公开(公告)号：CN102959403B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201180030962.6

申请日：2011-06-21

Applicant: 大日本印刷株式会社

Inventor： 桥本克美

IPC: G01P15/08 ,  G01P15/12 ,  B81B7/00

CPC classification number: H01L29/84 ,  B81B7/0054 ,  B81B2201/0235 ,  B81C2203/0154 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/123 ,  G01P2015/0842

Abstract: 本发明提供一种减轻因树脂封装造成的传感器所受到的应力，抑制因应力引起的传感器特性的变化的力学量传感器。力学量传感器具备：具有固定部和位于所述固定部的内侧的挠性部以及可动部的半导体衬底；以及覆盖所述挠性部和所述可动部的盖构件，所述固定部具有：包围所述挠性部和所述可动部的内框架和位于所述内框的周围的外框架；分离所述内框架与所述外框架的缝隙；以及连接所述内框架与所述外框架的连接部。

公开(公告)号：CN104919293A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201380063807.3

申请日：2013-12-04

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 小西隆宽

IPC: G01L9/00 ,  G01P15/12 ,  B81B3/00 ,  H01L29/84

CPC classification number: G01P15/123 ,  B81B3/0072 ,  B81B3/0086 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0109 ,  G01L9/0044 ,  G01L9/0052 ,  G01L9/0054 ,  G01P15/0802 ,  H01L29/84

Abstract: 压力传感器由Si基板(10a)、SiO2层(10b)、表面Si膜(10c)所构成的SOI基板构成。Si基板(10a)上形成有通过蚀刻而形成的开口部(13)，膜片结构的位移部(12)由该部分的表面Si膜(10c)和SiO2层(10b)构成。位移部(12)形成有压阻元件(11)。位移部(12)根据要检测的压力而弯曲，压阻元件的电阻值随之而发生变化。膜片结构的位移部(12)的厚度尺寸ts为1μm以上10μm以下，压阻元件(11)的杂质浓度的峰值位置(深度)Pd为比0.5μm要深、比位移部(12)的厚度尺寸的1/2的深度要浅的位置。

公开(公告)号：CN102190284B

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201010261039.0

申请日：2010-08-11

Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司

Inventor： 李刚 ,  胡维

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  G01P15/08 ,  G01L9/00

CPC classification number: G01L9/0042 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/0376 ,  B81C1/00182 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0177 ,  B81C2203/0118 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/123 ,  G01P2015/0828

Abstract: 本发明揭示了一种MEMS传感器及其应用于多种MEMS传感器制造的薄膜、质量块与悬臂梁的制造方法，该方法采用硅片正面刻蚀工艺结合淀积、外延工艺、湿法腐蚀、背面刻蚀等工艺形成感压单晶硅薄膜、悬臂梁、质量块、前腔、后腔及深槽通道，能够有效控制单晶硅薄膜的厚度，可取代传统的只从硅片背面腐蚀形成背腔以及单晶硅薄膜的方法。

公开(公告)号：CN102256893B

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN200980147111.2

申请日：2009-11-06

Applicant: 卡文迪什动力有限公司

Inventor： 查尔斯·戈登·史密斯 ,  理查德·L·奈普 ,  维克拉姆·乔希 ,  罗伯托·加迪 ,  阿纳特兹·乌纳穆诺 ,  罗伯图斯·彼得勒斯·范坎彭

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81B7/04 ,  B81B2201/0221 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2207/053 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  G01P15/135 ,  H01G5/18 ,  H01G5/40

Abstract: 本申请公开的多个实施例主要包括利用大量的小MEMS器件来替换单独的较大MEMS器件或数字可变电容器的功能。大量较小的MEMS器件执行与较大的器件相同的功能，但是由于其尺寸较小，因此能够利用互补金属氧化物半导体(CMOS)兼容工艺将这些较小的MEMS器件封装在空腔中。对大量较小的器件进行平均的信号使得较小器件的阵列的精度相当于该较大的器件的精度。通过考虑使用基于MEMS的加速度开关阵列来举例说明该过程，其中该开关阵列具有集成的惯性响应的模数转换。还通过考虑利用基于MEMS的器件结构来举例说明该过程，其中该MEMS器件并联地工作以作为数字可变电容器。

公开(公告)号：CN104176697A

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201410164571.9

申请日：2014-04-23

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 贾克妙 ,  P·T·琼斯

IPC: B81B3/00 ,  B81B7/00

CPC classification number: G01P15/125 ,  B81B3/0016 ,  B81B2201/0235 ,  B81C1/00968

Abstract: 本发明涉及用于微机电系统器件的有源侧向力粘滞自恢复。提供了通过施加正交于粘滞力的力从MEMS器件中的与粘滞相关的事件恢复的机制。施加正交于粘滞力的矢量的弱力可以比施加平行于粘滞力的矢量的力更容易释放被阻塞的检测质量块。示例实施例提供了垂直的平行板(510,520)或梳指状侧向致动器(610,620)以施加正交力。另选实施例提供了第二换能器(710)的检测质量块(720)来碰撞被阻塞的MEMS致动器以释放粘滞。

公开(公告)号：CN104163396A

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201410206716.7

申请日：2014-05-15

Applicant: 原子能和替代能源委员会

Inventor： 史蒂芬·尼古拉斯

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00285 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81C1/00293 ,  B81C1/00777 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/0145 ,  G01C21/16 ,  G01C25/00 ,  G01P15/0802 ,  G01P2015/088 ,  G01P2015/0882 ,  H01L21/50 ,  H01L21/52 ,  H01L21/54 ,  H01L23/10 ,  H01L23/28 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本申请涉及通过可透材料注入惰性气体封装微电子装置的方法。用于封装微电子装置(102.1，102.2)的方法，所述方法包括以下步骤：将所述微电子装置制作到第一基体(104)上；在包括不可透环境大气和惰性气体的第二材料的第二基体(108)中制作一个不可透环境大气且可透惰性气体的第一材料部分(118.1，118.2)；将所述第二基体固定到所述第一基体，以便形成内部封装有所述微电子装置的至少一个腔(120.1，120.2)，使得所述第一材料部分形成所述腔的壁的至少一部分；通过所述第一材料部分将所述惰性气体注入到所述腔中；相对于环境大气和所述惰性气体气密性地密封所述腔。

公开(公告)号：CN104145185A

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：CN201280060813.9

申请日：2012-11-09

Applicant: 罗伯特·博世有限公司 ,  G·奥布赖恩

Inventor： G·奥布赖恩

IPC: G01P15/125

CPC classification number: G01P15/125 ,  B81B3/0051 ,  B81B2201/0235 ,  G01P2015/0871 ,  G01P2015/0874

Abstract: 微机电系统(MEMS)包括衬底、位于衬底表面上方位置的第一曲面和沿着平行于衬底的表面的第一轴线与第一曲面大致相对的第二曲面，其中所述第一曲面能够沿着第一轴线在朝向第二曲面的方向上移动。

公开(公告)号：CN102770770B

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201180011060.8

申请日：2011-02-24

Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社

Inventor： 大川尚信 ,  矢泽久幸 ,  宫武亨 ,  高桥亨 ,  宇都宜隆 ,  菊入胜也 ,  小林俊宏

IPC: G01P15/125 ,  B81B3/00 ,  H01L29/84

CPC classification number: B81B3/0051 ,  B81B2201/0235

Abstract: 本发明的目的尤其在于提供能够提高重物部相对于对置部的耐碰撞性及防粘性的物理量传感器。该物理量传感器具备弹簧部(21)、与所述弹簧部(21)连结且被支承成沿高度方向可变位的重物部(20)、与所述重物部在高度方向上对置的对置部(22)，在所述对置部(22)与所述重物部(20)之间配置高度不同的多个突起部(23、24)，所述多个突起部(23、24)使得在所述重物部(20)朝向高度方向变位时，所述重物部(20)与所述对置部(21)之间能够阶段性地抵接，并且所述重物部与所述对置部之间还能够阶段性地分离。

公开(公告)号：CN102428376B

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201080018950.7

申请日：2010-04-27

Applicant: 玛克西姆综合公司

Inventor： H·哈默

IPC: G01P15/08 ,  B81B3/00 ,  G01C19/5684

CPC classification number: G01P15/08 ,  B81B3/007 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/056 ,  G01C19/5712 ,  G01P2015/0817

Abstract: 一种用于根据在传感器上所出现的加速力和/或科氏力测定传感器运动的微力学传感器，所述微力学传感器具有一个衬底（5）以及至少一个设置在衬底（5）上并且可以相对于衬底（5）移动的质量块（6）。质量块（6）与衬底（5）和/或两个相向移动的质量块可以借助至少一个弯曲弹簧装置（1）相互连接在一起用于进行相对旋转运动。为了提高弯曲弹簧装置在旋转运动时的线性弹簧特性，所述弯曲弹簧装置（1）具有多个优选两个基本相互平行走向的弹簧条（2），以及至少在一个优选在每个弹簧条（2）上具有至少一个曲折段（3）。

公开(公告)号：CN103964367A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201410033777.8

申请日：2014-01-24

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 林义真 ,  A·C·迈克奈尔 ,  M·E·施拉曼

IPC: B81B7/02

CPC classification number: H02N1/006 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2203/058 ,  B81C1/00976

Abstract: 本发明涉及抗静摩擦的MEMS器件及其操作方法。MEMS器件（20）包括通过有弹簧常数（104）的弹簧构件(34)悬挂在衬底（22）之上的可移动元件（20）。弹簧软化电压（58）在上电模式期间（100）被施加于面对可移动元件（20）的电极（24、26）以减小弹簧构件(34)的刚度，并且从而增加可移动元件（32）对输入刺激（46）的灵敏度。一旦检测到静摩擦条件（112），弹簧软化电压（58）被有效地移除以从静摩擦条件（112）恢复可移动元件（32）。较高的机械弹簧常数（104）在未上电模式（96）期间产生有较大恢复力（122）的硬弹簧（34）以从静摩擦条件（112）恢复。反馈电压（56）可以被施加于面对可移动元件（32）的反馈电极（28、30）以提供电阻尼。