公开(公告)号：KR100491073B1

公开(公告)日：2005-05-24

申请号：KR1020010088866

申请日：2001-12-31

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 박용주 ,  최원준 ,  한일기 ,  김은규 ,  이정일 ,  박세기

IPC: H01S5/30

Abstract: 본 발명은 얇은 AlGaAs 삽입층을 이용하여 InGaAs/GaAs 양자점으로부터 발광되는 방사파장의 조작방법에 관한 것으로, InGaAs 양자점 형성 후에 10 nm 이하의 두께를 갖는 삽입층을 성장시킴으로써 이루어진다. 본 발명에 따른 방사파장의 조작방법은, InGaAs/GaAs 양자점으로부터 발광되는 방사파장의 조작방법에 있어서, 상기 InGaAs/GaAs 양자점을 형성하는 단계, 및 상기 InGaAs/GaAs 양자점 위에 AlGaAs 삽입층을 곧바로 성장시키는 단계를 포함한다. 상기 AlGaAs 삽입층의 유무에 따라서 상기 InGaAs/GaAs 양자점의 광루미네선스의 피크 위치가 변화된다. 상기 AlGaAs 삽입층의 두께가 두꺼워짐에 따라 상기 InGaAs/GaAs 양자점의 기저준위의 피크가 장파장 방향으로 이동하여 서서히 포화된다. 상기 AlGaAs 삽입층에 결함이 있으면, 상기 InGaAs/GaAs 양자점에 존재하는 긴장(strain)을 완화시킨다. 본 발명은 광통신에 많이 이용되는 1.33μm ∼ 1.55μm 대역의 통신용 레이저에 응용이 가능한 기술로써 상온에서 1.33μm의 방사파장을 볼 수 있도록 한다.

公开(公告)号：KR100368791B1

公开(公告)日：2003-01-24

申请号：KR1020000005619

申请日：2000-02-07

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 최원준 ,  김선호 ,  우덕하 ,  이석 ,  한일기 ,  김회종 ,  강광남 ,  이희택

IPC: H01L31/12

Abstract: PURPOSE: A method for controlling a band gap of a semiconductor optical device having the structure of a quantum well is provided to prevent a quantum well substrate damaging by using a silicon nitride film as a dielectric cover layer and by controlling a flow ratio of ammonia gas. CONSTITUTION: A substrate having the structure of a quantum well is grown(S100). A dielectric cover layer is deposited on the substrate by a plasma chemical vapor deposition process(S200). A thermal processing is performed on the dielectric cover layer at a predetermined time(S300). The dielectric cover layer is removed(S400). A fluorescence spectrum is measured(S500).

Abstract translation: 目的：提供一种用于控制具有量子阱结构的半导体光学器件的带隙的方法，以通过使用氮化硅膜作为电介质覆盖层并通过控制氨气的流量比来防止量子阱衬底损坏 。 构成：生长具有量子阱结构的衬底（S100）。 通过等离子体化学气相沉积工艺在衬底上沉积电介质覆盖层（S200）。 在预定时间对电介质覆盖层进行热处理（S300）。 介电覆盖层被移除（S400）。 测量荧光光谱（S500）。

公开(公告)号：KR100361036B1

公开(公告)日：2002-11-18

申请号：KR1020000005618

申请日：2000-02-07

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 변영태 ,  이석 ,  우덕하 ,  이재하 ,  김선호 ,  한일기 ,  김회종 ,  최원준 ,  김재헌

IPC: H01L21/00

Abstract: 본 발명은 얇은 반도체 시료가 깨지지 않도록 마운팅(mounting) 기술을 이용하여 반도체 광소자의 전,후 단면에 무반사 코딩을 하도록 하는 무반사 코팅을 위한 반도체 광소자 칩의 시료 홀더 장치에 관한 것이다.
따라서, 본 발명은 무반사 코팅시 시료 깨짐을 방지하기 위한 마운팅 기술을 이용하는 시료 홀더 장치에 있어서, 제 1스테인레스(10) 상에는 스페이서(20)와, 고정판(30)과, 제 2스테인레스(40)가 순차적으로 적층되되, 각 홀(50a)을 통하여 상기 제 2스테인레스(40)으로부터 상기 제 1스테인레스(10)까지 도달되도록 홀더결합수단(50)에 의해 체결되고, 각 홀(55a)을 통하여 상기 제 2스테인레스(40)으로부터 상기 고정판(30)까지 도달되도록 시료고정수단(55)에 의해 체결되며, 상기 고정판(30)과 상기 제 1스테인레스(10) 사이에 놓여지는 위치에 스페이서(20)와 수평으로 레이저바(60)가 연장되어 설치되도록 구성되어, 상기 제 2스테인레스(40)의 면적 크기를 상기 제 1스테인레스(10)의 면적 크기 보다 작게 설계함으로서 무반사 코팅시 레이저바(60)에 가해지는 힘의 세기� � 분산시키도록 하는 것을 특징으로 하는 무반사 코팅을 위한 반도체 광소자 칩의 시료 홀더 장치가 제시된다.

公开(公告)号：KR1020010077675A

公开(公告)日：2001-08-20

申请号：KR1020000005631

申请日：2000-02-07

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 우덕하 ,  이석 ,  한일기 ,  김선호 ,  최원준 ,  변영태 ,  김회종 ,  김재헌 ,  강광남 ,  김대식 ,  양지상

IPC: H01L31/14

Abstract: PURPOSE: A method for extending the gain bandwidth of a semiconductor optical amplifier is provided to obtain the semiconductor optical amplifier having a wide gain bandwidth by using a quantum dot as a gain region of the semiconductor optical amplifier. CONSTITUTION: An InP(Indium Phosphorus) buffer layer is grown at a predetermined thickness(S10). After the growing of the InP buffer layer, a predetermined gas is supplied(S20, S30, S40). An InAs(Indium arsenide) single well layer is grown on the InP buffer layer(S50). After the growing of the InAs layer, a predetermined gas is supplied(S60, S70, S80). An InP cap layer is grown on the InAs layer(S90).

Abstract translation: 目的：提供一种用于扩展半导体光放大器的增益带宽的方法，通过使用量子点作为半导体光放大器的增益区，获得具有宽增益带宽的半导体光放大器。 构成：以预定厚度生长InP（铟磷）缓冲层（S10）。 在InP缓冲层生长之后，提供预定的气体（S20，S30，S40）。 在InP缓冲层上生长InAs（砷化铟）单阱层（S50）。 在InAs层生长之后，提供预定的气体（S60，S70，S80）。 InAs层在InAs层上生长（S90）。