公开(公告)号：DE102005032979A1

公开(公告)日：2006-02-16

申请号：DE102005032979

申请日：2005-07-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  IBM

Inventor： LEE GILL YONG ,  O'SULLIVAN EUGENE

IPC: H01L27/22 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: Methods of patterning magnetic tunnel junctions (MTJ's) of magnetic memory devices, wherein the second magnetic layer or free layer of a magnetic stack may be patterned using a wet etch technique. A cap layer is formed over the free layer after the free layer is patterned. The cap layer is formed using lift-off techniques. To form the cap layer, resist layers are deposited and patterned, and material layers are deposited over the resist layers. Portions of the material layers are removed when the resist is stripped.

公开(公告)号：GB2485486B

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：GB201119868

申请日：2010-08-05

Applicant: IBM

Inventor： CALLEGARI ALESSANDRO ,  BABICH KATHERINA ,  O'SULLIVAN EUGENE ,  CONNOLLY JOHN

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532

公开(公告)号：DE112010003451T5

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：DE112010003451

申请日：2010-08-05

Applicant: IBM

Inventor： CALLEGARI ALESSANDRO ,  BABICH KATHERINA ,  O'SULLIVAN EUGENE ,  CONNOLLY JOHN

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: Es wird ein Verfahren zum selektiven Züchten einer oder mehrerer Kohlenstoffnanoröhren beschrieben, wobei das Verfahren folgende Schritte beinhaltet: Bilden einer Isolierschicht (10) auf einem Substrat (12), wobei die Isolierschicht eine obere Fläche (14) aufweist; Bilden eines Durchgangskontaktes (18) in der Isolierschicht; Bilden einer aktiven Metallschicht (30) auf der Isolierschicht, die Flächen der Seitenwände und des Bodens des Durchgangskontaktes beinhaltet; und Abtragen der aktiven Metallschicht von Teilen der oberen Fläche mittels eines Ionenstrahls, um das selektive Züchten einer oder mehrerer Kohlenstoffnanoröhren innerhalb des Durchgangskontaktes zu ermöglichen.

公开(公告)号：GB2485486A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：GB201119868

申请日：2010-08-05

Applicant: IBM

Inventor： CALLEGARI ALESSANDRO ,  BABICH KATHERINA ,  O'SULLIVAN EUGENE ,  CONNOLLY JOHN

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: A method of selectively growing one or more carbon nano-tubes includes forming an insulating layer (10) on a Substrate (12), the insulating layer having a top surface (14); forming a via (18) in the insulating layer; forming an active metal layer (30) over the insulating layer, including sidewall and bottom surfaces of the via; and removing the active metal layer at portions of the top surface with an ion beam to enable the selective growth of one or more carbon nano-tubes inside the via.

公开(公告)号：DE112010003451B4

公开(公告)日：2015-01-22

申请号：DE112010003451

申请日：2010-08-05

Applicant: IBM

Inventor： CALLEGARI ALESSANDRO ,  BABICH KATHERINA ,  O'SULLIVAN EUGENE ,  CONNOLLY JOHN

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: Verfahren zum selektiven Züchten von Kohlenstoffnanoröhren (44), das folgende Schritte umfasst: Bilden (100) einer Isolierschicht (10) auf einem Substrat (12), wobei die Isolierschicht (10) eine obere Fläche (14) aufweist; Bilden (102) eines Durchgangskontaktes (18) in der Isolierschicht (10); Bilden (104) einer aktiven Metallschicht (30) auf der Isolierschicht (10); Abtragen der aktiven Metallschicht (30) von Teilen der oberen Fläche (14) mittels eines Ionenstrahls (40), der unter einem flachen Winkel auftrifft, wobei der flache Winkel in einem Bereich von –1 Grad bis –45 Grad liegt, um das Abtragen der aktiven Schicht von einem Bodenteil des Durchgangskontaktes (18) zu verhindern; Zuführen eines kohlenstoffhaltigen Gases zum Durchgangskontakt (18), um eine einzelne Kohlenstoffnanoröhre zu bilden; und Anwenden eines zweiten Ionenstrahls (42) unter einem steilen Winkel zur aktiven Metallschicht (30) innerhalb des Durchgangskontaktes (18), wobei der steile Winkel in einem Bereich von ungefähr –46 Grad bis ungefähr –90 Grad liegt, um das selektive Wachstum einer einzelnen Kohlenstoffnanoröhre (44) innerhalb des Durchgangskontaktes (18) zu ermöglichen.

公开(公告)号：DE102004030860A1

公开(公告)日：2005-02-03

申请号：DE102004030860

申请日：2004-06-25

Applicant: IBM ,  INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BROWN STEPHEN L ,  COSTRINI GREG ,  GAIDIS MICHAEL C ,  FINDEIS FRANK ,  GLASHAUSER WALTER ,  NUETZEL JOACHIM ,  PARK CHANRO ,  O'SULLIVAN EUGENE

IPC: H01L21/4763 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L27/22

Abstract: Encapsulating areas of metallization in a liner material, such as Tantalum, Tantalum Nitride, Silicon Carbide allows aggressive or harsh processing steps to be used. These aggresive processing steps offer the possibility of fabricating new device architectures. In addition, by encapsulating the areas of metallization, metal ion migration and electromigration can be prevented. Further, the encapsulated areas of metallization can serve as a self-aligning etch mask. Thus, vias etched between adjacent areas of metallization allow the area of the substrate allocated to the via to be significantly reduced without increasing the possibility of electrical shorts to the adjacent areas of metallization.

公开(公告)号：DE112017003523B4

公开(公告)日：2025-04-30

申请号：DE112017003523

申请日：2017-06-13

Applicant: IBM

Inventor： DELIGIANNI HARIKLIA ,  O'SULLIVAN EUGENE ,  WANG NAIGANG ,  DORIS BRUCE

IPC: H01F17/00

Abstract: Induktorstruktur (100), die aufweist:einen laminierten Dünnschichtstapel, der abwechselnde Schichten eines magnetischen Materials (112) und eines mehrlagigen isolierenden Materials aufweist, wobei sich das mehrlagige isolierende Material zwischen angrenzenden Schichten (112) des magnetischen Materials befindet und eine erste isolierende Schicht (114A) aufweist, die an zumindest einer zusätzlichen isolierenden Schicht (14B) anliegt, undwobei die erste isolierende Schicht (114A) und die zumindest eine zusätzliche isolierende Schicht (114B) unterschiedliche dielektrische Materialien aufweisen,wobei die erste isolierende Schicht (114A) Siliciumdioxid aufweist und die isolierende Schicht, die an zumindest einer zusätzlichen anliegt, eine isolierende Siliciumnitridschicht aufweist.

公开(公告)号：DE112020002984T5

公开(公告)日：2022-03-03

申请号：DE112020002984

申请日：2020-07-31

Applicant: IBM

Inventor： HASHEMI POUYA ,  DORIS BRUCE ,  O'SULLIVAN EUGENE ,  LOFARO MICHAEL FRANCIS

IPC: H01L43/08 ,  H01L29/41 ,  H01L43/12

Abstract: Es wird eine Speicherstruktur bereitgestellt, die einen hohen Widerstand aufgrund des galvanischen Effekts vermeidet. Der hohe Widerstand wird reduziert und/oder eliminiert, indem eine T-förmige untere Elektrodenstruktur mit einheitlicher Konstruktion (d.h. aus einem einzigen Stück) bereitgestellt wird. Die T-förmige Struktur der unteren Elektrode beinhaltet ein schmales Basisteil und ein breiteres Plattenteil. Der Plattenteil der T-förmigen unteren Elektrodenstruktur hat eine ebene Oberseite, mit der eine MTJ-Säule eine Schnittstelle ausbildet.

公开(公告)号：DE112018000488T5

公开(公告)日：2019-10-31

申请号：DE112018000488

申请日：2018-03-20

Applicant: IBM

Inventor： ZAFAR SUFI ,  O'SULLIVAN EUGENE ,  DORIS BRUCE

IPC: A61B5/053

Abstract: Ausführungsformen der Erfindung betreffen einen Sensor, der eine Sensorschaltung und eine zum Austauschen von Daten mit der Sensorschaltung verbundene Sonde enthält. Die Sonde enthält eine dreidimensionale (3D) Sensorfläche, die mit einem Nachweiselement beschichtet und so beschaffen ist, dass sie zumindest teilweise auf der Grundlage einer Wechselwirkung der 3D-Sensorfläche mit einem vorgegebenen Stoff einen ersten Messwert erzeugt. Gemäß einigen Ausführungsformen ist die 3D-Sensorfläche wie eine Pyramide, ein Kegel oder ein Zylinder geformt, um die Sensorfläche gegenüber einer zweidimensionalen (2D) Sensorfläche zu vergrößern. Gemäß einigen Ausführungsformen ist es der 3D-Sensorfläche möglich, die Wand der biologischen Zelle zu durchdringen.

公开(公告)号：DE112017003523T5

公开(公告)日：2019-04-18

申请号：DE112017003523

申请日：2017-06-13

Applicant: IBM

Inventor： DELIGIANNI HARIKLIA ,  O'SULLIVAN EUGENE ,  WANG NAIGANG ,  DORIS BRUCE

IPC: H01F17/00

Abstract: Eine magnetische Laminierungsstruktur beinhaltet abwechselnde Schichten eines magnetischen Materials (112) und eines mehrlagigen isolierenden Materials, wobei sich das mehrlagige isolierende Material zwischen angrenzenden Schichten des magnetischen Materials befindet und eine erste isolierende Schicht (114A) aufweist, die an zumindest einer zusätzlichen isolierenden Schicht (114B) anliegt, und wobei die erste isolierende Schicht (114A) und die zumindest eine zusätzliche isolierende Schicht (114B) unterschiedliche dielektrische Materialien aufweisen und/oder durch einen unterschiedlichen Abscheidungsprozess ausgebildet werden.