中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

13 records (took 0.022 seconds)

    Siliziumkarbidbauelemente und Verfahren zum Herstellen von Siliziumkarbidbauelementen
    1.
    发明专利
    Siliziumkarbidbauelemente und Verfahren zum Herstellen von Siliziumkarbidbauelementen 未知

    公开(公告)号：DE102017119568A1

    公开(公告)日：2019-02-28

    申请号：DE102017119568

    申请日：2017-08-25

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： RUPP ROLAND ,  KERN RONNY

    IPC: H01L21/30 ,  H01L29/16

    Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines Siliziumkarbidbauelements umfasst ein Bilden einer Siliziumkarbidschicht auf einem Ausgangswafer, ein Bilden einer Dotierungsregion des herzustellenden Siliziumkarbidbauelements in der Siliziumkarbidschicht und ein Bilden einer elektrisch leitfähigen Kontaktstruktur des herzustellenden Siliziumkarbidbauelements auf einer Oberfläche der Siliziumkarbidschicht. Die elektrisch leitfähige Kontaktstruktur kontaktiert die Dotierungsregion elektrisch. Ferner umfasst das Verfahren ein Spalten der Siliziumkarbidschicht oder des Ausgangswafers nach dem Bilden der elektrisch leitfähigen Kontaktstruktur, sodass ein Siliziumkarbidsubstrat zumindest des herzustellenden Siliziumkarbidbauelements abgespalten wird.

    Substratträger, Bearbeitungsanordnung und Verfahren
    2.
    发明专利
    Substratträger, Bearbeitungsanordnung und Verfahren 未知

    公开(公告)号：DE102016118646A1

    公开(公告)日：2017-04-06

    申请号：DE102016118646

    申请日：2016-09-30

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  KERN RONNY ,  RUPP ROLAND ,  UNTERWEGER JOSEF

    IPC: H01L21/683

    Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Substratträger (100a) Folgendes enthalten: einen Substratstützbereich (111) zum Stützen eines Substrats; wobei ein erster Abschnitt (102) des Substratstützbereichs (111) ein Porennetz (113) aus wenigstens teilweise miteinander verbundenen Poren enthält; wobei ein zweiter Abschnitt (104) des Substratstützbereichs (111) den ersten Abschnitt (102) umgibt und ein Dichtungselement (104e) zum Bereitstellen einer Kontaktdichtung enthält; wenigstens eine Evakuierungsöffnung (106) zum Erzeugen eines Unterdrucks in dem Porennetz (113), so dass ein über dem Substratstützbereich (111) aufgenommenes Substrat durch Saugen anhaftet; und wenigstens ein Ventil (108), das konfiguriert ist, eine Verbindung zwischen dem Porennetz (113) und der wenigstens einen Evakuierungsöffnung (106) zu steuern, so dass in dem Porennetz (113) ein Unterdruck aufrechterhalten werden kann, wobei das Porennetz (113) eine erste Poreneigenschaft in einem ersten Bereich (113a) und eine zweite Poreneigenschaft in einem zweiten Bereich (113b), die von der ersten Poreneigenschaft verschieden ist, umfasst.

    Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung
    3.
    发明专利
    Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung 未知

    公开(公告)号：DE102018132447B4

    公开(公告)日：2022-10-13

    申请号：DE102018132447

    申请日：2018-12-17

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BROCKMEIER ANDRE ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  KNABL MICHAEL ,  PICCIN MATTEO ,  DENIFL GÜNTER ,  KERN RONNY

    IPC: H01L21/78 ,  H01L21/56 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L29/78

    Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung (500), wobei das Verfahren aufweist:Vorsehen eines Hilfsträgers (680) und eines Siliziumcarbid-Substrats (700),wobei das Siliziumcarbid-Substrat (700) eine Hilfsschicht (760) und eine Vorrichtungsschicht (750) aufweist,wobei die Vorrichtungsschicht (750) zwischen der Hilfsschicht (760) und einer Hauptoberfläche (701) des Siliziumcarbid-Substrats (700) an einer Vorderseite des Siliziumcarbid-Substrats (700) gelegen ist,wobei die Vorrichtungsschicht (750) eine Vielzahl lateral getrennter Vorrichtungsgebiete (650) aufweist,wobei sich jedes Vorrichtungsgebiet (650) von der Hauptoberfläche (701) zur Hilfsschicht (760) erstreckt, undwobei der Hilfsträger (680) mit dem Siliziumcarbid-Substrat (700) an der Vorderseite strukturell verbunden ist;Entfernen der Hilfsschicht (760);Ausbilden, nach Entfernen der Hilfsschicht (760), einer Ausformungsstruktur (400), die eine gitterförmige Vertiefung (770) füllt, die die Vorrichtungsgebiete (650) lateral trennt;Entfernen des Hilfsträgers (680) nach Ausbilden der Ausformungsstruktur (400); undTrennen der Vorrichtungsgebiete (650), wobei Teile der Ausformungsstruktur (400) Rahmenstrukturen (480) bilden, die die Vorrichtungsgebiete (650) lateral umgeben.

    Substratträger und Bearbeitungsanordnung
    4.
    发明专利
    Substratträger und Bearbeitungsanordnung 未知

    公开(公告)号：DE102016118646B4

    公开(公告)日：2021-12-23

    申请号：DE102016118646

    申请日：2016-09-30

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  KERN RONNY ,  RUPP ROLAND ,  UNTERWEGER JOSEF

    IPC: H01L21/683 ,  B25B11/00

    Abstract: Substratträger (100a), der Folgendes umfasst:einen Substratstützbereich (111) zum Stützen eines Substrats;wobei ein erster Abschnitt (102) des Substratstützbereichs (111) ein Porennetz (113) aus wenigstens teilweise miteinander verbundenen Poren enthält;wobei ein zweiter Abschnitt (104) des Substratstützbereichs (111) den ersten Abschnitt (102) umgibt und ein Dichtungselement (104e) zum Bereitstellen einer Kontaktdichtung enthält;wenigstens eine Evakuierungsöffnung (106) zum Erzeugen eines Unterdrucks in dem Porennetz (113), so dass ein über dem Substratstützbereich (111) aufgenommenes Substrat durch Saugen anhaftet; undwenigstens ein Ventil (108), das konfiguriert ist, eine Verbindung zwischen dem Porennetz (113) und der wenigstens einen Evakuierungsöffnung (106) zu steuern, so dass in dem Porennetz (113) ein Unterdruck aufrechterhalten werden kann;wobei das Porennetz (113) eine erste Poreneigenschaft in einem ersten Bereich (113a) und eine zweite Poreneigenschaft in einem zweiten Bereich (113b), die von der ersten Poreneigenschaft verschieden ist, umfasst;wobei der zweite Bereich (113b) unmittelbar an einer Oberfläche des Substratstützbereichs (111) angeordnet ist und der erste Bereich (113a) unmittelbar an dem wenigstens einen Ventil (108) angeordnet ist.

    Verfahren zum Bilden von Halbleiterbauelementen und Halbleiterbauelemente
    6.
    发明专利
    Verfahren zum Bilden von Halbleiterbauelementen und Halbleiterbauelemente 未知

    公开(公告)号：DE102016116499B4

    公开(公告)日：2022-06-15

    申请号：DE102016116499

    申请日：2016-09-02

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： RUPP ROLAND ,  KOBLINSKI CARSTEN VON ,  KERN RONNY ,  BROCKMEIER ANDRE ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  BREYMESSER ALEXANDER

    IPC: H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/15 ,  H01L23/498

    Abstract: Ein Verfahren (100) zum Bilden von Halbleiterbauelementen, umfassend:Anbringen (10) einer Glasstruktur an einem Halbleiterwafer mit breitem Bandabstand, umfassend eine Mehrzahl von Halbleiterbauelementen;Bilden (20) von zumindest einer Anschlussflächenstruktur, die mit zumindest einer Dotierungsregion eines Halbleitersubstrats des Halbleiterwafers mit breitem Bandabstand elektrisch verbunden ist, durch Bilden von elektrisch leitfähigem Material innerhalb zumindest einer Öffnung, die sich durch die Glasstruktur erstreckt;Anbringen einer weiteren Glasstruktur an einer Rückseite des Halbleiterwafers mit breitem Bandabstand; undBilden von zumindest einer elektrisch leitfähigen Struktur, die mit einer Rückseite des Halbleitersubstrats elektrisch verbunden ist, durch Bilden von elektrisch leitfähigem Material innerhalb zumindest einer Öffnung, die sich durch die weitere Glasstruktur erstreckt,wobei die Halbleiterbauelemente der Mehrzahl von Halbleiterbauelementen jeweils ein Halbleitersubstrat, das Teil eines Halbleitersubstrats des Halbleiterwafers mit breitem Bandabstand ist, und eine Glasteilstruktur der Glasstruktur umfassen, wobei die Glasteilstruktur mit einer vertikalen Oberfläche eines Randes des Halbleitersubstrats in Kontakt ist.

    Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung
    7.
    发明专利
    Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung 未知

    公开(公告)号：DE102018132447A1

    公开(公告)日：2020-06-18

    申请号：DE102018132447

    申请日：2018-12-17

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BROCKMEIER ANDRE ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  KNABL MICHAEL ,  PICCIN MATTEO ,  DENIFL GÜNTER ,  KERN RONNY

    IPC: H01L21/78 ,  H01L21/56 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L29/78

    Abstract: Vorgesehen werden ein Hilfsträger (680) und ein Siliziumcarbid-Substrat (700). Das Siliziumcarbid-Substrat (700) enthält eine Hilfsschicht (760) und eine Vorrichtungsschicht (750) zwischen einer Hauptoberfläche (701) an einer Vorderseite des Siliziumcarbid-Substrats (700) und der Hilfsschicht (760). Die Vorrichtungsschicht (750) enthält eine Vielzahl lateral getrennter Vorrichtungsgebiete (650), wobei sich jedes Vorrichtungsgebiet (650) von der Hauptoberfläche (701) zur Hilfsschicht (760) erstreckt. Der Hilfsträger (680) ist mit dem Siliziumcarbid-Substrat (700) an der Vorderseite strukturell verbunden. Die Hilfsschicht (760) wird entfernt. Eine Ausformungsstruktur (400) wird ausgebildet, die eine gitterförmige Vertiefung (770) füllt, die die Vorrichtungsgebiete (650) lateral trennt. Die Vorrichtungsgebiete (650) werden getrennt, wobei Teile der Ausformungsstruktur (400) Rahmenstrukturen (480) bilden, die die Vorrichtungsgebiete (650) lateral umgeben.

Patent Agency Ranking