公开(公告)号：CN108573843A

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201810187130.9

申请日：2018-03-07

Applicant: 住友重机械离子科技株式会社

Inventor： 川口宏 ,  石田勇二

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/32559 ,  C23C14/48 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/32366 ,  H01J2237/038 ,  H01J37/08 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/31701

Abstract: 本发明提供一种能够抑制因污染粒子的堆积而引起的绝缘性能下降的绝缘结构。在将设置于离子注入装置的真空区域内部的电极与其他部件绝缘并支承该电极的绝缘结构中，第1绝缘部件(32)支承电极。第2绝缘部件(34)为了减少污染粒子(18)向第1绝缘部件(32)的附着而嵌合于第1绝缘部件(32)。第2绝缘部件(34)由硬度比第1绝缘部件(32)低的材料形成。第2绝缘部件(34)的外表面的维氏硬度为5GPa以下。第2绝缘部件(34)的弯曲强度为100MPa以下。第2绝缘部件(34)由包含氮化硼、多孔陶瓷及树脂中的至少一种的材料形成。

公开(公告)号：CN105453225B

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201480025344.6

申请日：2014-03-03

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： O·比尔 ,  J·D·斯威尼 ,  唐瀛 ,  R·S·雷

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01J37/3171 ,  C23C14/48 ,  H01J37/08 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/08 ,  H01L21/2225

Abstract: 描述了用于掺杂物的注入的离子注入组合物、系统和方法。描述了具体的硒掺杂源组合物，以及并流气体用以实现在注入系统特征方面的优势的用途，所述注入系统特征为例如方法转变、束稳定性、源寿命、束均匀性、束流和购置成本。

公开(公告)号：CN105185683B

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201410371581.X

申请日：2014-07-31

Applicant: 汉辰科技股份有限公司

Inventor： Z·M·万 ,  R·帕马纳布汗 ,  白晓 ,  G·N·蔡 ,  李静宜 ,  林哲平 ,  胡邵喻 ,  D·侯格路德 ,  R·E·凯姆 ,  K·沙丹特曼德

IPC: H01J37/36 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/024 ,  H01J2237/0835 ,  H01J2237/303 ,  H01J2237/30477

Abstract: 在用于工件的较低剂量离子注入的示例性工艺中,可以利用离子源和提取操纵器来产生离子束。提取操纵器可定位成与所述离子源的出口孔相距间隙距离。当所述提取操纵器定位成与所述出口孔相距最优间隙距离时,可使退出离子操纵器的离子束的电流最大。提取操纵器定位成与出口孔相距的间隙距离可与所述最优间隙距离相差至少百分之十。可对第组电极施加第电位。在离子束穿过第组电极时,离子束的x维度可增加。工件可定位在离子束中以将离子注入工件。

公开(公告)号：CN108231514A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711244023.7

申请日：2017-11-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林琮闵 ,  简芳记 ,  周宏昕 ,  石兆立 ,  李明星

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/08

CPC classification number: H01J37/32678 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/32651 ,  H01J2237/3365 ,  H01L21/265 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/08

Abstract: 一种离子植入机包括离解腔室，所述离解腔室位于所述离子植入机中。所述离解腔室具有用于接收气体的输入口及用于输出离子的输出口。真空腔室环绕所述离解腔室。多个磁性材料棒或板在所述离解腔室的至少两个侧上与所述离解腔室相邻。磁体磁性耦合至所述多个磁性材料棒或板。微波源被提供用于向所述离解腔室供应微波，以在所述离解腔室中引起电子回旋共振来将所述气体电离。本发明实施例的离子植入机可提高离子植入机的寿命及降低离子植入机的维护成本。

公开(公告)号：CN108020449A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201710934117.0

申请日：2017-10-10

Applicant: FEI 公司

Inventor： G.德尔皮 ,  G.奥多伊特 ,  L.F.T.克瓦克曼 ,  C.鲁伊

IPC: G01N1/28

CPC classification number: G01N1/286 ,  G01N1/06 ,  G01N1/28 ,  H01J37/08 ,  H01J37/147 ,  H01J37/3056 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/3114 ,  H01J2237/31745 ,  G01N2001/2866

Abstract: 本申请涉及具有改进的速度、自动化和可靠性的断层摄影术样品制备系统和方法，具体公开了使用等离子体FIB上的创新研磨策略来创建用于x射线断层摄影术或其它断层摄影术扫描的样品柱。在方法、系统和可执行以执行本文中的策略的程序产品中提供该策略。研磨策略创建样品柱周围的不对称熔坑，并且提供单次切割切出过程。各种实施例可以包括根据像素坐标连同波束扫描和熔坑几何形状的优化来调谐离子剂量，从而大幅减少制备时间并且显著改进总体工作流效率。提供了具有新月形状和经优化的停留时间值的新颖切出研磨图案。

公开(公告)号：CN105917438B

公开(公告)日：2018-04-24

申请号：CN201480073422.X

申请日：2014-11-21

Applicant: TEL ,  艾派恩有限公司

Inventor： 马修·C·格温

IPC: H01J37/317

CPC classification number: H01J37/30 ,  H01J37/08 ,  H01J2237/0812 ,  H01J2237/317

Abstract: 描述了一种用于执行各种材料的气体团簇离子束(GCIB)蚀刻处理的方法和系统。特别地，该GCIB蚀刻处理包括使用一种或更多种分子束来优化离子束的局部区域处的压力。

公开(公告)号：CN104064426B

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201310684549.2

申请日：2013-12-13

Applicant: 斯伊恩股份有限公司

Inventor： 永井孝幸 ,  佐藤正辉

IPC: H01J37/317 ,  B08B13/00

CPC classification number: C23C14/564 ,  B08B7/00 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/182

Abstract: 本发明提供一种离子注入装置以及离子注入装置的清洗方法，本发明是鉴于如下状况而完成的，其目的在于提供缩短离子注入装置的维护时间的技术。该离子注入装置为将氟化物气体用作源气体的离子注入装置。该装置具备：真空容器，导入源气体；导入路径，设置于真空容器并导入清洗气体，该清洗气体含有与堆积在该真空容器内部的氟化物进行反应而生成反应生成物气体的成分；送入装置，向导入路径强制性地送入清洗气体；第1调整装置，调整导入路径的气体流量；排气路径，设置于真空容器，反应生成物气体与清洗气体一同被强制性地排出；第2调整装置，调整排气路径的气体流量；及控制装置，伴随送入装置的工作，控制由第1调整装置及第2调整装置进行的气体流量的调整。

公开(公告)号：CN103430275B

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：CN201280013818.6

申请日：2012-02-21

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 森下利幸 ,  照井良典 ,  广川晋平

IPC: H01J37/06 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01R43/26 ,  H01J3/02 ,  H01J37/06 ,  H01J37/065 ,  H01J37/067 ,  H01J37/07 ,  H01J37/08 ,  Y10T29/49117

Abstract: 本发明是一种预先将阴极（1）和阳极（9）组入进行组装并且能够在将所述阴极和所述阳极组入了的状态下进行保管和输送的带电粒子枪（EG），其特征在于，在保管和输送所述带电粒子枪时，用导体（11）连接所述阴极和所述阳极。由此，能够防止由于在保管和输送过程中产生的静电所引起的放电导致带电粒子枪的电极前端受损。

公开(公告)号：CN107578972A

公开(公告)日：2018-01-12

申请号：CN201710706402.7

申请日：2011-02-26

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： 罗伯特·凯姆 ,  约瑟夫·D·斯威尼 ,  安东尼·M·阿维拉 ,  理查德·S·雷

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/30 ,  H01J37/317 ,  H01L21/22 ,  H01L21/223 ,  H01L21/265 ,  F17C7/00

CPC classification number: H01L21/2225 ,  F17C7/00 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3002 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/304 ,  H01L21/223 ,  H01L21/26506 ,  Y02E60/321 ,  Y10T428/13

Abstract: 本申请涉及用于提高离子注入系统中的离子源的寿命和性能的方法和设备，并提供一种离子注入系统和方法，其中，通过利用富含同位素的掺杂剂材料，来提高离子注入系统的离子源的性能和寿命，或通过利用具有可有效地提供这种提高的补充气体的掺杂剂材料来实现。

公开(公告)号：CN107438328A

公开(公告)日：2017-12-05

申请号：CN201710378174.5

申请日：2017-05-24

Applicant: 维易科仪器有限公司

Inventor： B·德鲁兹 ,  R·叶夫图霍夫 ,  R·希罗尼米 ,  A·海耶斯 ,  M·勒沃索 ,  P·波尔什涅夫

IPC: H05H1/46 ,  H05H1/10 ,  H01J49/10

CPC classification number: H01J37/3053 ,  H01J27/18 ,  H01J37/08 ,  H01J2237/0802 ,  Y02E30/126 ,  H05H1/46 ,  H01J49/10 ,  H05H1/10 ,  H05H2001/4652

Abstract: 本公开的离子源包括用于改变离子源的排放空间内的等离子体的分布的一个或多个电磁体。所述电磁体中的至少一个定向成围绕所述离子源的管状侧壁的外周并且改变所述排放空间的边缘区域中的等离子体的分布。