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公开(公告)号：KR1020110058388A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：KR1020090115158
申请日：2009-11-26
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L33/20
Abstract: PURPOSE: A light emitting diode and manufacturing method thereof are provided to form an uneven structure on an upper semiconductor layer to reduce the total reflection in a light emitting diode, thereby increasing the light emitting efficiency of the light emitting diode. CONSTITUTION: A first conductive lower semiconductor layer(120), an active layer(130), and a second conductive upper semiconductor layer(140) are formed on a substrate(110). A porous alumina layer(210) including a hole is formed on the upper semiconductor layer. Parts of the upper semiconductor layer, the active layer, and the lower semiconductor layer are etched to form an etching unit(260). The etching process is performed using an alumina layer as a mask.
Abstract translation: 目的：提供发光二极管及其制造方法以在上半导体层上形成不均匀结构，以减少发光二极管中的全反射，从而提高发光二极管的发光效率。 构成：在衬底（110）上形成第一导电下半导体层（120），有源层（130）和第二导电上半导体层（140）。 在上半导体层上形成包括孔的多孔氧化铝层（210）。 对上半导体层，有源层和下半导体层的部分进行蚀刻以形成蚀刻单元（260）。 使用氧化铝层作为掩模进行蚀刻处理。
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公开(公告)号：KR1020100101485A
公开(公告)日：2010-09-17
申请号：KR1020090019990
申请日：2009-03-09
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L33/12
CPC classification number: H01L33/0079
Abstract: PURPOSE: A lighting device manufacturing method is provided to manufacture lighting devices of high efficiency, low costs, and large size and to prevent the generation of a crack during a manufacturing process. CONSTITUTION: A lighting device includes a step which forms a separation layer by injecting ion into a substrate or a lower semiconductor layer. The upper part and the lower part of the separation layer are separated through a thermal process. The lower semiconductor layer is separated from a separation layer and is divided into a first lower semiconductor layer(11a) and a second lower semiconductor layer(11b).
Abstract translation: 目的：提供一种照明装置制造方法，用于制造高效率，低成本和大尺寸的照明装置，并且防止在制造过程中产生裂纹。 构成：照明装置包括通过将离子注入基底或下半导体层形成分离层的步骤。 分离层的上部和下部通过热处理分离。 下半导体层与分离层分离，分为第一下半导体层（11a）和第二下半导体层（11b）。
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公开(公告)号：KR1020100025836A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：KR1020080084554
申请日：2008-08-28
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/336 , H01L21/20 , H01L21/027 , B82Y40/00
CPC classification number: H01L21/823456 , B82Y40/00 , H01L21/02603
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a nano-wire multichannel field effect transistor(FET) device is provided to determine the current size of a source-drain by adjusting the number of nano-channel through a semiconductor process. CONSTITUTION: A V-groove nano-wire array is formed on a substrate(4) or a thin film on the substrate through a photolithography process and a wet-etching process. A nano-material is self-assembled in the V-groove(11) of the V-groove nano-wire array through a solution process. A multichannel is composed of the V-groove nano-wire array with self-assembled nano-materal. A source electrode(5) and a drain electrode(6) are formed. The multichannel is arranged between the source electrode and the drain electrode. A back-gate electrode(7) is formed on the back side of the substrate to form a V-groove FET device.
Abstract translation: 目的：提供一种制造纳米线多通道场效应晶体管（FET）器件的方法，通过调整半导体工艺中的纳米通道的数量来确定源漏的电流大小。 构成：通过光刻工艺和湿蚀刻工艺在衬底（4）或衬底上的薄膜上形成V形沟槽纳米线阵列。 纳米材料通过溶液法在V形槽纳米线阵列的V形槽（11）中自组装。 多通道由具有自组装纳米侧面的V沟纳米线阵列组成。 形成源电极（5）和漏电极（6）。 多通道布置在源电极和漏电极之间。 背板电极（7）形成在衬底的背面，以形成V沟槽FET器件。
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公开(公告)号：KR1020060037925A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：KR1020040087027
申请日：2004-10-29
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: G02F3/00
Abstract: 본 발명은 단일 반도체 광증폭기(SOA)의 이득포화 특성을 이용한 전광 OR 논리소자 구현장치 및 방법에 관한 것으로서, 특히 광컴퓨팅과 같은 광회로의 임의의 지점에서 전송되는 광신호를 펌프신호와 조사신호로 이용하여 전광 논리동작을 하는 새로운 전광 OR 논리소자를 구현하는 기술에 관한 것이다.
본 발명에 의하면, 광펄스를 생성하기 위한 광펄스 발생기와; 상기 광펄스 발생기로부터 입력신호 패턴 A와 B를 생성하기 위한 모드잠김 광섬유 레이저(MLFL); 상기 모드잠김 광섬유 레이저의 출력광을 50:50으로 분리하기 위한 제1 광분배기; 상기 제1 광분배기로부터 출력광의 시간 지연을 얻기 위한 제1 광지연수단; 상기 제1 광분배기로부터 출력광의 세기와 편광을 조절하기 위한 광조절 수단; 상기 제1 광지연수단 및 광조절 수단으로부터의 출력광을 결합시켜 조사신호로서 입력신호 패턴 A를 발생시키는 제1 광결합기; 상기 제1 광결합기로부터의 출력광을 50:50으로 분리하기 위한 제2 광분배기; 상기 제2 광분배기로부터의 출력광이 시간 지연되어 입력신호 패턴 B가 발생되는 제2 광지연수단; 상기 입력신호 패턴 B가 50:50으로 분리되기 위한 제3 광분배기; 상기 제3 광분배기에서 한 측의 입력신호 패턴 B를 펌프신호로 증폭하기 위한 어븀첨가 광섬유 증폭기(EDFA); 상기 펌프신호와 조사신호가 반대방향으로 입사되는 반도체 광증폭기(SOA); 상기 반도체 광증폭기로부터의 출력신호와 입력 신호 패턴(B)를 결합하는 제2 광결합기; 및 상기 제2 광결합기로부터의 출력광을 검출하여 분석하는 광신호 분석기를 포함하는 것을 특징으로 하는 전광 OR 논리소자 구현장치 를 제시한다.
반도체 광증폭기(SOA), 전광 OR 논리소자, 조사신호, 펌프신호-
公开(公告)号：KR100570799B1
公开(公告)日：2006-04-13
申请号：KR1020030093617
申请日：2003-12-19
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G06F7/50
Abstract: 본 발명은 반도체 광증폭기 (SOA)의 이득포화 특성을 이용하여 전광 가산기를 구현할 수 있는 기술로서, 전광 가산기의 SUM과 CARRY의 동작에는 각각 2개의 전광 XOR 논리소자와 4개의 전광 NOR 논리소자가 이용되었으며, 두 연산이 동시에 구현되었다.
전광 가산기, XOR 논리소자, NOR 논리소자, 반도체 광증폭기, SUM, CARRY-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020060024930A
公开(公告)日：2006-03-20
申请号：KR1020040073803
申请日：2004-09-15
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: G02B6/12 , G02B27/28 , G02B2006/12157 , G02F1/09
Abstract: 본 발명은 자기 광학적 효과를 이용한 다중모드 간섭영역을 갖는 집적화된 광 아이솔레이터 제조방법에 관한 것으로, 특히 다중모드 간섭을 일으키는 1 ×1 단일 다중모드 영역에 자장을 인가하여 유효 굴절율을 변화시킨 광 아이솔레이터를 제조하는 방법에 관한 것이다.
본 발명의 자기 광학적 효과를 이용한 다중모드 간섭영역을 갖는 집적화된 광 아이솔레이터 제조방법은 다중모드 도파로 영역에 빛의 진행방향에 수직이면서 광 도파로 평면에 평행한 방향으로 외부 자장을 가하여 전방으로 진행하는 빛과 후방으로 진행하는 빛이 각각 서로 다른 유효 굴절율(effective refractive index)을 갖도록 하는 자기 광학적 효과를 이용한 다중모드 간섭영역을 갖는 집적화된 광 아이솔레이터 제조방법을 포함한다.
자기 광학적 효과, 다중모드 간섭영역, 집적화된 광 아이솔레이터-
公开(公告)号：KR100523871B1
公开(公告)日：2005-10-26
申请号：KR1020030025361
申请日：2003-04-22
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G02F3/00
Abstract: 본 발명은 반도체 광증폭기의 이득포화 특성을 이용한 전광 NOR 논리소자 구현장치 및 그 방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 광컴퓨팅과 같은 광회로의 임의의 지점에서 전송되는 광신호를 펌프신호와 조사신호로 이용하여 논리소자 중에 특히 10Gbit/s 전광 NOR 논리소자를 구현하는 장치 및 그 구현방법에 관한 것이다.
본 발명의 전광 NOR 논리소자 구현방법은, 1100의 입력신호 패턴 A와 0110의 입력신호 패턴 B의 입력신호 합인 A+B 신호를 펌프신호(1110)로 이용하고 상기 1100의 입력신호 패턴 A로 클락신호를 만들어 조사신호(1111)로 이용하여, 상기 조사신호와 펌프신호를 반도체 광증폭기(SOA)에 동시에 반대방향으로 입사시켜 불리언(Boolean) 논리식 를 얻음을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 전광 NOR 논리소자는 반도체 광증폭기의 이득포화 특성을 이용하는 XGM(Cross Gain Modulation) 방법으로 구현되기 때문에 구조가 간단하며, 다른 기능의 전광 논리소자들이 동일한 방법으로 구성될 수 있으므로 전광회로 및 전광 시스템 구현에 중요한 역할을 할 것으로 기대된다.-
公开(公告)号：KR1020040089772A
公开(公告)日：2004-10-22
申请号：KR1020030023559
申请日：2003-04-15
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01S3/10
Abstract: PURPOSE: A method for equalizing pulse amplitude using a polarization maintaining laser resonator is provided to equalize the pulse amplitude without using an additional device by removing unevenness of the pulse amplitude. CONSTITUTION: An optical intensity modulator(12) is used for modulating intensity of beam according to an electric modulation signal. An optical isolator(14) is used for transmitting the forward beam and reflecting the backward beam. A tunable filter(16) is used for tuning an oscillating wavelength of the laser. An Er-doped fiber(18) is used as a gain medium of the laser. A WDM coupler(20) is used for coupling optical fibers. A laser diode(22) is used for supplying energy by pumping the Er-doped fiber. A dispersion shifted fiber(24) is used for optimizing dispersion values of the laser resonator. An m:n coupler(26) is used for outputting partially the laser beams. An optical delay line(28) is used for changing the length of the laser resonator.
Abstract translation: 目的：提供一种使用偏振保持激光谐振器均衡脉冲幅度的方法，以通过消除脉冲幅度的不均匀而不使用附加装置来均衡脉冲幅度。 构成：光强度调制器（12）用于根据电调制信号调制光束的强度。 光隔离器（14）用于传输前向光束并反射后向光束。 可调滤波器（16）用于调谐激光器的振荡波长。 掺铒光纤（18）用作激光的增益介质。 WDM耦合器（20）用于耦合光纤。 激光二极管（22）用于通过泵浦掺铒光纤来提供能量。 色散位移光纤（24）用于优化激光谐振器的色散值。 使用m：n耦合器（26）部分地输出激光束。 光学延迟线（28）用于改变激光谐振器的长度。
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公开(公告)号：KR100361034B1
公开(公告)日：2002-11-21
申请号：KR1020000078679
申请日：2000-12-19
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G02B6/00
Abstract: 본 발명은 마하젠더 간섭기형 전광 파장변환기의 전광 앤드(AND) 논리 연산방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 비선형 특성을 갖는 마하젠더 간섭계 형태의 반도체 광증폭기로 구성된 XPM 파장변환기를 이용하여 소형이면서 작은 입력강도의 초고속 논리연산을 구현토록 하는 기술에 관한 것이다.
본 발명에 따르면, 일정 수준의 연산속도를 구현하기 위한 광펄스를 생성하는 광섬유 모드록 레이저와; 광출력을 감쇠시키는 광 감쇠기와; 다중화기와; 제 1광지연선로와; 50 : 50으로 광세기를 분리시키는 3-dB 광섬유커플러와; 최대의 광파장 효율을 얻기 위한 편광상태를 맞추기 위한 편광조절기와; 제 2광지연선로와; 광파장을 전송시키는 광 격리기와; XPM 파장변환기와; 어븀첨가광증폭기와; 광파장 필터와; 광신호분석기를 포함하여 구성됨으로서
상기 XPM 파장변환기에서 도파로 부분의 전류를 조절하여 신호 A의 출력이 정상적으로 신호 C로 출력되도록 간섭계를 구성하는 두 도파로의 전류를 조절하고, 신호 A의 지연시간을 적절히 조절하여 신호 B와 동조시킴으로서 앤드(AND) 논리 연산을 수행하는 것을 특징으로 하는 마하젠더 간섭기형 전광 파장변환기의 전광 앤드 논리 연산방법이 제시된다.-
公开(公告)号：KR100279062B1
公开(公告)日：2001-01-15
申请号：KR1019970034886
申请日：1997-07-25
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 능동형 모드 록킹된 광섬유 고리형 극초단 펄스 레이저 장치 및 이를 이용한 펄스의 폭 및 반복성 조절 방법이 개시된다. 종래의 능동형 모드 록킹된 펄스형 레이저 장치에서 출력되는 펄스의 펄스 폭과 반복성이 광 변조기의 주파수에 관계되기 때문에 레이저 장치에서 출력되는 펄스의 반복성과 펄스 폭은 광 변조기가 작동하는 최대 주파수에 의해서 제한된다는 문제가 있었다. 따라서, 본 발명에서는 종래의 능동형 모드 록킹된 레이저 장치에 두 개의 광 변조기를 사용하여, 상기 두 개의 광 변조기에 0 또는 π이외의 위상차 신호를 인가하여 반복성을 변화시키지 않으면서 레이저 출력의 펄스 폭을 줄일 수 있고, 또 위상차가 π인 신호를 인가하여 반복성은 두배로 되면서 펄스 폭이 줄어든 레이저 펄스를 얻을 수 있도록 하였다. 따라서, 레이저 장치의 출력 외부에서 펄스를 압축하는 종래의 방법에 비하여 방법이 극히 간단하고, 레이저 펄스의 펄스 폭만 또는 반복성과 펄스 폭을 동시에 줄일 수 있는 작용 효과가 있다.
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