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公开(公告)号：KR1019990042381A
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019970063184
申请日：1997-11-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03G3/00
Abstract: 본 발명은 신호의 특성을 최대한 증폭하기 위한 고증폭 이득 저잡음 능동 발룬 회로를 제공하고자 하는 것으로, 이를 위해 본 발명은 하나의 입력신호에 응답하여 서로 위상이 반대인 제1 및 제2 출력신호를 출력하는 능동 발룬 회로에 있어서, 상기 입력신호를 게이트로 입력받는 소스 접지형 제1트랜지스터를 포함하여 상기 제1출력신호를 출력하는 제1캐스코드 증폭부; 및 상기 제1트랜지스터의 드레인단에 게이트가 연결되고 소스가 접지된 제2트랜지스터를 포함하여 상기 제2출력신호를 출력하는 제2캐스코드 증폭부를 포함하여 이루어진다.
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公开(公告)号：KR1019990042066A
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019970062769
申请日：1997-11-25
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03F3/00
Abstract: 본 발명은 가변이득 증폭기에 관한 것으로서, 특히 능동궤환과 가변저항을 이용한 가변이득 증폭기에 관한 것이다. 그 목적은 크기가 다른 입력신호를 받아들여 이를 그 크기에 따라 증폭하여 일정한 크기의 출력신호를 내보내는 역할을 하는 가변이득 증폭기에서 이득을 조절하는 경우에 생기는 이득과 전력특성의 저하를 최소화하는 가변이득 증폭기를 제공하는 데에 있다. 그 특징은 증폭수단 및 상기 증폭수단의 출력을 상기 증폭수단의 입력에 부궤환시키는 능동궤환수단으로 구성된 가변이득 증폭기에 있어서, 상기 능동궤환수단의 궤환량을 조절하여 그 조절된 궤환신호를 상기 증폭기에 입력하는 궤환량 조절수단을 더 포함하는 데에 있다. 이는 종래의 회로에 비하여 이득특성과 이득조절의 폭이 현저히 크며 전력특성의 저하도 거의 없다는 데에 그 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR100204067B1
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019960061701
申请日：1996-12-04
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/334
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
반도체 장치 제조방법
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
종래의 기술은 여러 단계의 전류흐름 상태를 갖도록 하기 위하여 여러 개의 소자로 구성되기 때문에 그 구성 및 공정이 복잡하고, 특성 또한 우수하지 못할 뿐만 아니라, 게이트 전압 변화에 대한 여유도가 작은 출력 특성을 나타내는 문제점이 있었음.
3. 발명의 해결방법의 요지
전계효과 트랜지스터의 드레인과 게이트 아래의 채널 사이의 도전층에 절연층을 삽입함으로써 드레인과 게이트 사이에서 채널층과 절연층 채널층이 반복되도록 구성하여 인가된 게이트 전압의 크기에 다라 절연층에 의해 게이트와 드레인 사이에 있는 구분된 채널이 선택되도록하여 여러 단계의 전류흐름 상태를 만들 수 있는 전계 효과 트랜지스터 제조 방법을 제공하고자 함.
4. 발명의 중요한 용도
게이트 전압에 따라 전류의 흐름을 선택할 수 있는 스위칭 회로에 이용됨.-
公开(公告)号：KR100169834B1
公开(公告)日：1999-02-18
申请号：KR1019950048740
申请日：1995-12-12
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명은 이중 산화방식의 유독가스 스크러버에 관한 것이다.
본 발명의 유독가스 스크러버는 스크러버 캐비넷 내에, 공기, 질소 및 수소의 가스 압력을 조절하기 위한 복수개의 가스압력 조절기와 유량조절을 위한 복수개의 유량조절기 및 밸브로 이루어진 가스압력 및 유량 조절수단과, 반도체 제조공정에서 배출되어 공정가스 라인을 통해 유입된 유독성 공정가스를 흡착제거시키고, 상기한 가스 압력 및 유량조절수단에 의행 유량이 조절되어 유입된 공기 및 질소를 사용하여 탈착이 이루어지는 활성탄 저장용기로 구성되어 유독성 가스를 1차 산화시키기 위한 제1산화수단과, 일단은 상기한 제1산화수단과 직렬로 연결되고 타단은 열 배기관과 연결되며, 상기한 가스 압력 및 유량조절수단에 의해 유량이 조절되어 유입된 공기 및 수소를 사용하여 점화연소시키는 연소기로 구성되어 상기한 제1산화수단을 거쳐 배출된 유독성 가스를 2차 산화시키기 위한 제2산화수단이 포함되어 구성된다.-
公开(公告)号：KR100170488B1
公开(公告)日：1999-02-01
申请号：KR1019950049251
申请日：1995-12-13
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/772
Abstract: 본 발명은 갈륨비소 전계효과 트랜지스터의 고주파 잡음모델링 방법에 관한 것으로서, 종래 저잡음 회로, 설계에 있어서 사용하고자 하는 소자의 게이트 폭에 대하여 사용되는 전류의 크기에 따라 주파수별로 잡음특성이 주어져야만 설계가 가능하였던 문제점을 해결하기 위해 각 잡음원의 크기를 드레인 전류변화에 대해 4개의 파라미터로 진성저항의 잡음온도와 출력단 등가 잡음 콘덕턴스를 기술함으로써 GaAs MESFET에 대하여 네개의 파라미터만 주어지면 설계가 가능하므로 회로 설계의 편이성을 가질 수 있는 것이다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100150571B1
公开(公告)日：1998-12-15
申请号：KR1019950050527
申请日：1995-12-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03K17/00
Abstract: 본 발명은 N형 트랜지스터만으로 의사적인 푸쉬풀 형태의 구동회로를 구현함으로써 종래의 DCFL 구동회로에 비해 적은 DC 전력이 소모될 수 있도록 한 갈륨비소 전계효과 트랜지스터를 이용한 디지털 IC에서의 구동회로에 관한 것으로, 자신의 드레인단이 전원전압에 연결된 DFET와, 상기 DEFT의 게이트단과 소오스단이 자신의 드레인단에 연결되고, 입력신호가 게이트단에 입력되는 EFET와, 상기 EFET의 드레인단에 연결되어 상기 DEFT와 EFET의 동작에 따라 전하를 축적 및 방출하는 커패시티브 부하로 구성된 DCFL 구동회로에 있어서, 상기 DFET 게이트단이 그 자신의 드레인단에 연결되고, 상기 EFET의 게이트단이 그 자신의 게이트단에 연결되며, 그 자신의 소오스단이 접지단에 연결되는 EFET와; 상기 DEFT의 게이트단과 소오스단 사이에 삽입되는 저항을 포함하여 구성된다.
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公开(公告)号：KR1019980050969A
公开(公告)日：1998-09-15
申请号：KR1019960069817
申请日：1996-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/335
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
다중게이트의 제조 방법
2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
좁은 간격의 다중 게이트 전극을 가지는 소자를 제어성 좋게 제조할 수 있도록 하기 위함.
3. 발명의 해결 방법의 요지
선택성장 방법으로 한 번의 리소그라피 공정으로 리세스 식각을 할 수 있고, 에피층 두께, 도핑농도를 조절하여 소자의 특성을 조절할 수 있고, 리소그라피 공정으로 게이트를 형성하여 선폭이 작은 다중 게이트를 손쉽게 형성함으로써 좁은 간격의 다중 게이트 전극을 가지는 소자를 제작할 수 있다.
4. 발명의 중요한 용도
반도체 소자 제조-
公开(公告)号：KR1019980046585A
公开(公告)日：1998-09-15
申请号：KR1019960064945
申请日：1996-12-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/09
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
광검출기 제조방법.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
비교적 낮은 제작 단가로 기판에 수직으로 입사한 빛을 효과적으로 흡수할 수 있는 구조를 갖으며 기존의 집적회로 제작 공정과 양립할 수 있는 적외선 감지 광검출기 및 그 제조방법을 제공하고자 함.
3. 발명의 해결방법의 요지
제1 도전형의 화합물 반도체 기판; 소정부위의 상기 제1 도전형의 화합물 반도체 기판내에 일정간격을 두고 상기 제1 도전형의 화합물 반도체 기판과 반대형의 불순물이 이온주입된 도핑된 초격자 영역; 상기 도핑된 초격자 영역의 수직한 양단에 형성된 제1 컬렉터 영역 및 제1 에미터 영역; 상기 제1 컬렉터 영역 및 제1 에미터 영역상에 형성된 각각의 제1 컬렉터 전극 및 제1 에미터 전극; 상기 도핑된 초격자 영역의 수평 방향으로 소정거리 이격되어 위치한 제2 컬렉터 영역 및 제2 에미터 영역; 및 상기 제2 컬렉터 영역 및 제2 에미터 영역상에 형성된 각각의 제2 컬렉터 전극 및 제2 에미터 전극을 구비하여 이루어진 적외선 감지 광검출기를 제공하고자 함.
4. 발명의 중요한 용도
광검출기 제조 공정에 이용됨.-
公开(公告)号：KR1019980044520A
公开(公告)日：1998-09-05
申请号：KR1019960062613
申请日：1996-12-06
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/20
Abstract: 본 발명에서는 InP를 기판으로 사용한 InGa(Al)As 고전자 이동도 트랜지스터 소자제작을 위한 소자구조의 완충층에서 일반적으로 격자상수를 맞추기 위해 In의 조성을 InGaAs일경우 53%, InAlAs일 경우 52%로 유지하고 있으나 완충층의 In 조성을 점차적으로 변화시켜 격자불일치를 극복하고 In의 조성을 높여 전도층의 In조성을 원하는만큼 높일 수 있는 구조에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR1019980043593A
公开(公告)日：1998-09-05
申请号：KR1019960061516
申请日：1996-12-04
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/336
Abstract: 본 발명은 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로, 초고주파 저잡음용 소자제작을 위해 게이트 저항을 줄이는 방법으로 T형 게이트가 사용되고 있는데, 종래의 방법은 공정이 복잡하거나 게이트의 두께에 제한으로 잡음지수를 줄이는데 한계가 있었다. 이러한 문제점을 해결하기 위한 본 발명은 에피구조를 이용하여 전계효과 트랜지스터를 제작할 때 게이트 길이를 줄이기 위해 이중 노광에 의해 게이트 패턴을 형성하고 얇은 금속막을 증착한 후 도금용 패턴을 형성하고 전기 도금으로 게이트를 형성하는 공정을 수행함으로 생산 단가와 수율을 높일 수 있으며, 잡음지수를 향상시킬 수 있는 반도체 소자의 게이트 형성 방법이 제시된다.
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