公开(公告)号：KR1019980044283A

公开(公告)日：1998-09-05

申请号：KR1019960062350

申请日：1996-12-06

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 윤선진 ,  이중환 ,  남기수

IPC: C23C16/44

Abstract: 본 발명은 화학기상증착형 원자층 에피택시 장치 및 화학기상증착 장치의 외부 액체소스 증기 공급장치에 관한 것으로, 특히, 증착에 사용되는 액체소스를 외부 가열장치에서 가열하여 소스 증기를 생성하는 동시에, 고온 운반 가스 공급장치를 이용하여 고온의 운반가스를 액체소스에 공급함으로써, 고온의 소스 증기를 중도에 응축됨이 없이 증착장치의 반응실로 공급할 수 있도록 구성된 외부 액체소스 증기 공급장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 외부 액체소스 공급장치는, 온도조절장치(6)에 의해 온도를 조절하면서 운반가스를 가열하여 외부 액체소스 모듈(8)에 공급하기 위한 고온 운반가스 공급장치(7)와, 온도조절장치(9)에 의해 온도가 조절되는 한편, 상기한 고온 운반가스 공급장치(7)에 의해 공급된 운반가스에 의해 소스증기를 증착장치의 반응실(10)로 공급하기 위한 외부 액체소스 모듈(8)과, 고온의 운반가스 및 고온의 운반가스와 소스증기의 혼합가스를 단열시켜 공급하도록 하는 가스 공급 튜브(4)를 포함한다. 또한, 본 발명의 외부 액체소스 공급장치는, 운반가스 공급용 튜브(3)를 통해 공급된 실온의 운반가스를 가열하는 동시에, 액체소스 용기를 가열하여 가스 공급용 튜브(4)를 통해 고온의 운반가스와 소스증기의 혼합가스를 공급하기 위한 대류가열형 액체소스 캐비넷(11)과, 운반가스가 캐비넷(11) 내에 충분히 오래 머물면서 가열되도록 둥글게 감긴 형상을 지닌 수미터 이상의 긴 스테인레스스틸 또는 구리 튜브(1)와, 캐비넷(11) 내에 설치된 열전대 등과 같은 온도센서(9a)에 의해 온도를 연속적으로 측정하면서 캐비넷(11) 내의 온도를 일정하게 유지시키기 위한 온도조절장치(9)와, 액체소스가 저장되는 액체소스 용기(14)를 포함한다.

公开(公告)号：KR100133490B1

公开(公告)日：1998-04-23

申请号：KR1019930028692

申请日：1993-12-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 송윤호 ,  유병곤 ,  남기수

IPC: H01L21/20

Abstract: 본 발명은 박막 트랜지스터용 다결정 실린콘 제조방법에 관한 것으로서, 종래에 열처리 시간이 길고, 결정립 크기의 균일도가 나쁜 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명에서는 유리 기판(1)위에 홈을 형성하는 공정(A)과, 상기 기판(1)위에 열처리에 의해서 다결정 실리콘(3)을 형성하는 공정(B)과, 상기 다결정 실리콘(3)을 소정모양으로 만드는 공정(C)을 제공함으로써, 고성능의 트랜지스터를 제작할 수 있고, 균일한 특성을 가진 작은 크기의 트랜지스터도 쉽게 제작할 수 있다.

公开(公告)号：KR100129817B1

公开(公告)日：1998-04-06

申请号：KR1019940014063

申请日：1994-06-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 송윤호 ,  유병곤 ,  남기수

IPC: H01L21/336

Abstract: The thin film transistor manufacturing method is comprised of the step of (a) depositing an amorphous silicon thin film(20') on a transparent insulating substrate(10), the step of (b) solid-phase-crystallizing the amorphous silicon thin film(20') in an electric furnace of more than atmospheric pressure comprising one of inert gas or active gas, or fixed gas of more than at least two among these gases, forming a polycrystalline silicon thin film(20), the step of (c) forming a polycrystalline silicon active area(20) using the lithography and etching of the polycrystalline silicon thin film(20), the step of (d) forming a gate silicon oxide film(30) and a gate polycrystalline silicon(40) in succession thereon, then performing ion plantation of impurity to form the source and drain(50), and the step of (e) depositing a metal thin film on the source and drain(50) to form a metal electrode(70).

Abstract translation: 薄膜晶体管的制造方法包括以下步骤：（a）在透明绝缘基板（10）上沉积非晶硅薄膜（20'），（b）使非晶硅薄膜固相结晶 （20'）在大气压的电炉中，包括惰性气体或活性气体中的一种或这些气体中至少两种以上的固定气体，形成多晶硅薄膜（20），步骤（c ）使用多晶硅薄膜（20）的光刻和蚀刻形成多晶硅有源区（20），（d）连续形成栅极氧化硅膜（30）和栅极多晶硅（40）的步骤 然后进行杂质的离子种植以形成源极和漏极（50），以及（e）在源极和漏极（50）上沉积金属薄膜以形成金属电极（70）的步骤。

公开(公告)号：KR100125059B1

公开(公告)日：1997-10-01

申请号：KR1019930028479

申请日：1993-12-18

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 안근영 ,  박경호 ,  남기수 ,  강상원

IPC: H01L21/30

公开(公告)号：KR1019970033088A

公开(公告)日：1997-07-22

申请号：KR1019950050107

申请日：1995-12-14

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김상기 ,  이재진 ,  남기수

IPC: B08B3/12

Abstract: 본 발명은 초음파 세척장치에 관한 것이다.
좀 더 구체적으로, 본 발명은 초음파 세척장치의 진동자를 세척조의 일측면에 부설하거나 진동자를 세척조의 하면에 세척조 저면과 일정한 각도로 경사지게 부설함으로써, 세척하고자 하는 물체의 형상에 관계없이 높은 세척효과로 물체를 균일하게 세척할 수 있는 초음파 세척장치에 관한 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 초음파 세척장치는, 세척장치 본체와 세척물을 세척하기 위한 매질이 충진되는 세척조 및 초음파를 발생시키는 진동자로 구성된 초음파 세척장치에 있어서, 상기한 진동자가 세척조의 일측면에 부설된 것을 특징으로 한다. 또한, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 초음파 세척장치는, 세척장치 본체와 세척물을 세척하기 위한 매질이 충진되는 세척조 및 초음파를 발생시키는 진동자로 구성된 초음파 세척장치에 있어서,복수개의 진동자가 세척조의 하부에 세척조 저면과 일정한 각도로 경사지게 부설된 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR100117346B1

公开(公告)日：1997-07-01

申请号：KR1019930029625

申请日：1993-12-24

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박경호 ,  안근영 ,  남기수 ,  강상원

IPC: H01H59/00

公开(公告)号：KR1019970023597A

公开(公告)日：1997-05-30

申请号：KR1019950034144

申请日：1995-10-05

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 남기수 ,  박신종 ,  박상준 ,  김상호

IPC: H01J31/00

Abstract: 본 발명은 플랫 패널 디스플레이에 관한 것으로, 칼라발생용 앞판과 능동소자가 형성된 뒷판 및 지지용 유리판에 블랙매트릭스를 적절하게 형성위치를 달리하여 조건에 맞는 고화질의 대면적화가 이루어지는 디스플레이를 제공하는 것이다.

公开(公告)号：KR1019960026437A

公开(公告)日：1996-07-22

申请号：KR1019940036334

申请日：1994-12-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 송윤호 ,  박경호 ,  남기수

IPC: H01L21/334

Abstract: 본 발명은 고화질의 액티브 매트릭스 액정표시장치(active matrix LCD)에서 패널의 픽셀 스위치(pixel switch) 또는 주변 구동집적회로(drive IC)에 유용한 다결정 실리콘 박막 트랜지스터(polysilicon thin film transistor)를 제조하는 방법에관한 것이다.
본 발명은 박막 트랜지스터의 채널영역인 다결정 실리콘박막의 형성을 위한 비정질 실리콘의 고상결정화 공정을 고압의 산소분위기에서 수행함으로써, 결정핵 생성 및 결정립 공정을 짧은 시간내에 유도하여 전체적인 고상결정화 열처리 시간을 단축함과 동시에 균일한 결정립을 가진 양질의 다결정 실리콘으로 이루어진 채녈영역을 형성한다.

公开(公告)号：KR1019960004903B1

公开(公告)日：1996-04-17

申请号：KR1019920025025

申请日：1992-12-22

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 송윤호 ,  백종태 ,  남기수

IPC: C30B29/06

Abstract: The method of fabricating a semiconductor device is proceeded in such a manner that amorphous silicon is deposited on a substrate(1) and undergoes rapid thermal process to form crystalline nucleus, and then the amorphous silicon undergoes low temperature thermal process to grow grain boundary, thereby forming polycrystalline silicon(3) in high quality.

Abstract translation: 制造半导体器件的方法以非晶硅沉积在衬底（1）上并进行快速热处理以形成晶核的方式进行，然后非晶硅经历低温热处理以生长晶界，由此 以高品质形成多晶硅（3）。

公开(公告)号：KR1019950021035A

公开(公告)日：1995-07-26

申请号：KR1019930028671

申请日：1993-12-20

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 안근영 ,  남기수 ,  강상원

IPC: H01L21/32

Abstract: 본 발명은 X선 마스크 제조방법에 관한 것으로서, 종래에 X선 마스크에서 흡수체가 종횡비가 커서 기계적으로 불안정하고, 흡수체 자체의 박리현상까지 발생하는 문제점을 해결하기 위하여 본 발명에서는 흡수체(204)를 투과막(202)내에 매몰시킴으로써 종횡비를 가지면서, 구조적으로 안정한 X선 마스크를 제작할 수가 있다.