公开(公告)号：EP1087445A4

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：EP99900292

申请日：1999-01-13

Applicant: MITSUBISHI ELECTRIC CORP

Inventor： OHJI HIROSHI ,  TSUTSUMI KAZ ,  FRENCH PATRICK J

IPC: G01P15/08 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G01L1/00 ,  G01L9/00 ,  G01P15/00 ,  G01P15/09 ,  G01P15/12 ,  G01P15/125

CPC classification number: G01P15/125 ,  B81B2201/025 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81C1/00182 ,  B81C2201/0114 ,  G01L9/0042 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/123 ,  G01P2015/0817 ,  G01P2015/0828

Abstract: An inertia force sensor comprising a mass body (11) displaced when a force is applied to the mass body (11), at least one holding beam (12) holding the mass body (11), and a fixing section (13) fixing one end of the holding beam (12) so as to sensing the inertia force acting on the mass body (11) based on the displacement of the mass body (11), characterized in that the mass body (11) has a hollow structure made by removing the inside of a silicon substrate (1) by one process of etching, and the fixing section (13) is at least a part of the main body of the silicon substrate (1). Since the inertia force sensor is made of single crystal silicon, the mechanical characteristics and reliability are greatly imporoved.

公开(公告)号：EP1467946A1

公开(公告)日：2004-10-20

申请号：EP03700397.7

申请日：2003-01-16

Applicant: NCSR "DEMOKRITOS" ,  Nassiopoulou, Androula G.

Inventor： NASSIOPOULOU, Androula G.NCSR "Demokritos" ,  KALTSAS, GrigorisNCSR "Demokritos" ,  PAGONIS, Dimitrios, NickolaosNCSR "Demokritos"

IPC: B81B3/00 ,  G01K7/02 ,  G01F1/684

CPC classification number: B81C1/00071 ,  B81B2201/058 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81C2201/0114 ,  B81C2201/0115 ,  G01F1/6845 ,  G01K7/028

Abstract: This invention provides a miniaturized silicon thermal flow sensor with improved characteristics, based on the use of two series of integrated thermocouples (6, 7) on each side of a heater (4), all integrated on a porous silicon membrane (2) on top of a cavity (3). Porous silicon (2) with the cavity (3) underneath provides very good thermal isolation for the sensor elements, so as the power needed to maintain the heater (4) at a given temperature is very low. The formation process of the porous silicon membrane (2) with the cavity (3) underneath is a two-step single electrochemical process. It is based on the fact that when the anodic current is relatively low, we are in a regime of porous silicon formation, while if this current exceeds a certain value we turn into a regime of electropolishing. The process starts at low current to form porous silicon (2) and it is then turned into electropolishing conditions to form the cavity (3) underneath.Various types of thermal sensor devices, such as flow sensors, gas sensors, IR detectors, humidity sensors and thermoelectric power generators are described using the proposed methodology. Furthermore the present invention provides a method for the formation of microfluidic channels (16) using the same technique of porous silicon (17) and cavity (16) formation.

公开(公告)号：EP1383707A2

公开(公告)日：2004-01-28

申请号：EP02715619.9

申请日：2002-01-11

Applicant: International Business Machines Corporation

Inventor： DESPONT, Michel ,  DRECHSLER, Ute ,  MAGNUSON, Roy, H.

IPC: B81B3/00

CPC classification number: H01L21/30604 ,  B81B2201/12 ,  B81B2203/0118 ,  B81C1/00801 ,  B81C2201/0107 ,  B81C2201/0114 ,  B81C2201/0133 ,  C23F13/14

Abstract: A method for protecting a material of a microstructure comprising said material and a noble metal layer (8) against undesired galvanic etching during manufacture comprises forming on the structure a sacrificial metal layer (12) having a lower redox potential than said material, the sacrificial metal layer (12) being electrically connected to said noble metal layer (8).

公开(公告)号：EP1334060A1

公开(公告)日：2003-08-13

申请号：EP01992685.6

申请日：2001-10-06

Applicant: Robert Bosch GmbH

Inventor： BENZEL, Hubert ,  WEBER, Heribert ,  ARTMANN, Hans ,  SCHAEFER, Frank

IPC: B81B3/00

CPC classification number: B81C1/00595 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/036 ,  B81C2201/0114 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/0136 ,  B81C2203/0136

Abstract: The invention relates to the production of a micromechanical component, comprising a substrate (10), made from a substrate material with a first doping type (p), a micromechanical functional structure arranged in the substrate (10) and a cover layer for the at least partial covering of the micromechanical functional structure. The micromechanical functional structure comprises regions (15; 15a; 15b; 15c; 730; 740; 830) made from the substrate material with a second doping type (n), at least partially surrounded by a cavity (50; 50a-f) and the cover layer comprises a porous layer (30) made from the substrate material.

Abstract translation: 本发明涉及微机械部件的制造，该微机械部件包括由具有第一掺杂类型（p）的衬底材料制成的衬底（10），布置在衬底（10）中的微机械功能结构和用于at 微机械功能结构的至少部分覆盖。 微机械功能结构包括至少部分地由空腔（50; 50a-f）围绕的具有第二掺杂类型（n）的由衬底材料制成的区域（15; 15a; 15b; 15c; 730; 740; 830）; 覆盖层包括由基底材料制成的多孔层（30）。

公开(公告)号：EP0895276A1

公开(公告)日：1999-02-03

申请号：EP97830406.1

申请日：1997-07-31

Applicant: STMicroelectronics S.r.l.

Inventor： Murari, Bruno ,  Ferrari, Paolo ,  Vigna, Benedetto

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/762 ,  G01L9/00 ,  F16C11/06

CPC classification number: B81C1/00246 ,  B81B2203/033 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0114 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2203/0742 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/097 ,  H01L21/764

Abstract: The process comprises forming a buried sacrificial layer (5) of porous silicon in the starting substrate (2) and then a single-crystal epitaxial layer (7) intended to accommodate both the sensitive element and the integrated circuit. After forming electronic components (12, 18) in the epitaxial layer, the epitaxial layer (7) is anisotropically etched over the buried sacrificial layer (5) to form trenches (27) through which the buried sacrificial layer is then etched and removed. The suspended mass (30) thus obtained has high mechanical properties, high thickness, the process is wholly compatible with standard microelectronics techniques and can be implemented at low cost.

Abstract translation: 该工艺包括在起始衬底（2）中形成多孔硅的掩埋牺牲层（5），然后形成旨在兼容敏感元件和集成电路的单晶外延层（7）。 在外延层中形成电子部件（12,18）之后，在掩埋牺牲层（5）上各向异性地蚀刻外延层（7）以形成沟槽（27），然后通过该沟槽蚀刻和去除掩埋牺牲层。 这样获得的悬浮物（30）具有高机械性能，高厚度，该工艺与标准微电子技术完全兼容，并且可以以低成本实现。

公开(公告)号：JP2018523846A

公开(公告)日：2018-08-23

申请号：JP2018501866

申请日：2016-07-14

Applicant: テクノロジー イノベーション モメンタム ファンド(イスラエル)リミテッド パートナーシップ ,  Technology Innovation Momentum Fund(israel)Limited Partnership

Inventor： クリロフ, ヴィアチェスラフ ,  ラズ, アリエル ,  メンドロヴィック, デーヴィッド

IPC: B81B3/00 ,  G02B26/00

CPC classification number: H04N9/045 ,  B81B3/0056 ,  B81B2201/042 ,  B81C1/00507 ,  B81C2201/0114 ,  G02B26/001

Abstract: 新規の調整可能な微小電気機械(MEMS)エタロンシステムであって、このエタロンのアパーチャミラーである第1のミラーを懸架するための懸架構造を画定するようにパターニングされた機能層と、懸架構造に結合されたアパーチャミラーと、エタロンのバックミラーである第2のミラーを含んでいる裏面層とを含む、MEMSエタロンシステムが、本明細書において開示される。機能層は、裏面層の上に設置されてよく、裏面層は、アパーチャミラーとバックミラーとの間の最小の間隙を画定し、アパーチャミラーとバックミラーとの間の衝突を防止するために、裏面層からアパーチャミラーの方へ突出するスペーサ構造を備える。エタロン/ミラーの幅の間のアスペクト比は大きくてよく(たとえば、少なくとも500)、両ミラー間の最小の間隙/距離は。数十ナノメートル(nm)程度と小さくてよい。それゆえに、いくつかの実装形態では、アパーチャミラーとバックミラーとの間の平行度が、エタロンにわたる分光透過率プロファイルにおける空間的変動に関連した色アーチファクトを回避するように調節可能である。 【選択図】図2A

公开(公告)号：JP4327456B2

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：JP2002552847

申请日：2001-12-13

Applicant: ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツングRobert Bosch Gmbh

Inventor： アルトマン ハンス ,  ベンツェル フーベルト ,  シェーファー フランク ,  ヴェーバー ヘリベルト

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H01L29/84

CPC classification number: B81C1/00182 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81C2201/0114 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/0178

公开(公告)号：JP4308520B2

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：JP2002539252

申请日：2001-10-06

Applicant: ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツングRobert Bosch Gmbh

Inventor： アルトマン ハンス ,  ベンツェル フーベルト ,  シェーファー フランク ,  ヴェーバー ヘリベルト

IPC: B81B3/00 ,  G01P15/125 ,  B81C1/00 ,  H01L29/84

CPC classification number: B81C1/00595 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/036 ,  B81C2201/0114 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/0136 ,  B81C2203/0136

公开(公告)号：JP3902883B2

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：JP4754099

申请日：1999-02-25

Applicant: キヤノン株式会社

Inventor： 達哉 岩崎 ,  透 田

IPC: C25D11/04 ,  H01J1/304 ,  B81C1/00 ,  B82B3/00 ,  G01N27/403 ,  G01N27/414 ,  G11B5/73 ,  G11B5/855 ,  H01F1/00 ,  H01J9/02 ,  H01L21/3063

CPC classification number: H01F1/009 ,  B81C1/00087 ,  B81C2201/0114 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G11B5/7325 ,  G11B5/743 ,  G11B5/855 ,  G11C2213/81 ,  H01F1/0081 ,  H01J1/304 ,  H01J1/3042 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469 ,  Y10S977/778 ,  Y10S977/78 ,  Y10S977/939

公开(公告)号：US20190013151A1

公开(公告)日：2019-01-10

申请号：US15803155

申请日：2017-11-03

Applicant: Honeywell International Inc.

Inventor： Steven Tin ,  Neil Krueger

IPC: H01G7/02 ,  H02N1/08 ,  B81C1/00 ,  H04B1/04

CPC classification number: H01G7/025 ,  B81C1/00515 ,  B81C2201/0114 ,  B81C2201/0115 ,  H02N1/08 ,  H04B1/04

Abstract: An ultra-high charge density electret is disclosed. The ultra-high charge density electret includes a three-dimensional structure having a plurality of sidewalls. A porous silicon dioxide film is formed on the plurality of sidewalls, and the porous silicon dioxide film is charged with a plurality of positive or negative ions.