公开(公告)号：DE102016205180A1

公开(公告)日：2016-10-06

申请号：DE102016205180

申请日：2016-03-30

Applicant: IBM

Inventor： FAN SU CHEN ,  KANAKASABAPATHY SIVANANDA K ,  OK INJO ,  YAMASHITA TENKO

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L29/78

Abstract: Es wird eine Technik für eine Transistor-Struktur mit mehreren Schwellenspannungen bereitgestellt. Ein schmaler Kanal und ein langer Kanal werden auf einer Fin gebildet. Auf der Fin wird eine epitaxiale Schicht gebildet, und auf der epitaxialen Schicht wird eine Schicht aus einem Zwischenschicht-Dielektrikum gebildet. Abstandshalter auf der Fin definieren den schmalen Kanal und den langen Kanal. In dem schmalen und dem langen Kanal wird ein dielektrisches Material mit einem hohen k abgeschieden. Eine Metallschicht wird auf dem dielektrischen Material mit einem hohen k in dem schmalen und dem langen Kanal abgeschieden. Eine Höhe des dielektrischen Materials mit einem hohen k in dem schmalen Kanal wird zurückgesetzt. Die Metallschicht wird von dem schmalen und dem langen Kanal entfernt. In dem schmalen und dem langen Kanal wird ein Metall mit einer Austrittsarbeit abgeschieden. Es wird ein Leitungsmetall für ein Gate abgeschieden, um den schmalen Kanal und den langen Kanal zu füllen. Auf der Oberseite der Struktur wird eine Abdeckschicht abgeschieden.

公开(公告)号：DE112020004654T5

公开(公告)日：2022-06-15

申请号：DE112020004654

申请日：2020-10-27

Applicant: IBM

Inventor： KIM YOUNGSEOK ,  OK INJO ,  REZNICEK ALEXANDER ,  SEO SOON-CHEON

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

Abstract: Es wird eine NVM-Einheit mit einer niedrigen Bildungsspannung bereitgestellt, indem ein Paar von leitenden Opfer-Kontaktstellen auf einer Zwischenverbindungsschicht aus einem dielektrischen Material bereitgestellt wird, die ein Paar von zweiten elektrisch leitenden Strukturen und einen strukturierten Materialstapel einbettet. Die eine der leitenden Opfer-Kontaktstellen weist eine erste Fläche auf und befindet sich in Kontakt mit einer oberen Fläche der einen der zweiten elektrisch leitenden Strukturen, die sich in Kontakt mit einer oberen Fläche einer darunterliegenden ersten elektrisch leitenden Struktur befindet, und die andere der leitenden Opfer-Kontaktstellen weist eine zweite Fläche auf, die sich von der ersten Fläche unterscheidet, und befindet sich in Kontakt mit einer Oberfläche der anderen der zweiten elektrisch leitenden Strukturen, die sich in Kontakt mit einer oberen Fläche einer oberen Elektrode des strukturierten Materialstapels befindet. Es wird eine Plasmabehandlung durchgeführt, um einen Antenneneffekt zu induzieren und ein dielektrisches Wechselmaterial des strukturierten Materialstapels in ein leitendes Filament umzuwandeln. Nach der Plasmabehandlung wird das Paar von leitenden Opfer-Kontaktstellen entfernt.

公开(公告)号：DE112021005680B4

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：DE112021005680

申请日：2021-11-18

Applicant: IBM

Inventor： OK INJO ,  BAO RUQIANG ,  SIMON ANDREW HERBERT ,  BREW KEVIN ,  SAULNIER NICOLE ,  SARAF IQBAL RASHID ,  SANKARAPANDIAN MUTHUMANICKAM ,  MEHTA SANJAY

IPC: H10B63/10 ,  H10N70/20

Abstract: Struktur (100); aufweisend:ein Heizelement (116), das von einer dielektrischen Schicht (114) umgeben ist;einen Projektions-Liner (124) auf dem Heizelement, wobei der Projektions-Liner eine obere Oberfläche des Heizelements bedeckt;eine Phasenwechselmaterialschicht (126) über dem Projektions-Liner, wobei der Projektions-Liner die Phasenwechselmaterialschicht von der zweiten dielektrischen Schicht (114) und dem Heizelement trennt;eine obere Elektrode (128) über und in elektrischem Kontakt mit der Phasenwechselmaterialschicht; undeinen oberen Elektrodenkontakt (136), der die obere Elektrode (128) und einen oberen Teil der Phasenwechselmaterialschicht umschließt, wobei der obere Elektrodenkontakt durch einen Metall-Liner (134) von der Phasenwechselmaterialschicht und der oberen Elektrode getrennt wird.

公开(公告)号：DE102016205180B4

公开(公告)日：2019-08-22

申请号：DE102016205180

申请日：2016-03-30

Applicant: IBM

Inventor： FAN SU CHEN ,  KANAKASABAPATHY SIVANANDA K ,  OK INJO ,  YAMASHITA TENKO

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L29/78

Abstract: Verfahren zum Bilden einer Transistor-Struktur mit mehreren Schwellenspannungen, wobei das Verfahren aufweist:Bilden von wenigstens einem schmalen Kanal (205) und wenigstens einem langen Kanal (207) auf einer Finne (12), wobei das Finnen-Material auf einem Substrat (10) abgeschieden wird, wobei Abstandshalter (18) auf der Finne (12) den wenigstens einen schmalen Kanal und den wenigstens einen langen Kanal definieren, wobei eine epitaxiale Schicht (14) auf der Finne (12) gebildet wird, und wobei eine Schicht (16) aus einem Zwischenschicht-Dielektrikum auf der epitaxialen Schicht gebildet wird;Abscheiden eines dielektrischen Materials (20) mit einem hohen k in dem wenigstens einen schmalen Kanal (205) und dem wenigstens einen langen Kanal (207);Abscheiden einer Metallschicht (220) auf dem dielektrischen Material (20) mit einem hohen k in dem wenigstens einen schmalen Kanal (205) und dem wenigstens einen langen Kanal (207);Zurücksetzen einer Höhe des dielektrischen Materials (20) mit einem hohen k in dem wenigstens einen schmalen Kanal (205) nach einem Durchführen eines Schutz-Prozesses, um den wenigstens einen langen Kanal (207) zu schützen;Entfernen der Metallschicht (220) von dem wenigstens einen schmalen Kanal und dem wenigstens einen langen Kanal nach dem Zurücksetzen der Höhe des dielektrischen Materials (20) mit dem hohen k in dem wenigstens einen schmalen Kanal (205);Abscheiden eines Metalls (22) mit einer Austrittsarbeit (220) in dem wenigstens einen schmalen Kanal (205) und dem wenigstens einen langen Kanal (207);Abscheiden eines Leitungsmetalls (24) für ein Gate, um den wenigstens einen schmalen Kanal (205) und den wenigstens einen langen Kanal (207) zu füllen; undAbscheiden einer Abdeckschicht (26) auf einer Oberseite der Abstandshalter (18), der Schicht aus einem Zwischenschicht-Dielektrikum (16), des Metalls (22) mit einer Austrittsarbeit und des Leitungsmetalls (24) für das Gate.