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公开(公告)号：CN109285739A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201710636142.0
申请日：2017-07-19
Applicant: 刘梅
Inventor： 刘梅
Abstract: 该发明属于可集成电真空辐射源器件配套用冷阴极电子枪，包括：电子枪壳体及其底座，上、下电极板及设有与冷阴极的个数相同通孔的微波输入层，微波输入层中各通孔分别与上、下电极板一并组成相应个数的互作用腔，各冷阴极分别嵌于相应互作用腔底部的下电极板上，在正对每个互作用腔的上电极板区域内均开设了一组各孔尺寸都小于微波波长的阵列式电子注输出孔。该发明具有注波互作用空间小，可按要求馈入不同频率的微波来调制多个冷阴极发射电流、以产生不同调制频率及强度的多个电子注，而且每个电子注微波调制相位可控，可为集成微型电真空辐射源器件提供多个电子注源，且输出功率大，有效扩大了应用范围等特点。
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公开(公告)号：CN107665798A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201610612228.5
申请日：2016-07-28
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种大面积均匀面电子源，它包括紫外光源，光刻钢网，紫外光源外壳，第一金阴极夹具组件，第一MCP夹具组件，第二金阴极夹具组件，金阴极，MCP，第二MCP夹具组件，第三MCP夹具组件，MCP夹具与金阴极夹具连接件。本发明的面电子源采用金阴极作为光电转换部件，使用微通道板作为金阴极出射电子的电子倍增部件，使用紫外光源以及光刻钢网的组合为金阴极提供均匀光照，通过调节微通道板的板压来调节输出面电流的电流密度大小。这种结构的面电子源使我们可以得到均匀的面电流。
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公开(公告)号：CN107210174A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201680007531.0
申请日：2016-01-18
Applicant: 西门子公司
CPC classification number: H01J1/304 , H01J3/021 , H01J9/025 , H01J31/08 , H01J35/065 , H01J35/10 , H01J35/14
Abstract: 本发明涉及一种用于在外磁场（50）中产生X射线辐射的设备，外磁场可以通过磁场装置产生。该设备（1）包括用于产生电子束（30）的阴极（10）以及用于使电子束（30）的电子减速并且用于产生X射线束（50）的阳极（20）。该设备（1）此外包括用于产生电场的装置，所述电场由阳极（20）朝阴极（10）的方向指向并且与外磁场（50）基本上共线，其中阴极（10）包括冷阴极作为电子发射体（12），所述冷阴极无源地借助场致发射提供自由电子。
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公开(公告)号：CN105448624B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201410327704.X
申请日：2014-07-10
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J9/02
CPC classification number: H01J9/025 , H01J1/304 , H01J3/021 , H01J2201/30469 , H01J2203/0268 , H01J2203/0272 , H01J2203/028 , H01J2203/0284 , H01J2203/0288 , Y10S977/742
Abstract: 一种场发射阴极的制备方法，该方法包括以下步骤：提供一微通道板，该微通道板具有多个开孔；提供一碳纳米管浆料，将所述碳纳米管浆料填充于所述微通道板的多个开孔内，部分碳纳米管浆料粘附于所述微通道板的开孔内壁；加热填充碳纳米管浆料的微通道板，使得所述碳纳米管浆料中的有机载体挥发，得到一场发射阴极。
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公开(公告)号：CN106960773A
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201710271213.1
申请日：2017-04-24
Applicant: 深圳先进技术研究院
Abstract: 本发明涉及场致电子发射领域。为了解决场发射阴极测试与老化过程中电流发射稳定性等问题，本发明提供了一种场发射电子源装置，其包括二极式场发射电子源、真空腔、真空泵机组、高压电源、高压脉冲驱动单元、真空环境监测单元和控制平台。二极式场发射电子源设置于真空腔内，并且，高压电源和高压脉冲单元经真空腔法兰分别连接至二极式场发射电子源的阳极与阴极。控制平台经通讯线缆分别连接至高压电源、真空环境监测单元以及高压脉冲驱动单元。本发明通过对场发射电压进行反馈补偿，从而实现发射电流的稳定控制，具有较强的实用性。本发明还提供了一种利用该装置控制场发射阴极测试与老化过程中电流稳定性的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106816349A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201710012788.1
申请日：2017-01-09
Applicant: 中国科学院物理研究所
IPC: H01J3/02
Abstract: 本发明提供一种光阴极超快电子枪，其中，所述阴极为轴对称结构，包括第一圆柱形侧面、圆形底面以及连接所述第一圆柱形侧面和所述圆形底面的第一连接面，所述圆形底面的中心具有通光孔，以及所述圆形底面的外侧具有用于容纳金属膜的圆形凹槽，所述阳极为轴对称结构，包括圆形顶面、第二圆柱形侧面、圆环形底面、以及连接所述圆形顶面和所述第二圆柱形侧面的第二连接面，所述圆环形底面从所述第二圆柱形侧面的下边缘径向向外延伸，所述圆形顶面中心具有通孔，所述第一连接面具有圆形倒角，以及所述第二连接面具有椭圆形倒角。
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公开(公告)号：CN106158552A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201610670248.8
申请日：2016-08-15
Applicant: 北京英徽科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种碳纳米管阵列与吸光材料复合的场发射电子源，所述电子源包括激发光源和电极，所述电极包括导电基体以及由碳纳米管组成的阵列，碳纳米管阵列生长在所述导电基体上；在所述碳纳米管上生长用于吸收光子产生的能量活电子的吸光材料，所述吸光材料将所述碳纳米管固定于所述导电基体上。本发明场发射电子源利用连续激光或者超快激光照射碳纳米管诱导发射电流，降低了电流发射开启电压，提高了工作效率。
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公开(公告)号：CN105374654A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201410419359.2
申请日：2014-08-25
Applicant: 同方威视技术股份有限公司
CPC classification number: H01J35/065 , H01J3/021 , H01J35/14 , H01J2203/022 , H01J2203/0224 , H01J2203/0236 , H01J2235/062 , H01J2235/068 , H05G1/52
Abstract: 本发明涉及一种电子源和使用了该电子源的X射线源。本发明的电子源具有至少两个电子发射区域，每个所述电子发射区域包含多个微型电子发射单元，所述微型电子发射单元包括：基极层、位于所述基极层上的绝缘层、位于所述绝缘层上的栅极层、位于所述栅极层上的开口、以及固定于所述基极层上与所述开口位置对应的电子发射体，同一个所述电子发射区域内的各所述微型电子发射单元之间具有电连接，同时发射电子或者同时不发射电子，不同的所述电子发射区域之间具有电隔离。
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公开(公告)号：CN105244246A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201410327705.4
申请日：2014-07-10
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J1/304 , H01J3/021 , H01J9/025 , H01J2201/30469 , H01J2203/0268 , H01J2203/0272 , H01J2203/028 , H01J2203/0284 , H01J2203/0288
Abstract: 一种场发射阴极，包括：微通道板，该微通道板导电且具有多个开孔，该微通道板具有一第一表面以及一与该第一表面相对的第二表面，每个所述开孔贯穿所述第一表面和第二表面；以及阴极发射体；其特征在于，每个所述开孔内设置有多个所述阴极发射体，该多个阴极发射体相互连接并固定于所述开孔内壁与所述微通道板电连接，该多个阴极发射体包括多个碳纳米管，至少部分碳纳米管的一端悬空设置作为场发射端。
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公开(公告)号：CN101840822B
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN201010145409.4
申请日：2010-03-19
Applicant: 双叶电子工业株式会社
CPC classification number: H01J9/025 , H01J3/021 , H01J29/04 , H01J31/127 , H01J2203/022 , H01J2329/4617
Abstract: 本发明提供一种冷阴极电子源的制造方法及冷阴极电子源，提供能以简单的步骤对某种程度的面积以一次进行加工的冷阴极电子源的制造方法。本发明的冷阴极电子源的制造方法为在衬底(1)上重叠阴极电极(2)、绝缘层(4)及栅极电极(5)，以溶剂溶解不会相溶的聚合物A、B并使其被覆在栅极电极的表面。使溶剂蒸发而将聚合物A以微粒子状析出在聚合物B中并予以固定化，再以显影液去除聚合物A而形成蚀刻孔洞(9)，并进行蚀刻而在栅极电极形成孔洞(6)。并且，从孔洞(6)进行蚀刻而在绝缘层也形成孔洞，在孔洞内形成射极而作成冷阴极电子源(10)。
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