公开(公告)号：CN108696811A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810307956.4

申请日：2018-04-08

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·施泰尔特 ,  H·托伊斯

IPC: H04R19/00 ,  H04R31/00

CPC classification number: H04R31/003 ,  B81B7/0061 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2207/012 ,  B81C1/00238 ,  B81C1/00309 ,  B81C2201/013 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/0792 ,  H04R1/04 ,  H04R7/06 ,  H04R19/02 ,  H04R19/04 ,  H04R2201/003 ,  H04R19/00 ,  H04R31/00 ,  H04R2231/00

Abstract: 本公开涉及一种MEMS声学换能器元件(100)以及一种用于制造这样的MEMS声学换能器元件(100)的方法，其中，所述方法还包括提供第一衬底(200)，其中所述第一衬底(200)具有第一衬底侧(201)、对置的第二衬底侧(202)和布置在所述第一衬底侧(201)上的膜层(203)。另外的方法步骤包括：从所述第二衬底侧(202)起，在对置于所述膜层(203)的第一面部段(221)中实施第一蚀刻，直到第一深度(d1)，另外的方法步骤包括：从所述第二衬底侧(202)起，在大于所述第一面部段(221)并且包括所述第一面部段(221)的第二面部段(222)中实施第二蚀刻，以便在所述第一面部段(221)中暴露所述膜层(203)并且为所述膜层(203)产生背部容积。

公开(公告)号：CN106865490A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201610562510.7

申请日：2016-07-15

Applicant: 现代自动车株式会社

Inventor： 俞一善

IPC: B81C3/00

CPC classification number: B81C1/00269 ,  B81B7/007 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2203/04 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0159 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/031 ,  B81C2203/035 ,  B81C2203/036 ,  B81C3/001 ,  B81C2203/032

Abstract: 本发明涉及微机电系统传感器的制造方法。一种MEMS传感器的制造方法包括：形成第一基板，其中，第一基板包括设置在其一个表面处的下部电极；形成第二基板，其中，第二基板包括设置在其一个表面处的第一凹凸部分；第一粘结步骤，将第一基板的一个表面与第二基板的一个表面粘结以面对彼此；形成第三基板，其中，第三基板包括设置在其一个表面处的上部电极；第二粘结步骤，将第二基板的另一表面与第三基板的一个表面粘结以面对彼此；以及第三基板的另一表面上形成电极线以连接至下部电极和上部电极。

公开(公告)号：CN102906008B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201180025545.2

申请日：2011-06-15

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： A.斯坦珀 ,  C.V.扬斯

IPC: B81B3/00

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/01 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00365 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00619 ,  B81C1/00626 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/017 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0172 ,  G06F17/5068 ,  G06F17/5072 ,  H01H1/0036 ,  H01H57/00 ,  H01H59/0009 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/1136 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/937 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49105 ,  Y10T29/49121 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/5313 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种形成微机电系统（MEMS）的方法包括在MEMS的腔体内的第一绝缘体层上形成下电极。该方法还包括在下电极的顶部上的另一绝缘材料之上形成上电极，上电极与下电极至少部分地接触。下电极和上电极的形成包括调整下电极和上电极的金属体积以修改梁弯曲。

公开(公告)号：CN104296799A

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201410601932.1

申请日：2014-10-30

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 季春燕 ,  杨添

IPC: G01D21/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B3/0021 ,  B81B2203/0109 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00142 ,  B81C1/00158 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0176 ,  B81C2201/0181 ,  C23C14/0605 ,  C23C14/0617 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  F24S25/30 ,  F24S25/636 ,  F24S2025/016 ,  F24S2025/801 ,  F24S2025/807 ,  G01F1/56 ,  G01J1/42 ,  H02S20/00 ,  Y02E10/47 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明涉及传感器制造技术领域，公开了一种微型传感器本体及其制造方法，包括以下步骤：S1：在基板上涂布湿润胶体材料形成胶体层，在胶体层的表面覆盖一层一维纳米线膜，形成传感器胚体；S2：干燥传感器胚体的胶体层，使胶体层开裂形成多个胶体岛，一维纳米线膜一部分收缩形成粘附在胶体岛表面的收缩膜片，另一部分拉伸形成连接在相邻收缩膜片之间的连接结构。本发明的传感器本体中，收缩膜片与连接结构由一维纳米线膜抻拉而成，两者连接稳定性好，提高传感器件的稳定性；使用裂化的方法，容易获得大规模稳定悬浮的连接结构阵列传感器本体。本发明还提供一种传感器。

公开(公告)号：CN102906010A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201180025550.3

申请日：2011-06-08

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： R.T.赫林 ,  C.V.扬斯 ,  A.K.斯坦珀 ,  E.J.怀特

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  H01H59/00

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/01 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00365 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00619 ,  B81C1/00626 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/017 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0172 ,  G06F17/5068 ,  G06F17/5072 ,  H01H1/0036 ,  H01H57/00 ,  H01H59/0009 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/1136 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/937 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49105 ,  Y10T29/49121 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/5313 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种形成至少一个微机电系统（MEMS）腔体（60b）的方法包括：在布线层（14）和衬底（10）上方形成第一牺牲腔体层（18）。该方法还包括在第一牺牲腔体层上方形成绝缘体层（40）。该方法还包括在绝缘体层上执行反向镶嵌回蚀刻工艺。该方法还包括平坦化绝缘体层和第一牺牲腔体层。该方法还包括将第一牺牲腔体层排放或剥离为MEMS的第一腔体（60b）的平面表面。

公开(公告)号：CN102295265A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN201110174587.4

申请日：2011-06-24

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 安东尼.K.斯坦珀 ,  约翰.G.通布利

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  B81C99/00

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/01 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00365 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00619 ,  B81C1/00626 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/017 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0172 ,  G06F17/5068 ,  G06F17/5072 ,  H01H1/0036 ,  H01H57/00 ,  H01H59/0009 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/1136 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/937 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49105 ,  Y10T29/49121 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/5313 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开一种平面腔体微机电系统及相关结构、制造和设计结构的方法。一种形成至少一个微机电系统(MEMS)的方法包括图案化布线层以形成至少一个固定板，以及在该布线层上形成牺牲材料。该方法还包括在至少一个固定板上和下方衬底的暴露部分上形成一个或多个膜的绝缘层以防止形成该布线层和牺牲材料之间的反应产物。该方法还包括在至少一个固定板上形成可移动的至少一个MEMS梁。该方法还包括排出或剥去该牺牲材料以形成至少第一腔体。

公开(公告)号：CN108751122A

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201810471981.6

申请日：2018-05-17

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李铁 ,  王辉

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  H05B3/20

CPC classification number: B81C1/00468 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00523 ,  B81C2201/013 ,  H05B3/20

Abstract: 本发明提供一种三维微型加热器及制备方法，制备包括：提供半导体衬底，形成具有平台腐蚀窗口牺牲层；腐蚀半导体衬形成若干个下沉平台结构；形成定义有加热膜区、支撑梁区及电极区的介质薄膜，加热膜区经支撑梁区与电极区连接；制备加热电阻丝、连接引线、电极、电极引线；于介质薄膜上形成薄膜释放窗口；腐蚀半导体衬底形成隔热腔体，以释放出加热膜区及支撑梁区。通过上述方案，本发明的三维加热器具有凹槽形下沉平台结构加热膜区阵列，加热电阻丝排布在下沉平台阵列内部，加热膜区结构稳定、功耗低，加热电阻丝加热分布均匀，具有大的气体接触面积和气体流通速度；在不同下沉平台结构上设置不同形状及布局的加热电阻丝，实现加热膜区热量调整。

公开(公告)号：CN106946210A

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201611022323.6

申请日：2016-11-11

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A.德赫 ,  C.格拉策

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H04R19/04

CPC classification number: H04R19/04 ,  B81B3/0008 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/00158 ,  B81C2201/013 ,  H04R3/00 ,  H04R7/122 ,  H04R19/005 ,  H04R31/00 ,  H04R31/003 ,  H04R2207/00 ,  B81B3/0027 ,  B81C1/00182 ,  B81C1/0038

Abstract: 本发明涉及用于垂直电极换能器的系统和方法。根据实施例，一种操作具有薄膜的微机电系统(MEMS)换能器的方法包括：使用第一对静电驱动电极在薄膜的平面外偏转和第一对静电驱动电极上的电压之间转化。第一对静电驱动电极被形成在薄膜上，沿平面外方向延伸并且在第一对静电驱动电极之间形成可变电容。

公开(公告)号：CN104418289B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410423786.8

申请日：2014-08-26

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： S.巴尔岑 ,  A.德赫

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: H04R31/003 ,  B81B3/0021 ,  B81B3/0086 ,  B81B2201/0221 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/00158 ,  B81C2201/013 ,  H04R1/08 ,  H04R19/005 ,  H04R31/006 ,  H04R2201/003

Abstract: 公开了一种MEMS器件，包括背板电极以及被部署为与所述背板电极间隔开的隔膜。所述隔膜包括可移位部分和固定部分。布置所述背板电极和所述隔膜，以使得所述隔膜的所述固定部分与所述背板电极的重叠区域小于最大重叠。

公开(公告)号：CN106241729A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201610409113.6

申请日：2016-06-12

Applicant: 因文森斯公司

Inventor： 李大成 ,  辛宗祐 ,  J·I·辛 ,  P·斯迈伊丝

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00301 ,  B81C2201/013 ,  B81C2203/036 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/5226 ,  B81C1/00261

Abstract: 本发明涉及一种包括接触层的CMOS-MEMS集成装置及制造方法，其是一种用于形成MEMS装置的方法。该MEMS装置包括MEMS衬底及底座衬底。该MEMS衬底包括操作层、装置层及介于之间的绝缘层。本方法包括下列循序步骤：在该装置层上提供隔绝体；穿过该装置层及该绝缘层蚀刻贯孔；在该贯孔内提供接触层，其中该接触层在该装置层与该操作层之间提供电连接；在该隔绝体上提供黏合层；以及将该黏合层黏合至该底座衬底上的接垫。