的结构的侧壁的阻挡材料厚度（w t ）的互连结构， 的结构的底部。 也就是说，在本发明的互连结构中，w / h t 分数等于或大于100％。 版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

    INTERCONNECT STRUCTURE WITH ENHANCED RELIABILITY
    5.
    发明申请
    INTERCONNECT STRUCTURE WITH ENHANCED RELIABILITY 审中-公开
    具有增强可靠性的互连结构

    公开(公告)号：WO2012058011A3

    公开(公告)日：2012-06-14

    申请号：PCT/US2011056119

    申请日：2011-10-13

    Applicant: IBM ,  FILIPPI RONALD ,  WANG PING-CHUAN ,  BONILLA GRISELDA ,  CHANDA KAUSHIK ,  EDWARDS ROBERT D ,  SIMON ANDREW H

    Inventor： FILIPPI RONALD ,  WANG PING-CHUAN ,  BONILLA GRISELDA ,  CHANDA KAUSHIK ,  EDWARDS ROBERT D ,  SIMON ANDREW H

    IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768

    CPC classification number: H01L21/76834 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76849 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: An improved interconnect structure including a dielectric layer (202) having a conductive feature (204) embedded therein, the conductive feature (204) having a first top surface (208) that is substantially coplanar with a second top surface (206) of the dielectric layer (202); a metal cap layer (212) located directly on the first top surface (208), wherein the metal cap layer (212) does not substantially extend onto the second top surface (206); a first dielectric cap layer (21 0A) located directly on the second top surface (206), wherein the first dielectric cap layer (21 0A) does not substantially extend onto the first top surface (208) and the first dielectric cap layer (210A) is thicker than the metal cap layer (212); and a second dielectric cap layer (220) on the metal cap layer (212) and the first dielectric cap layer (210A). A method of forming the interconnect structure is also provided.

    Abstract translation: 一种改进的互连结构，包括具有嵌入其中的导电部件（204）的电介质层（202），所述导电部件（204）具有与电介质的第二顶表面（206）基本共面的第一顶表面 层（202）; 直接位于所述第一顶面（208）上的金属盖层（212），其中所述金属盖层（212）基本上不延伸到所述第二顶面（206）上; 直接位于第二顶表面（206）上的第一电介质盖层（210A），其中第一电介质盖层（210A）基本上不延伸到第一顶表面（208）上并且第一电介质盖层（210A） ）比金属盖层（212）厚; 和在金属盖层（212）和第一电介质盖层（210A）上的第二电介质盖层（220）。 还提供了形成互连结构的方法。

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG ELEKTRISCH PROGRAMMIERBARERBACK-END-SICHERUNG
    7.
    发明专利
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG ELEKTRISCH PROGRAMMIERBARERBACK-END-SICHERUNG 未知

    公开(公告)号：DE112013000362B4

    公开(公告)日：2019-10-17

    申请号：DE112013000362

    申请日：2013-01-10

    Applicant: IBM

    Inventor： BAO JUNJING ,  BONILLA GRISELDA ,  CHANDA KAUSHIK ,  CHOI SAMUEL S ,  FILIPPI RONALD G ,  GRUNOW STEPHAN IBM CORP ,  LUSTIG NAFTALI E ,  MOY DAN ,  SIMON ANDREW H

    IPC: H01L23/525 ,  H01L21/82 ,  H01L23/62

    Abstract: Verfahren zum Bilden einer BEOL-E Sicherung (424a), aufweisend:Bereitstellen einer Struktur, die eine Hartmaske (426) über einer ersten Dielektrikumsschicht (415) einschließt, wobei die Hartmaske auch über einer zweiten Dielektrikumsschicht (425) angeordnet ist, wobei die zweite Dielektrikumsschicht über einer leitfähigen Leitung (412a) angeordnet ist, die in der ersten Dielektrikumsschicht (415) gebildet ist;(a) Bilden einer ersten (Q) und einer zweiten (P) Öffnung durch die Hartmaske (426),(b) Strukturieren einer dritten (B) und einer vierten (A) Öffnung in einer Fotolackschicht (428), die über der Hartmaske angeordnet ist, wobei die dritte Öffnung (B) mit der erste Öffnung (Q) fehlausgerichtet (ΔW) ist, um eine Seitenwand der Hartmaske (426) in der ersten Öffnung (Q) freizulegen und die erste Öffnung (Q) partiell zu überlappen und dadurch einen Überlappungsabschnitt zu definieren, wobei der Überlappungsabschnitt eine Sub-Groundrule-Abmessung aufweist, wobei die vierte Öffnung (A) in der zweiten Öffnung (P) ist, um das Freilegen der Hartmaske (426) in der vierten Öffnung zu vermeiden,(c) Ätzen durch die Hartmaske (426) und die strukturierte Fotolackschicht (428) eines ersten Abschnitts der zweiten Dielektrikumsschicht (425), welcher durch den Überlappungsabschnitt und die freigelegte Seitenwand der Hartmaske (426) definiert ist, um einen ersten Durchkontakt-Hohlraum (B') der BEOL-E Sicherung (424a) in der zweiten Dielektrikumsschicht (425) zu bilden, wobei der erste Durchkontakt-Hohlraum (B') mit der leitfähigen Leitung (412a) vollständig überlappt und eine Abmessung (W-ΔW) definiert durch den Überlappungsabschnitt aufweist,(d) Entfernen einer strukturierten Fotolackschicht (428), um die erste Öffnung (Q) freizulegen,(e) Ätzen durch die freigelegte erste Öffnung (Q) in der Hartmaske eines zweiten Abschnitts in der zweiten Dielektrikumsschicht (425), um einen Graben (Q') zu bilden, der mit dem ersten Durchkontakt-Hohlraum (B') vollständig überlappt.

    Gestapelte Durchkontaktstruktur für Metallsicherungsanwendungen
    8.
    发明专利
    Gestapelte Durchkontaktstruktur für Metallsicherungsanwendungen 未知

    公开(公告)号：DE112012001490T5

    公开(公告)日：2013-12-24

    申请号：DE112012001490

    申请日：2012-03-13

    Applicant: IBM

    Inventor： SIMON ANDREW H ,  CHANDA KAUSHIK ,  GRUNOW STEPHAN ,  LUSTIG NAFTALI E ,  FILIPPI RONALD G ,  BONILLA GRISELDA ,  WANG PING-CHUAN

    IPC: H01L23/62 ,  G01R31/74 ,  H01L21/82

    Abstract: Eine Back-End-Of-The-Line(BEOL)-Sicherungsstruktur, die einen Stapel von Durchkontakten (122, 132) aufweist. Das Stapeln von Durchkontakten (122, 132) führt zu hohen Aspektverhältnissen, was die Überzugsschicht- und Kristallkeimbedeckung im Inneren der Durchkontakte schlechter macht. Die Schwachstellen der Überzugsschicht (124) und der Kristallkeimschichten führt zu einer höheren Wahrscheinlichkeit für einen Elektromigrations(EM)-Ausfall. Die Sicherungsstruktur geht Ausfälle aufgrund einer schlechten Überzugsschicht- und Kristallkeimbedeckung an. Entwurfsmerkmale erlauben eine Bestimmung, ob Ausfälle auftreten, eine Bestimmung des Ausmaßes des geschädigten Bereichs nach einem Programmieren der Sicherung und eine Verhinderung einer weiteren Ausbreitung des geschädigten dielektrischen Bereichs.

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