公开(公告)号：DE102015120848B4

公开(公告)日：2017-10-26

申请号：DE102015120848

申请日：2015-12-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RUPP ROLAND ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO ,  WELLENZOHN GUENTHER ,  SCHUSTEREDER WERNER ,  KONRATH JENS PETER ,  SCHÄFFER CARSTEN

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324

Abstract: Verfahren, das aufweist: Herstellen einer Metallschicht (200) auf einer ersten Oberfläche (101) eines Halbleiterkörpers (100), der SiC aufweist; Bestrahlen der Metallschicht (200) mit Partikeln, um Metallatome aus der Metallschicht (200) in den Halbleiterkörper (100) zu bewegen, um in dem Halbleiterkörper (100) ein Metallatome enthaltendes Gebiet (21) zu bilden; und Ausheilen des Halbleiterkörpers (100), wobei das Ausheilen das Aufheizen wenigstens des Metallatome enthaltenden Gebiets (21) auf eine Temperatur von weniger als 500 °C aufweist.

公开(公告)号：DE102018116051A1

公开(公告)日：2020-01-09

申请号：DE102018116051

申请日：2018-07-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHÄFFER CARSTEN ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  BREYMESSER ALEXANDER ,  KERN RONNY ,  RUPP ROLAND ,  GOLLER BERNHARD ,  PICCIN MATTEO

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/265 ,  H01L21/268 ,  H01L21/301 ,  H01L21/302 ,  H01L21/60 ,  H01L23/492

Abstract: Gemäß einer Ausführungsform eines hierin beschriebenen Verfahrens wird ein Siliziumcarbidsubstrat (700) geschaffen, das eine Vielzahl von Vorrichtungsgebieten (650) enthält. Eine vorderseitige Metallisierung (610) kann an einer Vorderseite des Siliziumcarbidsubstrats (700) vorgesehen werden. Das Verfahren kann ferner ein Vorsehen einer Hilfsstruktur (800) an einer Rückseite des Siliziumcarbidsubstrats (700) umfassen. Die Hilfsstruktur (800) enthält eine Vielzahl lateral getrennter Metallbereiche (810). Jeder Metallbereich (810) ist mit einem der Vorrichtungsgebiete (650) in Kontakt.

公开(公告)号：DE102016124207A1

公开(公告)日：2018-06-14

申请号：DE102016124207

申请日：2016-12-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHÄFFER CARSTEN ,  MOSER ANDREAS ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  RUPP ROLAND ,  KÜNLE MATTHIAS ,  DAINESE MATTEO

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung umfasst ein Ausbilden eines vergrabenen Isolierungsgebiets innerhalb eines Substrats, indem das Substrat unter Verwendung von Ätz- und Abscheidungsprozessen bearbeitet wird. Über dem vergrabenen Isolierungsgebiet wird an einer ersten Seite des Substrats eine Halbleiterschicht gebildet. Vorrichtungsgebiete werden in der Halbleiterschicht geschaffen. Das Substrat wird von einer zweiten Seite des Substrats aus abgedünnt, um das vergrabene Isolierungsgebiet freizulegen. Das vergrabene Isolierungsgebiet wird selektiv entfernt, um eine untere Oberfläche des Substrats freizulegen. Unter der unteren Oberfläche des Substrats wird ein leitfähiges Gebiet ausgebildet.

公开(公告)号：DE102016104788A1

公开(公告)日：2017-09-21

申请号：DE102016104788

申请日：2016-03-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： JOSHI RAVI KESHAV ,  ROTH ROMAN ,  SCHULZE HOLGER ,  HILLE FRANK ,  LASKA THOMAS ,  UMBACH FRANK ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SCHÄFFER CARSTEN ,  MÜLLER MATTHIAS ,  FUGGER MICHAEL ,  STEINBRENNER JÜRGEN ,  HUMBEL OLIVER

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52

Abstract: Ein Ausführungsbeispiel einer Halbleitervorrichtung umfasst eine Metallstruktur, die elektrisch mit einem Halbleiterkörper verbunden ist. Eine Metalladhäsions- und Barrierestruktur ist zwischen der Metallstruktur und dem Halbleiterkörper. Die Metalladhäsions- und Barrierestruktur umfasst eine Schicht, die Titan und Wolfram aufweist, und eine Schicht, die Titan, Wolfram und Stickstoff aufweist, auf der Schicht, die Titan und Wolfram aufweist.

公开(公告)号：DE102014119278A1

公开(公告)日：2015-06-25

申请号：DE102014119278

申请日：2014-12-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PFIRSCH FRANK ,  WERBER DOROTHEA ,  SCHÄFFER CARSTEN

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/167 ,  H01L29/43

Abstract: Ein Halbleiterbauelement umfasst eine erste Dotierungsregion, die sich von einer Hauptoberfläche eines Halbleitersubstrats in das Halbleitersubstrat erstreckt. Ferner umfasst das Halbleiterbauelement eine zweite Dotierungsregion, die benachbart zu der ersten Dotierungsregion angeordnet ist. Die erste Dotierungsregion umfasst zumindest einen Abschnitt mit niedriger Dotierungsdosis, der sich von der Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats zu der zweiten Dotierungsregion erstreckt. Eine Dotierungsdosis innerhalb des Abschnitts mit niedriger Dotierungsdosis der ersten Dotierungsregion ist weniger als drei Mal eine Durchbruchladung. Zusätzlich dazu umfasst das Halbleiterbauelement eine erste Elektrodenstruktur in Kontakt mit der ersten Dotierungsregion an der Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats. Die Arbeitsfunktion der ersten Elektrodenstruktur an der Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats ist größer als 4,9eV oder kleiner als 4,4eV.

公开(公告)号：DE102014115174A1

公开(公告)日：2015-04-30

申请号：DE102014115174

申请日：2014-10-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HUMBEL OLIVER ,  KOPROWSKI ANGELIKA ,  PLAPPERT MATHIAS ,  SCHÄFFER CARSTEN

IPC: H01L29/43 ,  H01L21/283 ,  H01L21/765 ,  H01L29/06

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung weist ein Halbleitersubstrat (100) mit einer ersten Seite (101), einer der ersten Seite (101) gegenüberliegenden zweiten Seite (102), einem aktiven Bereich (103), einem Außenrand (119) und einem Randabschlussbereich (104), der zwischen dem Außenrand (119) und dem aktiven Bereich (103) angeordnet ist, auf. Eine Metallisierungsstruktur (131, 132) ist auf der ersten Seite (101) des Halbleitersubstrats (100) angeordnet und umfasst wenigstens eine erste Metallschicht (131) aus einem ersten metallischen Material und eine zweite Metallschicht (132) aus einem zweiten metallischen Material, wobei das erste metallische Material elektrochemisch stabiler ist als das zweite metallische Material. Die erste Metallschicht (131) erstreckt sich lateral weiter zum Außenrand (119) als die zweite Metallschicht (132).

公开(公告)号：DE102014115174B4

公开(公告)日：2022-11-24

申请号：DE102014115174

申请日：2014-10-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HUMBEL OLIVER ,  KOPROWSKI ANGELIKA ,  PLAPPERT MATHIAS ,  SCHÄFFER CARSTEN

IPC: H01L29/43 ,  H01L21/283 ,  H01L21/765 ,  H01L29/06

Abstract: Halbleitervorrichtung, aufweisend:ein Halbleitersubstrat (100) mit einer ersten Seite (101), einer der ersten Seite (101) gegenüberliegenden zweiten Seite (102), einem aktiven Bereich (103), einem Außenrand (119) und einem Randabschlussbereich (104), der zwischen dem Außenrand (119) und dem aktiven Bereich (103) angeordnet ist, undeine Metallisierungsstruktur (131, 132), die auf der ersten Seite (101) des Halbleitersubstrats (100) angeordnet ist und wenigstens eine erste Metallschicht (131) aus einem ersten metallischen Material und eine zweite Metallschicht (132) aus einem zweiten metallischen Material aufweist, wobei das erste metallische Material elektrochemisch stabiler ist als das zweite metallische Material,eine Isolierschicht (121), die im Randabschlussbereich (104) zwischen der ersten Seite (101) des Halbleitersubstrats (100) und der ersten Metallschicht (131) angeordnet ist,wobei sich die erste Metallschicht (131) lateral weiter zum Außenrand (119) erstreckt als die zweite Metallschicht (132),wobei das erste metallische Material aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus TiW, Ti/TiN, WN, W, Ta/TaN, WTiN, Siliciden, wie WSi2, CoSi, TiSi und Kombinationen davon, besteht.

公开(公告)号：DE102021118992A1

公开(公告)日：2022-02-24

申请号：DE102021118992

申请日：2021-07-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： NAPETSCHNIG EVELYN ,  ERBERT CHRISTOFFER ,  RUPP THOMAS ,  SCHÄFFER CARSTEN ,  HIRSCHLER JOACHIM ,  BRANDENBURG JENS ,  ZISCHANG JULIA ,  HUMBEL OLIVER

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60

Abstract: Vorgeschlagen wird eine Halbleitervorrichtung (100). Die Halbleitervorrichtung (100) enthält eine Verdrahtungs-Metallschichtstruktur (102). Die Halbleitervorrichtung (100) enthält ferner eine direkt auf der Verdrahtungs-Metallschichtstruktur (102) angeordnete Dielektrikumsschichtstruktur (104). Die Halbleitervorrichtung (100) enthält überdies eine zumindest teilweise direkt auf der Dielektrikumsschichtstruktur (104) angeordnete Bondingpad-Metallschichtstruktur (106). Eine Schichtdicke (td) der Dielektrikumsschichtstruktur (104) reicht von 1% bis 30% einer Schichtdicke (tw) der Verdrahtungs-Metallschichtstruktur (102). Die Verdrahtungs-Metallschichtstruktur (102) und die Bondingpad-Metallschichtstruktur (106) sind durch Öffnungen (108) in der Dielektrikumsschichtstruktur (104) elektrisch verbunden.

公开(公告)号：DE102016104788B4

公开(公告)日：2019-06-19

申请号：DE102016104788

申请日：2016-03-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： JOSHI RAVI KESHAV ,  ROTH ROMAN ,  SCHULZE HOLGER ,  HILLE FRANK ,  LASKA THOMAS ,  UMBACH FRANK ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SCHÄFFER CARSTEN ,  MÜLLER MATTHIAS ,  FUGGER MICHAEL ,  STEINBRENNER JÜRGEN ,  HUMBEL OLIVER

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52

Abstract: Halbleitervorrichtung (100, 200, 300), die aufweist:eine Metallstruktur (105, 205, 305), die elektrisch mit einem Halbleiterkörper (106, 206, 306) verbunden ist,eine Metalladhäsions- und Barrierestruktur (107, 207, 307) zwischen der Metallstruktur (105, 205, 305) und dem Halbleiterkörper (106, 206, 306), wobei die Metalladhäsions- und Barrierestruktur (107, 207, 307) eine Schicht, die Titan und Wolfram aufweist, und auf der Schicht, die Titan und Wolfram aufweist, eine Schicht, die Titan, Wolfram und Stickstoff aufweist, umfasst, sowie eine Wolframschicht auf der Titan, Wolfram und Stickstoff aufweisenden Schicht.

公开(公告)号：DE102014119278B4

公开(公告)日：2019-01-24

申请号：DE102014119278

申请日：2014-12-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHÄFFER CARSTEN ,  PFIRSCH FRANK ,  WERBER DOROTHEA

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/167 ,  H01L29/43

Abstract: Ein Halbleiterbauelement (1300; 1400), umfassend:eine erste Dotierungsregion (1310), die sich von einer Hauptoberfläche eines Halbleitersubstrats in das Halbleitersubstrat erstreckt, wobei die erste Dotierungsregion (1310) einen ersten Leitfähigkeitstyp aufweist;eine zweite Dotierungsregion (1320), die benachbart zu der ersten Dotierungsregion (1310) angeordnet ist, wobei die zweite Dotierungsregion (1320) einen zweiten Leitfähigkeitstyp aufweist, wobei die erste Dotierungsregion (1310) zumindest einen Abschnitt einer niedrigen Dotierungsdosis aufweist, der sich von der Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats zu der zweiten Dotierungsregion (1320) erstreckt, wobei eine Dotierungsdosis innerhalb des Abschnitts einer niedrigen Dotierungsdosis der ersten Dotierungsregion (1310) niedriger ist als drei Mal eine Durchbruchladung;eine erste Elektrodenstruktur (1330) in Kontakt mit der ersten Dotierungsregion (1310) an der Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats, wobei die Austrittsarbeit der ersten Elektrodenstruktur (1330) an der Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats größer ist als 4,9eV oder niedriger ist als 4,4eV; undeine zweite Elektrodenstruktur (1340) in Kontakt mit der zweiten Dotierungsregion (1320).