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公开(公告)号：KR101801077B1
公开(公告)日：2017-11-27
申请号：KR1020120003147
申请日：2012-01-10
Applicant: 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
IPC: H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/76889 , H01L21/28518 , H01L21/743 , H01L21/76843 , H01L21/76855 , H01L23/485 , H01L23/535 , H01L27/0688 , H01L27/1108 , H01L27/1157 , H01L27/11582 , H01L27/2409 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 제1 단결정실리콘을갖는기판상에 SiGe를갖는희생패턴을형성한다. 상기희생패턴상에제2 단결정실리콘을갖는바디를형성한다. 상기바디상에능동소자를형성한다. 상기희생패턴, 상기바디및 상기능동소자를덮는층간절연막을형성한다. 상기층간절연막을관통하여상기희생패턴을노출하는콘택홀을형성한다. 상기희생패턴을제거하여빈 공간을형성한다. 상기콘택홀 및상기빈 공간내에비정질실리콘막을형성한다. 상기비정질실리콘막을금속실리사이드막으로변환(transform)한다.
Abstract translation: 在具有第一单晶硅的衬底上形成具有SiGe的牺牲图案。 具有第二单晶硅的主体形成在牺牲图案上。 由此在身体上形成有源装置。 由此形成覆盖牺牲图案，主体和有源元件的层间绝缘膜。 通过层间绝缘膜形成接触孔以暴露牺牲图案。 牺牲图案被移除以形成空的空间。 并且在接触孔和空隙空间中形成非晶硅膜。 并将非晶硅膜转化为金属硅化物膜。
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公开(公告)号：KR1020170056804A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：KR1020150160049
申请日：2015-11-14
Applicant: 에스케이하이닉스 주식회사 , 서울대학교산학협력단
CPC classification number: G11C16/20 , G11C7/02 , G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C16/12 , G11C16/14 , G11C16/3459
Abstract: 본발명은 3 차원비휘발성메모리소자의초기화방법에관한것이다. 본발명의일 실시예에따르면, 복수의메모리층들을포함하고, 각각의메모리층은일단에각각의비트라인이연결되고, 타단에는공통배선라인이연결되는복수의채널라인들, 상기복수의채널라인들의상기일단으로부터타단까지상기복수의채널라인들을교차하는하나이상의더미스트링선택라인, 복수의스트링선택라인들, 복수의워드라인들및 접지선택라인을포함하며, 상기더미스트링선택라인, 상기복수의스트링선택라인들, 상기복수의워드라인들및 상기접지선택라인에각각결합되는메모리스트링들을포함하는 3 차원비휘발성메모리소자의초기화방법이제공될수 있다. 상기 3 차원비휘발성메모리소자의초기화방법은, 상기복수의스트링선택라인들에결합된복수의스트링선택트랜지스터를적어도하나이상의문턱값으로프로그래밍하는제 1 단계; 및상기더미스트링선택라인에결합된더미스트링선택트랜지스터들과상기복수의스트링선택라인들에결합된스트링선택트랜지스터들이함께메모리층 선택을위한스트링선택트랜지스터로기능하도록, 상기더미스트링선택트랜지스터를소정의문턱값으로프로그래밍하는제 2 단계를포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种初始化三维非易失性存储器件的方法。 根据本发明的一个实施例，提供了一种包括多个存储层的存储器件，每个存储层包括多个通道线，每个位线连接到一端，并且公共连线连接到另一端， 从所述一端到另一端跨过所述多条通道线的一条或多条虚拟串选择线，多条串选择线，多条字线和地选择线，所述虚拟串选择线， 包括非易失性存储元件的串选择线，多个字线和耦合到地选择线的存储串的三维非易失性存储器件。 用于初始化三维非易失性存储器件的方法可以包括：第一步骤，将耦合到所述多个串选择线的多个串选择晶体管编程为至少一个阈值; 并且耦合到虚拟串选择线的虚拟串选择晶体管和耦合到所述多个串选择线的串选择晶体管一起用作用于存储层选择的串选择晶体管， 第二步编程为阈值。
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公开(公告)号：KR1020160130659A
公开(公告)日：2016-11-14
申请号：KR1020150062734
申请日：2015-05-04
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L29/78
Abstract: 본발명은분리된별개의공정으로 2개의게이트를서로비대칭적구조를갖도록형성함으로써, 하나의소자에서게이트에따라서로다른전기적특성을얻을수 있어, 이를통해휘발성/비휘발성특징을모두가진메모리소자, 문턱전압을쉽게조절할수 있는 TFET, 단-장기기억전환이가능한시냅스모방소자등에다양하게활용될수 있는비대칭듀얼게이트구조를갖는반도체소자및 그제조방법을제공한다.
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公开(公告)号：KR1020160096817A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：KR1020150018350
申请日：2015-02-06
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: G01N27/414 , H01L29/73
CPC classification number: G01N27/4145 , G01N27/4146 , H01L29/7311
Abstract: 본발명은하나의센서소자로두 가지종류의바이오분자를검출할수 있는다중진단용터널링전계효과트랜지스터바이오센서에관한것으로, 채널영역상에소스영역쪽과드레인영역쪽으로서로다른종류의타깃바이오분자와결합하는제 1, 2 수용기분자를배치함으로써, 터널링전계효과트랜지스터의양방향전류특성을적극이용하여, 하나의 Tunnel FET 바이오센서로두 가지종류의바이오분자를검출할수 있는효과가있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于多诊断的隧道场效应晶体管生物传感器，其通过传感器元件检测两种类型的生物分子，更具体地，涉及用于多诊断的隧道场效应晶体管生物传感器，其检测两种类型的 生物分子通过一个隧道场效应晶体管生物传感器，通过将耦合到不同类型的目标生物分子的第一和第二受体分子布置到沟道区上的源区和漏区，并且主动使用隧道场效应晶体管的双向电流特性。
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公开(公告)号：KR1020160096815A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：KR1020150018348
申请日：2015-02-06
Applicant: 서울대학교산학협력단
CPC classification number: H01L29/7311 , H01L29/7849 , H01L29/785
Abstract: 본발명은소스영역보다들려져돌출된드레인영역을형성하여양방향전류발생문제해결은물론핀(fin) 바디를이루는하부반도체층을상부반도체층보다밴드갭이작은반도체물질로형성하여낮은구동전류의문제를해결할수 있고, 상부반도체층에드레인영역밑으로바디도핑층을더 형성함으로써, 게이트와드레인사이에커패시턴스가증가하지못하도록하여인버터회로구성시출력특성열화문제를개선할수 있는터널링전계효과트랜지스터를제공한다.
Abstract translation: 本发明提供了一种隧道效应晶体管，其与源极区相比形成了通过提升而突出的漏极区，以解决双向电流产生问题，通过具有较小带隙的半导体材料形成构成鳍体的下半导体层 以解决低驱动电流的问题，并且进一步在上半导体层的漏极区域下形成体掺杂层以防止栅极和漏极之间的电容增加，从而改善输出特征 配置变频器电路时的劣化问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101582623B1
公开(公告)日：2016-01-05
申请号：KR1020147018033
申请日：2011-12-30
Applicant: 서울대학교산학협력단 , 경북대학교 산학협력단 , 더 보드 오브 트러스티즈 오프 더 리랜드 스탠포드 쥬니어 유니버시티
IPC: H01L29/772 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/775 , H01L29/0657 , H01L29/267 , H01L29/42312 , H01L29/66356 , H01L29/66439 , H01L29/7391
Abstract: 본발명은실리콘기판상에서에피텍셜로소스영역을실리콘보다 0.4 eV 이상밴드갭이작은물질로형성하여급격한밴드경사로터널링효율을높임은물론, 소스영역과격자상수차이가거의없도록하며실리콘보다 5배이상전자이동도를갖는물질로채널영역을형성하여구동전류(ON 전류)를크게하고, 동시에채널영역물질의밴드갭보다크거나같은물질로드레인영역을형성하여 OFF 전류를최대한억제할수 있게되어 ON/OFF 전류비를획기적으로높이고, 나아가, 채널영역형성시소스영역의물질보다전자친화도가의도적으로작아지도록특정물질(예컨대, 알루미늄)을추가하여, 회로설계에따라다양한문턱전압을갖도록할 수있는실리콘기판에집적가능한화합물터널링전계효과트랜지스터및 그제조방법을제공한다.
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公开(公告)号：KR101582621B1
公开(公告)日：2016-01-05
申请号：KR1020140089558
申请日：2014-07-16
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: G11C16/34 , G11C8/12 , G11C8/14 , G11C11/5621 , G11C11/5628 , G11C16/0466 , G11C16/0483 , G11C2213/71 , H01L27/1157 , H01L27/11578 , H01L27/11582
Abstract: 본발명은제한된문턱전압상태수와 SSL 수로도층수에제한없이층 선택이가능하거나최대한많은층을선택할수 있는 3차원적층형메모리어레이및 LSMP 방식에의한스트링선택트랜지스터의문턱전압결정방법을제공함으로써, SSL 수를최소화하여메모리의집적도를극대화할수 있음은물론현재반도체식각공정의 aspect ratio를고려했을때 층선택에제한이없게된 효과가있다.
Abstract translation: 本发明提供一种即使具有有限数量的阈值电压状态和SSL也能选择层数或层数尽可能多的3D层叠存储器阵列，以及用于通过以下方式确定串选择晶体管的阈值电压的方法： LSMP方法。 因此，可以通过最小化SSL的数量来最大化存储器的完整性，并且通过考虑半导体蚀刻工艺的当前宽高比，层选择没有限制。
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公开(公告)号：KR101515071B1
公开(公告)日：2015-04-24
申请号：KR1020130147924
申请日：2013-11-29
Applicant: 가천대학교 산학협력단 , 서울대학교산학협력단
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/7782 , H01L29/122 , H01L29/2003 , H01L29/7787
Abstract: 본발명은게르마늄채널영역의상, 하부에가전자대오프셋을갖는반도체물질과실리콘기판을구비함으로써, 이종접합에의한양자우물을형성하고여기에모인 2차원적정공가스(hole gas)로구동하게되어, 게르마늄에서얻을수 있는최대정공이동도(hole mobility) 확보로고속, 저전력동작이가능하고소자의신뢰성을향상시킨실리콘집적가능한게르마늄기반의높은정공이동도를갖는트랜지스터를제공한다.
Abstract translation: 本发明提供了一种具有高空穴迁移率的硅可集成的锗基晶体管。 本发明能够实现具有高速度和低功率消耗的操作，并且通过由于异质结形成量子阱和通过二维孔气体的收集而获得能够从锗获得的最大空穴迁移率，从而提高器件的可靠性 在量子阱中，通过在锗通道区域的上部和下部包括硅衬底和具有带隙偏移的半导体材料。
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公开(公告)号：KR1020140106349A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：KR1020130034277
申请日：2013-03-29
Applicant: 서울대학교산학협력단 , 더 보드 오브 트러스티즈 오프 더 리랜드 스탠포드 쥬니어 유니버시티
Inventor： 박병국 , 제임스에스해리스쥬니어 , 조성재
IPC: H01L33/34
CPC classification number: H01L33/002 , H01L33/26
Abstract: The present invention relates to a germanium electroluminescence device and a method of fabricating the same. The germanium electroluminescence device according to one embodiment of the present invention includes a semiconductor substrate; a light emitting layer made of p-type germanium on the semiconductor substrate; and an electron transport layer which transfers electrodes to the gamma valley of the germanium.
Abstract translation: 锗电致发光器件及其制造方法技术领域本发明涉及锗电致发光器件及其制造方法。 根据本发明的一个实施方案的锗电致发光器件包括半导体衬底; 在半导体衬底上由p型锗制成的发光层; 以及将电极传输到锗的γ谷的电子传输层。
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公开(公告)号：KR1020140032186A
公开(公告)日：2014-03-14
申请号：KR1020120098767
申请日：2012-09-06
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: G06N3/02 , G06N3/049 , G06N3/063 , G11C11/54 , H01L29/66825
Abstract: The present invention relates to a semiconductor device used as a core device for realizing a biomimetic calculation system. Provided are a low power synaptic semiconductor device and an operation method thereof. A long-term memory unit is formed in one side where a source, a drain, and a gate are not formed in the floating body of a semiconductor device formed as a short-term memory unit which is electrically isolated from a peripheral region. Thereby, the low power synaptic semiconductor device imitates not only the causality deduction property of a body due to the signal time difference of a neuron before/after a synapse and a short-term and long-term memory switching property but also the short-term memory of a biological nervous system according to impact ionization. [Reference numerals] (40) (1) Short-term memory element; (60) (2) Long-term memory element
Abstract translation: 本发明涉及用作实现仿生计算系统的核心装置的半导体装置。 提供了一种低功率突触半导体器件及其操作方法。 长期存储单元形成在源极，漏极和栅极未形成在形成为与周边区域电隔离的短期存储单元的半导体器件的浮动体中的一侧。 因此，低功率突触半导体器件不仅由于神经元在突触前后的信号时间差以及短期和长期记忆切换特性而且模拟短期和长期记忆切换特性，而且模仿身体的因果性推导特性 根据碰撞电离记录生物神经系统。 （附图标记）（40）（1）短期记忆元件; （60）（2）长期记忆元素
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