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公开(公告)号：KR100866902B1
公开(公告)日：2008-11-04
申请号：KR1020070021847
申请日：2007-03-06
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/3065
Abstract: 본 발명은 중성 빔 식각장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 그리드에 형성되는 슬릿의 형태를 개선하여 전체 그리드 면적대비 높은 추출구 비율을 가지는 그리드 구조에 관한 것으로, 플라즈마로부터 이온 빔을 발생하는 이온소스로부터 발생된 이온 빔의 진행 경로상에 위치하여 이온 빔의 방향을 조절하는 복수개의 그리드를 포함하고, 상기 복수개의 그리드의 표면에는 각각 수직으로 다수개의 슬롯이 형성되어 있는 그리드 구조를 제공함으로써, 보다 높은 밀도의 이온을 추출할 수 있고, 그리드의 기계적 강도를 고려함으로서 쉽게 파손 되지 않으며, 변환되는 중성 빔의 직진성을 유지하도록 하여 미세 패턴 가공이 가능하도록 하는 효과가 있다.
이온 빔, 중성 빔, 그리드, 슬롯-
公开(公告)号：KR100813090B1
公开(公告)日：2008-03-17
申请号：KR1020070021854
申请日：2007-03-06
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/00
Abstract: A neutral beam source for processing a large area is provided to minimize the length of an induction coil by using a plurality of ICP(inductively coupled plasma) sources with independent loops as an ion source wherein the ICP source is linear in the space of a plasma generation chamber. An ion beam source includes a chamber(11), at least one induction coil part(13) of a linear type and a power supply part. The chamber forms a space for generating plasma wherein the lower end part of the chamber is connected to a grid(20) for extracting an ion beam from an ion beam source and accelerating the extracted ion beam. The induction coil part penetrates the inside of the chamber widthwise wherein both ends of the induction coil part are exposed to the outside of the lateral surface of the chamber. The power supply part applies RF power to one end of each induction coil part so as to generate plasma in the chambers. Each induction coil part includes an induction coil made of copper, stainless steel or aluminum and an insulation material surrounding the induction coil.
Abstract translation: 提供用于处理大面积的中性束源，以通过使用具有独立环路的多个ICP（电感耦合等离子体）源作为离子源来最小化感应线圈的长度，其中ICP源在等离子体的空间中是线性的 一代室。 离子束源包括室（11），至少一个线性类型的感应线圈部分（13）和电源部分。 室形成用于产生等离子体的空间，其中室的下端部分连接到栅格（20），用于从离子束源提取离子束并加速提取的离子束。 感应线圈部分宽度方向穿过腔室内部，其中感应线圈部分的两端暴露在腔室的侧表面的外侧。 电源部分将RF功率施加到每个感应线圈部分的一端，以在腔室中产生等离子体。 每个感应线圈部分包括由铜，不锈钢或铝制成的感应线圈和围绕感应线圈的绝缘材料。
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公开(公告)号：KR100720396B1
公开(公告)日：2007-05-21
申请号：KR1020060026965
申请日：2006-03-24
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/265
Abstract: 중성빔을 이용한 이온 주입 장치 및 이온 주입 방법에 관한 것으로, 이온빔을 생성하기 위한 가스를 주입하는 이온빔 발생 가스 주입구, 이온빔 발생 가스 주입구를 통해 도입된 가스로부터 극성을 갖는 이온빔을 생성하는 이온 소스부, 이온 소스부의 한쪽 단부에 마련된 그리드 어셈블리, 그리드 어셈블리에 대응하여 마련되어 이온빔을 중성빔으로 전환시키는 반사체 및 중성빔의 진행 경로 상에 피처리 기판을 위치시키는 스테이지를 포함하고, 중성빔이 상기 피처리 기판으로 주입되는 구성을 마련한다.
상기와 같은 중성빔을 이용한 이온 주입 장치 및 이온 주입 방법을 이용하는 것에 의해, 웨이퍼 상의 이온 주입시 물리적, 전기적 손상을 매우 많이 주게 됨으로써 디바이스 특성의 저하 및 소멸을 가져오게 된다는 문제를 해소할 수 있다.
기판, 반도체, 주입, 중성빔, 반사판Abstract translation: 涉及一种离子注入装置和使用中性束的离子注入方法，用于生成具有通过所述离子束产生气体入口引入的气体的极性的离子束的离子源单元，离子束产生气体喷射口用于喷射气体以产生离子束， 栅组件，提供的离子束响应于在一端的格栅组件的离子源部分包括定位在反射器和中性束的行进路径上的衬底的中性束转换的阶段，和中性束在目标基板 如图所示。
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公开(公告)号：KR1020070009393A
公开(公告)日：2007-01-18
申请号：KR1020060060244
申请日：2006-06-30
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/3211 , H01J37/3266 , H01L21/67069
Abstract: An ultra-large area plasma generating apparatus using a dual frequency is provided to maximize improvement of plasma uniformity by using input power of dual frequency. A substrate for performing an etch process or a deposition process is mounted on a stage(1200). A reaction chamber(1100) has a plasma process region, capable of being separated from the stage. The reaction chamber is covered with a cover. The reaction chamber is coupled to the cover by an assemble frame. First and second antenna sources are disposed in the plasma process region, constructed in parallel with a plurality of antennal assemble body of which one side is connected to power and the other side is grounded. A plurality of magnetic assemble bodies(1500) are disposed at both sides of each antenna assemble body. The first antenna source includes m antenna assembly bodies(1400) to which the same power is applied. The second antennal source includes m-1 antennal assemble bodies to which the same power is applied. Each antenna assemble body of the first antenna source and each antenna assemble body of the second antennal source are alternately disposed. Input power applied to the first antenna source and input power applied to the second antenna source are simultaneously applied, having different dimensions. The first and the second antenna sources can be two antennal sources made of a comb type in which a plurality of antenna assemble bodies are interconnected in parallel.
Abstract translation: 提供了使用双频的超大面积等离子体发生装置，通过使用双频输入功率来最大程度地提高等离子体均匀性。 用于执行蚀刻工艺或沉积工艺的衬底安装在台（1200）上。 反应室（1100）具有能够与载物台分离的等离子体处理区域。 反应室被盖子覆盖。 反应室通过组装框架联接到盖子。 第一和第二天线源设置在等离子体处理区域中，与其一侧连接到电源并且另一侧接地的多个天线组装体并联构造。 多个磁性组合体（1500）设置在每个天线组装体的两侧。 第一天线源包括m个天线组件主体（1400），所施加的功率相同。 第二触角源包括施加相同功率的m-1个天线组装体。 第一天线源的每个天线组装体和第二天线源的每个天线组装体交替布置。 施加到第一天线源的输入功率和施加到第二天线源的输入功率被同时应用，具有不同的尺寸。 第一和第二天线源可以是由梳状类型构成的两个天线源，其中多个天线组装体并联互连。
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公开(公告)号：KR100669828B1
公开(公告)日：2007-01-16
申请号：KR1020050023782
申请日：2005-03-22
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45536 , C23C16/452 , C23C16/4551 , C23C16/45544
Abstract: 본 발명은 중성빔 증착장비 및 이 장치를 이용한 원자층 증착방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 제2반응가스를 플라즈마화시켜 발생된 라디칼의 플럭스, 즉 이온빔을 중성빔화하여 피처리기판에 조사하도록 된 중성빔을 이용한 원자층 증착장치 및 이 장치를 이용한 원자층 증착방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 피처리기판에 화학적으로 흡착되지 않는 물질을 포함하는 제1반응가스를 피처리기판이 로딩된 반응챔버 내에 공급하여, 화학적으로 흡착되지 않는 물질을 포함하는 제1반응물 흡착층을 피처리기판 상에 화학적으로 흡착시켜서 형성하는 단계와, 상기 제1반응물 흡착층이 형성된 피처리기판 상에 제2반응가스에 의해 생성된 중성빔을 조사하여, 화학적으로 피처리기판 상에 흡착되지 않는 물질을 제1반응물 흡착층으로부터 제거하여 제2반응물 흡착층을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 중성빔 증착장치를 이용한 증착방법을 제공한다.
통상, 원자층 증착 공정에 있어서는, 제2반응가스를 주입하여 고온에서 반응을 일으키거나, 제2반응가스를 플라즈마화한 플럭스를 사용하고 있는데, 이때 플라즈마의 사용에 따라 이온 또는 전자에 의한 차징이 플라즈마화에 따라서 발생할 수 있으며, 제2반응가스를 그대로 주입한 경우는 ALD 공정의 제2반응가스 공정이 고온에서 이루어지게 되는 문제점이 있었다. 또한 차징의 문제점을 극복하기 위해서, 리모트 플라즈마 (remote plasma)를 이용하는 방법이 개시되고 있지만, 리모트 플라즈마를 이용하는 경우에는 플럭스와 에너지가 감소하는 문제점이 발생하고 있었 다. 이에 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 발명된 것으로서, 제2반응가스를 중성화하고자 하였다. 이때 상기 중성빔은 에너지를 갖는 이온을 반사체에 반사시켜 생성하거나, 재결합 또는 차지 익스체인지를 통해 생성되는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 이러한 내용을 적용하게 될 경우 저온에서, 차징에 의한 손상 없이 공정을 수행할 수 있고, 이에 따라 Si, SiO
2 등의 monolayer 물질의 증착뿐 아니라, DRAM의 deep-trench용 유전체, 게이트 유전막, 배선영역 (디퓨전 베리어, seed layer) 등을 포함하는 반도체 영역의 증착 공정에 적용할 수 있음은 물론이다.
중성빔, 그리드, 반사체, 이온빔, 입사각, 증착, ALD, 원자층 증착-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100668075B1
公开(公告)日：2007-01-15
申请号：KR1020050024673
申请日：2005-03-24
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/306
Abstract: 본 발명은 이온소오스로부터 일정한 극성을 갖는 이온빔을 추출하여 가속시키는 단계; 상기 가속된 이온빔을 반사체에 입사되는 이온빔의 입사각을 제어하여 반사시켜 상기 이온빔을 중성빔으로 전환시키는 단계; 및 상기 중성빔의 진행경로상에 피식각기판을 위치시켜 상기 중성빔에 의해 상기 피식각기판상의 특정 물질층을 식각하는 단계를 구비하여 이루어지고, 상기 이온빔 추출 및 가속 단계에서, 식각 가스로 CF계열의 가스를 사용하여 이온빔을 추출하는 것을 특징으로 하는 중성빔 식각장치를 이용한 식각방법을 제공한다. 여기서, 상기 식각 가스는 CF
4 이고, 상기 첨가가스는 H
2 인 것이 바람직하다. 이에 의해, PR과 실리콘 및 실리콘옥사이드의 선택비를 크게할 수 있다.
중성빔, 그리드, 반사체, 이온빔, 입사각, 식각,-
公开(公告)号：KR1020060102043A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：KR1020050023782
申请日：2005-03-22
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45536 , C23C16/452 , C23C16/4551 , C23C16/45544
Abstract: 본 발명은 중성빔 증착장비 및 이 장치를 이용한 원자층 증착방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 제2반응가스를 플라즈마화시켜 발생된 라디칼의 플럭스, 즉 이온빔을 중성빔화하여 피처리기판에 조사하도록 된 중성빔을 이용한 원자층 증착장치 및 이 장치를 이용한 원자층 증착방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 피처리기판에 화학적으로 흡착되지 않는 물질을 포함하는 제1반응가스를 피처리기판이 로딩된 반응챔버 내에 공급하여, 화학적으로 흡착되지 않는 물질을 포함하는 제1반응물 흡착층을 피처리기판 상에 화학적으로 흡착시켜서 형성하는 단계와, 상기 제1반응물 흡착층이 형성된 피처리기판 상에 제2반응가스에 의해 생성된 중성빔을 조사하여, 화학적으로 피처리기판 상에 흡착되지 않는 물질을 제1반응물 흡착층으로부터 제거하여 제2반응물 흡착층을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 중성빔 증착장치를 이용한 증착방법을 제공한다.
통상, 원자층 증착 공정에 있어서는, 제2반응가스를 주입하여 고온에서 반응을 일으키거나, 제2반응가스를 플라즈마화한 플럭스를 사용하고 있는데, 이때 플라즈마의 사용에 따라 이온 또는 전자에 의한 차징이 플라즈마화에 따라서 발생할 수 있으며, 제2반응가스를 그대로 주입한 경우는 ALD 공정의 제2반응가스 공정이 고온에서 이루어지게 되는 문제점이 있었다. 또한 차징의 문제점을 극복하기 위해서, 리모트 플라즈마 (remote plasma)를 이용하는 방법이 개시되고 있지만, 리모트 플라즈마를 이용하는 경우에는 플럭스와 에너지가 감소하는 문제점이 발생하고 있었 다. 이에 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 발명된 것으로서, 제2반응가스를 중성화하고자 하였다. 이때 상기 중성빔은 에너지를 갖는 이온을 반사체에 반사시켜 생성하거나, 재결합 또는 차지 익스체인지를 통해 생성되는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 이러한 내용을 적용하게 될 경우 저온에서, 차징에 의한 손상 없이 공정을 수행할 수 있고, 이에 따라 Si, SiO
2 등의 monolayer 물질의 증착뿐 아니라, DRAM의 deep-trench용 유전체, 게이트 유전막, 배선영역 (디퓨전 베리어, seed layer) 등을 포함하는 반도체 영역의 증착 공정에 적용할 수 있음은 물론이다.
중성빔, 그리드, 반사체, 이온빔, 입사각, 증착, ALD, 원자층 증착-
公开(公告)号：KR100509522B1
公开(公告)日：2005-08-23
申请号：KR1020020069254
申请日：2002-11-08
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: PDP의 기판상에 증착된 MgO층으로부터 아웃개싱되는 불순물을 감소시키고 동시에 방전 특성을 향상시킬 수 있는 MgO층에 대한 세정방법과 PDP의 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따른 MgO층에 대한 세정방법은, MgO층이 외부에 노출되도록 형성된 기판을 플라즈마 반응챔버내로 로딩하는 단계 및 상기 MgO층에 흡착된 불순물들이 제거되도록 상기 MgO층에 대하여 대기압에서 플라즈마 세정을 수행하는 단계 및/또는 열처리를 통하여 세정을 수행하는 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：KR102247692B1
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：KR1020200103982
申请日：2020-08-19
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: G03F1/62 , G03F7/20 , H01L29/16 , H01L21/324 , H01L21/027
Abstract: 펠리클구조체가개시된다. 펠리클구조체는다층그래핀으로형성된그래핀막; 및그래핀막의하부에부착또는결합되고, 가운데부분에상기그래피막을노출시키는관통개구가형성된프레임지지체를구비한다. 그리고프레임지지체는 n-형실리콘(n-type Si) 또는 p-형실리콘(p-type Si)으로형성된실리콘프레임부; 및그래핀막과실리콘프레임부사이에배치되어실리콘프레임부와그래핀막사이의원소확산을방지하는확산방지프레임부를구비한다.
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