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公开(公告)号：KR1020110066607A
公开(公告)日：2011-06-17
申请号：KR1020090123338
申请日：2009-12-11
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/86 , H01L29/737
CPC classification number: H01L29/66318 , H01L21/8252 , H01L27/0605 , H01L29/66204 , H01L29/7371 , H01L29/868
Abstract: PURPOSE: A monolithic microwave integrated circuit device and a method for forming the same are provided to simplify a process by forming the electrode of HBT(Heterojuction Bipolar Transistor) and a PIN diode. CONSTITUTION: In a monolithic microwave integrated circuit device and a method for forming the same, a sub-collector layer(110) is formed on the HBT domain and PIN diode area of a substrate(100). A collector layer(120) is formed on the Sub-collector layer. A base layer(130) is formed on the collector layer. An emitter layer(140) and an emitter cap layer(150) are formed on the base layer. The emitter pattern and the emitter cap pattern of the HBT region are formed by patterning the emitting layer and the emitter cap layer.
Abstract translation: 目的：提供单片微波集成电路器件及其形成方法，以通过形成HBT（异质双极晶体管）电极和PIN二极管来简化工艺。 构成：在单片微波集成电路器件及其形成方法中，在基底（100）的HBT域和PIN二极管区域上形成子集电极层（110）。 集电极层（120）形成在子集电极层上。 在集电体层上形成基层（130）。 在基底层上形成发射极层（140）和发射极覆盖层（150）。 HBT区域的发射极图案和发射极帽图案通过图案化发光层和发射极盖层而形成。
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公开(公告)号：KR1020110052336A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：KR1020090109325
申请日：2009-11-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/336
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a transistor is provided to reduce resistance and parasitic capacitance by controlling the height of a Y-shaped gate electrode according to the thickness of a mold oxide layer with a trench and a depressed part. CONSTITUTION: A source electrode(11) and a drain electrode(12) are formed on a substrate(10). A mold oxide layer is formed on the substrate. A depressed part is formed on the upper side of the mold oxide layer between the source electrode and the drain electrode. A trench which exposes the substrate is formed by removing the mold oxide layer in the depressed part. A recess(26) is formed by removing the substrate exposed by the trench with a preset depth. A Y shaped gate electrode(30) is connected from the recess to the depressed part.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造晶体管的方法，通过根据具有沟槽和凹陷部分的模具氧化物层的厚度控制Y形栅电极的高度来降低电阻和寄生电容。 构成：在基板（10）上形成源电极（11）和漏电极（12）。 在基板上形成模具氧化物层。 在源电极和漏电极之间的模具氧化物层的上侧形成有凹部。 通过去除凹陷部分中的模制氧化物层来形成暴露基板的沟槽。 通过以预设深度去除由沟槽暴露的衬底而形成凹部（26）。 Y形栅电极（30）从凹部连接到凹部。
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公开(公告)号：KR1020110025500A
公开(公告)日：2011-03-10
申请号：KR1020090083600
申请日：2009-09-04
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/8128 , H01L29/42316 , H01L29/66863 , H01L21/02225 , H01L29/41725 , H01L29/42312
Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and a forming method thereof are provided to improve the low noise property by reducing the parasitic capacitance among the gate electrode, the source electrode, and the drain electrode. CONSTITUTION: An active layer is formed on the top of the substrate. The capping layer is formed on the active layer. A source and a drain electrode are formed on the capping layer. A gate electrode(140) is formed on the active layer. A first void region(155) is formed on the first side wall of the gate electrode. A second void region(156) is formed on the second side wall facing the first side wall.
Abstract translation: 目的：提供一种半导体器件及其形成方法，通过减小栅电极，源电极和漏电极之间的寄生电容来改善低噪声特性。 构成：在衬底的顶部上形成有源层。 覆盖层形成在有源层上。 源极和漏极形成在封盖层上。 在有源层上形成栅电极（140）。 第一空隙区域（155）形成在栅电极的第一侧壁上。 在面向第一侧壁的第二侧壁上形成第二空隙区域（156）。
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公开(公告)号：KR1020100061283A
公开(公告)日：2010-06-07
申请号：KR1020090028546
申请日：2009-04-02
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H03F1/0211 , H03F1/302 , H03F3/191
Abstract: PURPOSE: A bias circuit of a power amplifier is provided to control a bias current by controlling bias resistance or a bias control current. CONSTITUTION: A bias circuit comprises a reference voltage terminal(10), a bias terminal(20), and an output terminal(30). The reference voltage terminal is connected to a bias resistance. The bias resistance is connected to a first capacitor, a base of a first transistor, a collector of a second transistor, and a base of a third transistor. The bias terminal is connected to the first capacitor and the collector of the first transistor. The output terminal is connected to the collector of the third transistor. The output terminal is connected to a power amplifier in order to transfer a bias current.
Abstract translation: 目的：提供功率放大器的偏置电路，通过控制偏置电阻或偏置控制电流来控制偏置电流。 构成：偏置电路包括参考电压端子（10），偏置端子（20）和输出端子（30）。 参考电压端子连接到偏置电阻。 偏置电阻连接到第一电容器，第一晶体管的基极，第二晶体管的集电极和第三晶体管的基极。 偏置端子连接到第一晶体管的第一电容器和集电极。 输出端子连接到第三晶体管的集电极。 输出端子连接到功率放大器以传送偏置电流。
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公开(公告)号：KR100668363B1
公开(公告)日：2007-01-16
申请号：KR1020060029313
申请日：2006-03-31
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04B1/06
CPC classification number: H04B1/28 , H01Q1/24 , H03G3/3052
Abstract: An RF transceiver for a millimeter wave band radar senor using an MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit) is provided to enable a signal isolation block to frequency-convert a signal, transmitted from a transmission block, by using an IF of a local oscillation signal and transmit the frequency-converted signal through a band pass filter, thereby improving receive sensitivity as much as 20 to 30db. An RF transceiver for a radar senor comprises the followings: a transmission block(120) which amplifies a modulation signal and radiates the amplified modulation signal through a transmission antenna(106); a signal isolation block(122) which performs frequency conversion on a signal, transmitted from the transmission block(120), by using the IF(Intermediate Frequency) of a local oscillation signal and transmits the frequency-converted signal through a band pass filter(116); a reception block(121) which mixes an external signal, received through a receiving antenna(107), with a signal transmitted from the signal isolation block(122) and transmits the mixed signal; and an IF block(123) which receives a signal transmitted from the reception block(121), mixes the received signal with the local oscillation signal, and amplifies the mixed signal to outputs a bit signal.
Abstract translation: 提供了一种使用MMIC（单片微波集成电路）的毫米波段雷达传感器的RF收发器，以使信号隔离块能够通过使用本地振荡信号的IF对从传输块传输的信号进行频率转换， 通过带通滤波器传送经频率转换的信号，从而提高20至30db的接收灵敏度。 用于雷达传感器的RF收发器包括：传输块（120），其放大调制信号并通过发射天线（106）辐射放大的调制信号; 信号隔离块（122），其通过使用本地振荡信号的IF（中频）对从发送块（120）发送的信号进行频率转换，并通过带通滤波器（ 116）; 接收块（121），其将通过接收天线（107）接收的外部信号与从所述信号隔离块（122）发送的信号进行混合，并发送所述混合信号; 以及接收从接收块（121）发送的信号的IF块（123），将接收到的信号与本地振荡信号进行混合，并放大混合信号以输出位信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100644812B1
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：KR1020050118990
申请日：2005-12-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/335
Abstract: An RF electronic device and its manufacturing method are provided to obtain a uniform and precise T shaped gate electrode and to prevent the short of the T shaped gate electrode by using a T shaped insulating gate pattern. An etch stop layer(307) and an ohmic layer(308) are formed on a substrate(301). An insulating layer is formed on the ohmic layer. An insulating gate pattern is formed on the resultant structure by patterning selectively the insulating layer. A spacer is formed on the insulating gate pattern. A gate recess is formed on the etch stop layer and the ohmic layer by etching partially the etch stop layer and the ohmic layer. A first metal film is formed on the resultant structure. A photoresist pattern is formed on the first metal film. A second metal film is then formed on the photoresist pattern. The first metal film is eliminated from the resultant structure by using the second metal film as a mask.
Abstract translation: 提供一种RF电子器件及其制造方法，以获得均匀且精确的T形栅极电极，并通过使用T形绝缘栅极图案来防止T形栅极电极短路。 蚀刻停止层（307）和欧姆层（308）形成在衬底（301）上。 在欧姆层上形成绝缘层。 通过选择性地构图绝缘层来在所得结构上形成绝缘栅极图案。 隔离物形成在绝缘栅极图案上。 通过部分蚀刻蚀刻停止层和欧姆层，在蚀刻停止层和欧姆层上形成栅极凹部。 在所得结构上形成第一金属膜。 在第一金属膜上形成光致抗蚀剂图案。 然后在光致抗蚀剂图案上形成第二金属膜。 通过使用第二金属膜作为掩模从所得结构中消除第一金属膜。
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公开(公告)号：KR100636597B1
公开(公告)日：2006-10-23
申请号：KR1020050119004
申请日：2005-12-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/778 , H01L21/027
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公开(公告)号：KR100609681B1
公开(公告)日：2006-08-08
申请号：KR1020030090037
申请日：2003-12-11
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03D7/12
Abstract: 믹서 회로를 제공한다. 본 발명의 믹서 회로는 소스 단자를 접지하는 전계 효과 트랜지스터와, 상기 전계 효과 트랜지스터의 소스 단자에 접속되고, LO 신호를 상기 전계 효과 트랜지스터에 전달하는 LO 정합 회로와, 상기 전계 효과 트랜지스터의 소스 단자에 접속되고, LO 신호를 입력 받아 LO 정합 회로를 통하여 LO 주파수 대역의 신호를 상기 전계 효과 트랜지스터에 공급하는 신호 결합기 회로를 포함한다. 그리고, 본 발명의 믹서 회로는 상기 전계 효과 트랜지스터의 게이트 단자에 연결되고, IF 신호를 입력 받아 IF신호를 상기 전계 효과 트랜지스터에 전달하는 IF 정합 회로와, 상기 전계 효과 트랜지스터의 게이트 단자에 연결되어 바이어스를 가할 수 있는 게이트 바이어스 회로와, 상기 전계 효과 트랜지스터의 드레인 단자에 연결되어 바이어스를 가할 수 있는 드레인 바이어스 회로와, 상기 전계 효과 트랜지스터의 드레인 단자에 연결되어, RF 신호를 RF 출력 단자로 전달하는 RF 정합 회로를 구비한다. 본 발명의 믹서 회로는 LO 신호의 삽입 손실을 감소시키고 DC 차단과 동시에 저주파수 대역의 불요신호의 영향을 차단할 수 있고, LO 신호의 누설에 기인한 신호 변형 특성을 개선할 수 있다.
믹서 회로, 전계 효과 트랜지스터, 신호 결합기 회로-
公开(公告)号：KR100592765B1
公开(公告)日：2006-06-26
申请号：KR1020040099904
申请日：2004-12-01
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/336
Abstract: 본 발명은 반도체 소자의 티형 게이트 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판 상부의 소정 영역이 노출되도록 제1 감광막 패턴을 형성하는 단계와, 노출된 상기 기판의 일부분이 노출되도록 상기 노출된 기판 및 상기 제1 감광막 패턴 상에 제2 감광막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 결과물의 전체 상부면에 소정 두께의 금속층을 형성하는 단계와, 상기 제1,2 감광막 패턴 및 상기 제2 감광막 패턴의 상부에 형성된 금속층을 제거하는 단계를 포함함으로써, 종래의 티형 게이트 전극 형성 방법보다 간단한 공정을 통한 공정단가 절감과 공정 시간의 단축으로 생산성을 크게 증대시킬 수 있으며, 종래의 티형 게이트 전극 형성 방법보다 게이트 길이를 작게 할 수 있으므로 고주파 특성을 월등하게 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
고전자 이동도 트랜지스터(HEMT), 티형 게이트, 전자빔 리소그라피, 광 리소그라피, 화합물 반도체-
公开(公告)号：KR1020060058564A
公开(公告)日：2006-05-30
申请号：KR1020040097648
申请日：2004-11-25
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03B19/00
Abstract: 본 발명은 밀리미터파 대역의 고주파(RF) 시스템에 적용되는 주파수 체배기에 관한 것으로, 입력정합회로에 RC 병렬회로를 적용하여 높은 주파수 대역에서의 안정도 특성을 향상시키며, 게이트 바이어스 공급부의 저항값을 조절하여 낮은 주파수 대역에서의 안정도 특성을 향상시킨다. 또한, 출력정합회로의 출력단에 레이디얼-스터브(radial-stub)를 병렬로 연결하여 체배된 제 2 고조파(harmonic frequency)인 출력주파수(2fo)에 대해 입력주파수(fo)를 30dBc 이하로 억압시킨다. 밀리미터파 대역의 고주파(RF) 시스템에서 발진 주파수의 한계를 극복할 수 있으며, 77GHz 대역의 자동차 충돌 방지 레이다 시스템에 적용이 가능하다.
밀리미터파, 주파수 체배기, 정합회로, 병렬회로, 억압 특성
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