公开(公告)号：CN104885185B

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201380063410.4

申请日：2013-10-11

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 杰弗里·查尔斯·伯拉尼克 ,  威廉·T·维弗

IPC: H01J27/04 ,  H01J27/08 ,  H01J37/08 ,  H01J37/317 ,  H01J27/02 ,  H01J37/302

CPC classification number: H01J27/024 ,  H01J27/08 ,  H01J37/08 ,  H01J37/302 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/043 ,  H01J2237/30472 ,  H01J2237/3171

Abstract: 离子植入机及具有挡帘组件的离子源。离子源包括界定电弧室的电弧室外壳，电弧室外壳在固定位置上具有提取板，提取板界定多个提取孔。离子源还包括挡帘组件，挡帘组件安装于电弧室外侧的靠近提取板处。挡帘组件经配置以于一时间间隔期间阻挡所述多个提取孔中的一者的至少一部分。以自离子源提取的离子束处理工件，并结合离子源与所述待处理工件的相对移动，使得仅用一种离子源即能在工件上形成二维离子植入图案。

公开(公告)号：CN103887132B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201210559934.X

申请日：2012-12-20

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 单易飞 ,  邬璐磊 ,  董春荣

IPC: H01J37/08 ,  H01J27/08 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J27/08 ,  H01J37/08 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/082

Abstract: 一种注入装置的离子源和离子注入方法，其中所述离子源，包括：起弧腔，所述起弧腔用于容纳等离子体；灯丝，位于起弧腔的侧壁上，用于产生热电子，使通入起弧腔的离子源气体离子化为等离子体；反射极，位于起弧腔的与灯丝相对的侧壁上，用于反射灯丝产生的热电子；狭缝，位于起弧腔的顶部，作为等离子体的出口；源气体通入口，位于起弧腔的反射极和灯丝之间的侧壁上，用于通入离子源气体；清洁气体通入口，位于起弧腔的源气体通入口同侧的侧壁上，用于通入惰性清洁气体。提高了离子源的使用寿命。

公开(公告)号：CN103107055B

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201210396411.8

申请日：2012-10-18

Applicant: FEI ,  公司

Inventor： T.米勒 ,  S.张

IPC: H01J27/02 ,  H01J27/16 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32651 ,  H01J37/08 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32504 ,  H01J2237/0206 ,  H01J2237/026 ,  H01J2237/31749

Abstract: 本发明涉及用于聚焦射束系统的电感耦合等离子体离子源。一种用于聚焦带电粒子束系统的电感耦合等离子体源包括等离子体室内的导电屏蔽以便减少到等离子体的电容耦合。内部导电屏蔽被偏置电极或被等离子体被保持在与等离子体源基本上相同的电位。内部屏蔽允许等离子体室的外部上的更多种冷却方法。

公开(公告)号：CN102881546B

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201210240654.2

申请日：2012-07-12

Applicant: FEI公司

Inventor： A.格劳佩拉 ,  S.克罗格 ,  M.W.乌特劳特 ,  N.W.帕克

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/3002 ,  H01J37/08 ,  H01J37/18 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/0827

Abstract: 本发明涉及电感耦合等离子体（ICP）离子源中不同处理气体之间快速切换的方法和结构。可打开的气体通道实现在带电粒子束系统中的电感耦合等离子体源中的处理气体或热烘气体的快速泵出。阀，通常定位在源电极中或形成为气体入口的一部分，在打开以泵空等离子体腔时增加气体流导并且在操作等离子体源期间关闭。

公开(公告)号：CN105957790A

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201610510558.3

申请日：2016-07-01

Applicant: 苏州至臻精密光学有限公司

Inventor： 施春燕

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/08

CPC classification number: H01J37/3174 ,  H01J37/08 ,  H01J2237/1503 ,  H01J2237/31755

Abstract: 本发明涉及一种离子束刻蚀机。离子束刻蚀机包括真空工作腔室、工件安装平台、多轴运动系统、离子源，多轴运动系统包括多个依次连接的直线运动模组，相邻的直线运动模组之间相互垂直，直线运动模组包括直线导轨和直线运动元件，后级直线运动模组与前级直线运动元件相连并能在前级直线运动元件的带动下直线运动，离子源安装在末级直线运动元件上，离子源能够形成离子束并在多轴运动系统的带动下沿多个方向运动扫描刻蚀工件。将离子源安装在能够多方向运动的多轴运动系统上，离子束能够运动扫描对工件刻蚀，离子束刻蚀机能够采用较小口径的离子源完成对大尺寸的工件的刻蚀加工，有效降低了离子束刻蚀机对离子源口径的要求，从而降低了设备成本。

公开(公告)号：CN103038854B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201180022613.X

申请日：2011-05-04

Applicant: TEL艾派恩有限公司

Inventor： 迈克尔·格拉夫 ,  罗伯特·K·贝克尔 ,  克里斯多弗·T·雷迪 ,  诺尔·拉塞尔

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J27/026 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/0812

Abstract: 提供了一种利用气体离化团束(GCIB)(128、128A、128A′)来照射衬底(152、252)的处理系统(100、100′、100″)。该系统(100、100′、100″)包括用以形成并通过喷嘴出口(110b)射出气体团束的喷嘴(110、1010)，以及位于该喷嘴(110、1010)上游并与该喷嘴(110、1010)邻接的停滞腔室(116、1016)。该停滞腔室(116、1016)具有入口(116a、1016a)，并且该喷嘴(110、1010)被构造为将单个气体团束引向该衬底(152、252)。离子发生器(122)被定位在出口(110b)下游并且被构造为离子化气体团束(118)以形成GCIB(128、128A、128A′)。该系统(100、100′、100″)也包括气体供应器(115、1015)，其中该气体供应器(115、1015)与该停滞腔室(116、1016)的该入口(116a、1016a)流体连，并且包括气体源(111、1011)和阀(113、1013)，其中该阀(113、1013)位于该气体源(111、1011)与该喷嘴(110、1010)之间，用以控制该气体源(111、1011)与该喷嘴(110、1010)之间的气体流动。

公开(公告)号：CN105900208A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201480068636.8

申请日：2014-12-19

Applicant: 艾克塞利斯科技公司

Inventor： 谢泽仁 ,  奈尔·卡尔文

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/0213 ,  H01J2237/0268 ,  H01J2237/082 ,  H01J2237/31705

Abstract: 一种针对离子注入系统的离子源室(120)包括：外壳，至少部分地界定离子化区域，高能电子会从阴极(124)移动穿过所述离子化区域，以对注入所述外壳内部的气体分子进行离子化；衬垫区段(133、135、137、139)，限定所述外壳内部的一个或更多个内壁，其中每个衬垫区段包括面向内部表面，所述面向内部表面在所述离子注入系统的操作期间暴露于所述离子化区域；阴极屏蔽(153)，布置在所述阴极周围；排斥极(180)，与所述阴极相分离；板(128)，包括用于从离子源室释放离子的源孔(126)；其中，所述排斥极、所述衬垫区段、所述阴极屏蔽、所述板或在限定源孔的板中的插入件中的至少一个包括碳化硅，其中，碳化硅具有超额碳的非化学计量烧结材料。

公开(公告)号：CN103621187B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201280030726.9

申请日：2012-06-21

Applicant: FEI公司

Inventor： S.克罗格 ,  A.格劳佩拉 ,  N.W.帕克 ,  M.W.乌特劳特 ,  A.B.威尔斯 ,  J.B.麦金

IPC: H05H1/00

CPC classification number: H01J27/16 ,  H01J37/08 ,  H01J37/321 ,  H01J2237/002 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/0817 ,  H01J2237/31749 ,  H05H1/28 ,  H05H1/30 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4652 ,  H05H2001/4682

Abstract: 一种用于带电粒子束系统的电感耦合等离子体源包括提供改进的电隔离与减少后的电容RF耦合的导电屏蔽以及使等离子体绝缘并且对其进行冷却的介电流体。可以将导电屏蔽封闭在固体介电介质内。可以通过泵使介电流体循环或不可以通过泵使其循环。热管可以用于对介电流体进行冷却。

公开(公告)号：CN105453225A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201480025344.6

申请日：2014-03-03

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： O·比尔 ,  J·D·斯威尼 ,  唐瀛 ,  R·S·雷

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01J37/3171 ,  C23C14/48 ,  H01J37/08 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/08 ,  H01L21/2225

Abstract: 描述了用于掺杂物的注入的离子注入组合物、系统和方法。描述了具体的硒掺杂源组合物，以及并流气体用以实现在注入系统特征方面的优势的用途，所述注入系统特征为例如方法转变、束稳定性、源寿命、束均匀性、束流和购置成本。

公开(公告)号：CN105405732A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201510759493.1

申请日：2015-11-10

Applicant: 中国电子科技集团公司第四十八研究所

Inventor： 佘鹏程 ,  彭立波 ,  胡凡 ,  陈庆广 ,  毛朝斌

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J37/3174

Abstract: 本发明公开了一种用于离子束刻蚀机的条形离子源，包括安装法兰和放电室，所述放电室通过安装支架固定安装于安装法兰上方，所述放电室为具有磁场和电场的腔室，所述放电室内设置多组放电灯丝，每一组放电灯丝均可单独调节放电电流，多组所述放电灯丝沿放电室的长度方向一整列布置且间隔均匀。本发明用于离子束刻蚀机的条形离子源，其放电灯丝设置的组数可根据刻蚀基片尺寸的大小而定，随着刻蚀基片尺寸的增大，可增加放电灯丝的组数来适应离子源刻蚀加工要求，且每一组放电灯丝可通过测试引出束流沿放电室长度方向的分布，通过调节各组放电灯丝的电流，可提高离子源引出的离子束流均匀性，提高离子源性能。