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公开(公告)号：KR1020090092059A
公开(公告)日：2009-08-31
申请号：KR1020080017336
申请日：2008-02-26
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H03F3/20
CPC classification number: H03F1/565 , H01P5/02 , H03F3/60 , H03F2200/171 , H03H7/38
Abstract: An amplifier including an internal matching network is provided to minimize a size of a matching network by using an internal matching network as PI network performed by an inductor of a bond wire form and a capacitor using material of a high dielectric constant. A PI matching network comprises two high-capacitance capacitors(Ca) and an inductor(La). The inductor is positioned between the two high-capacitance capacitors. An internal PI matching network of 2 shift is formed by serially connecting the PI matching network into 2 shift. The internal PI matching network is formed by one capacitor instead of parallel connected two capacitors. The internal PI matching network is serially connected to an input terminal and an output terminal of an amplifier package. The high-capacitance capacitor is performed by laminating a metal pattern on a top surface and a bottom surface of a dielectric substrate inserted inside the package.
Abstract translation: 提供一种包括内部匹配网络的放大器，通过使用内部匹配网络作为PI网络，由接合线形式的电感器和使用高介电常数的材料的电容器来实现，从而使匹配网络的尺寸最小化。 PI匹配网络包括两个大电容电容器（Ca）和一个电感器（La）。 电感位于两个大容量电容器之间。 通过将PI匹配网络串行连接到2位移而形成2位移的内部PI匹配网络。 内部PI匹配网络由一个电容器组成，而不是并联两个电容器。 内部PI匹配网络串行连接到放大器封装的输入端子和输出端子。 大容量电容器通过在插入到封装内的电介质基板的上表面和底面上层叠金属图案来进行。
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公开(公告)号：KR1020090071947A
公开(公告)日：2009-07-02
申请号：KR1020070139891
申请日：2007-12-28
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: G06K19/145 , G06K19/0718 , H04W12/06
Abstract: A wireless sensing apparatus and a method therefor are provided to integrate a fingerprint recognition sensor and a wireless communication module, thereby improving portability. A bio recognition sensor(210) receives bio information from a user. An interface module(220) converts bio information inputted to the bio recognition sensor into information suitable for a wireless communication interface. A wireless communication module(230) transmits the converted bid information to a digital device requesting authentication through wireless communication.
Abstract translation: 提供一种无线感测装置及其方法，用于集成指纹识别传感器和无线通信模块，从而提高便携性。 生物识别传感器（210）从用户接收生物信息。 接口模块（220）将输入到生物识别传感器的生物信息转换成适合于无线通信接口的信息。 无线通信模块（230）将转换的投标信息发送到通过无线通信请求认证的数字设备。
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公开(公告)号：KR100804412B1
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：KR1020060118748
申请日：2006-11-29
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H04B1/48
CPC classification number: H04B1/48 , H01P1/20 , H04B1/0057
Abstract: A front end module of a triple band terminal is provided to improve matching characteristics of an input impedance by providing an impedance matching inductor at input terminals of the second LPF(Low-Pass Filter) and an HPF(High-Pass Filter). The first LPF(410) extracts a signal of the first band from a signal received via a single antenna(400). A capacitor(C2) allows a signal of a high band frequency which has not been extracted by the first LPF(410) to pass therethrough. The second LPF(420) extracts a signal of the second band among signals which have passed through the capacitor(C2). An SAW(Surface Acoustic Wave) filter(440) extracts a signal of the second band from an output signal of the second LPF(420). An HPF(430) extracts a signal of the third band among signals which have passed through the capacitor(C2). An inductor(L3) for matching impedance is formed at a connection point to which the capacitor(C2), the second LPF(420) and the HPF(430) are connected.
Abstract translation: 提供三频带终端的前端模块，通过在第二LPF（低通滤波器）和HPF（高通滤波器）的输入端提供阻抗匹配电感器来改善输入阻抗的匹配特性。 第一LPF（410）从经由单个天线（400）接收的信号中提取第一频带的信号。 电容器（C2）允许未被第一LPF（410）提取的高频带频率的信号通过。 第二LPF（420）在通过电容器（C2）的信号中提取第二频带的信号。 SAW（表面声波）滤波器（440）从第二LPF（420）的输出信号中提取第二频带的信号。 HPF（430）在通过电容器（C2）的信号中提取第三频带的信号。 在电容器（C2），第二LPF（420）和HPF（430）连接的连接点处形成用于匹配阻抗的电感器（L3）。
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公开(公告)号：KR102036825B1
公开(公告)日：2019-10-24
申请号：KR1020180046340
申请日：2018-04-20
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L23/522 , H01L23/367 , H01L23/498 , H01L23/31
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101924258B1
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：KR1020160065262
申请日：2016-05-27
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L23/373 , H01L23/367 , H01L23/488 , H01L23/482
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公开(公告)号：KR101764761B1
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：KR1020150126058
申请日：2015-09-07
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 본발명은수동소자및 그제조방법에관한것이다. 본발명에따른인덕터는기판의일면상에형성된인덕터박막패턴과, 상기인덕터박막패턴을둘러싸면서상기인덕터박막패턴에대응되도록상기기판에형성된트렌치(trench) 및상기트렌치와상기기판및 상기인덕터박막패턴상에형성된절연층을포함하고, 상기기판의타면은상기트렌치에형성된절연층이노출되도록연마되어있는것을특징으로한다. 본발명에따르면, 유손실(lossy) 실리콘기판기반의수동소자에있어서, 인접소자로의전기적누설의통로를원천적으로차단하여전기적손실을차단하고고주파영역에서의전기적특성을크게향상시킬수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种无源元件及其制造方法。 根据本发明的电感器包括形成在衬底的表面上的电感器薄膜图案，形成在衬底中以便与电感器薄膜图案相对应同时围绕电感器薄膜图案的沟槽， 并且抛光衬底的另一表面以暴露在沟槽上形成的绝缘层。 根据本发明，在基于有损硅衬底的无源元件中，到相邻元件的电泄漏路径基本上被阻挡，由此防止电损耗并大大改善高频区域中的电特性。
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公开(公告)号：KR1020170029126A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：KR1020150126058
申请日：2015-09-07
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 본발명은수동소자및 그제조방법에관한것이다. 본발명에따른인덕터는기판의일면상에형성된인덕터박막패턴과, 상기인덕터박막패턴을둘러싸면서상기인덕터박막패턴에대응되도록상기기판에형성된트렌치(trench) 및상기트렌치와상기기판및 상기인덕터박막패턴상에형성된절연층을포함하고, 상기기판의타면은상기트렌치에형성된절연층이노출되도록연마되어있는것을특징으로한다. 본발명에따르면, 유손실(lossy) 실리콘기판기반의수동소자에있어서, 인접소자로의전기적누설의통로를원천적으로차단하여전기적손실을차단하고고주파영역에서의전기적특성을크게향상시킬수 있다.
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公开(公告)号：KR1020150140977A
公开(公告)日：2015-12-17
申请号：KR1020140069285
申请日：2014-06-09
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81192 , H01L2924/15311 , H01L2924/15313 , H01L2924/19107 , H01L23/34 , H01L23/28 , H01L23/48
Abstract: 본발명은방열특성이향상된반도체패키지장치및 그제조방법에관한것이다. 본발명에방열특성이향상된반도체패키지장치는도전체로채워진관통비아(through via)가형성되어있는기판과, 상기도전체에전기적으로연결된솔더범프에부착되어있는복수개의반도체칩과, 상기솔더범프를감싸도록형성되어상기반도체칩을고정시키는절연체로이루어진언더필링막(under filling layer)과, 상기반도체칩의하면과측면및 상기언더필링막의표면에형성된씨드층(seed layer) 및상기반도체칩을덮도록상기씨드층상에형성되어있으며상기반도체칩의하면과측면을통한방열경로를제공하는방열막을포함하여구성된다. 본발명에따르면, 이종또는동종의복수개의고전력반도체칩의하면뿐만아니라측면을통해서도방열경로를제공함으로써, 방열특성을크게향상시킬수 있는효과가있다.
Abstract translation: 本发明涉及具有改善的散热特性的半导体封装装置及其制造方法。 根据本发明的具有改进的散热特性的半导体封装装置包括：形成有填充有导体的通孔的基板; 多个半导体芯片附接到电连接到导体的焊料凸块; 底部填充层，其形成为包封焊料凸块并由用于固定半导体芯片的绝缘材料构成; 形成在半导体芯片的下表面和侧表面上的种子层和下填充层的表面; 以及形成在种子层顶部以包围半导体芯片并且提供穿过半导体芯片的下表面和侧表面的散热路径的散热层。 根据本发明，可以通过不仅通过不同种类或相同种类的多个大功率半导体芯片的下表面而且通过提供散热路径来提高散热特性。
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公开(公告)号：KR1020150111423A
公开(公告)日：2015-10-06
申请号：KR1020140033489
申请日：2014-03-21
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L21/31 , H01L21/60 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/76877 , H01L21/76843 , H01L21/7685
Abstract: 본발명은반도체소자및 이를제조하는방법에관한것으로써, 보다구체적으로는라미네이션기술을적용한두꺼운절연층을포함한반도체소자및 이를제조하는방법에관한것이다. 본발명은씨모스전력증폭기(CMOS power amplifier), 저잡음증폭기(LNA, Low Noise Amplifier), 전압조정발진기(VCO, voltage controlled oscillator) 등의회로를위한인덕터혹은전송선로와같은수동소자의성능을향상시키는효과가있다.
Abstract translation: 半导体器件及其制造方法技术领域本发明涉及半导体器件及其制造方法，更具体地，涉及使用层叠技术的具有厚绝缘层的半导体器件及其制造方法。 根据本发明，提供了用于CMOS功率放大器，低噪声放大器（LNA），电压控制器振荡器（VCO）的电路等的无源元件的电感器或传输线的性能的提高的效果。 ，等等。
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