公开(公告)号：KR100298204B1

公开(公告)日：2001-08-07

申请号：KR1019980049842

申请日：1998-11-19

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김민건 ,  강성원 ,  오응기 ,  이재진

IPC: H03D3/00

Abstract: 본 발명은 입력되는 상보적인 RF+ 신호와 RF- 신호 간의 비대칭성을 보상하여, 선형성이 크게 향상된 이중밸런스능동혼합기를 제공하고자하는 것으로, 이를 위한 본 발명의 이중밸런스능동혼합기, 외부로부터 입력되는 서로 상보적인 위상을 갖는 제1 및 제2 고주파신호를 증폭하여 전달하는 입력단트랜지스터부와, 서로 상보적인 위상을 갖는 제1 및 제2 발진자신호에 응답하여 상기 입력단트랜지스터부로부터 출력되는 증폭된 제1 및 제2 고주파신호를 단속하므로써 서로 상보적인 제1 및 제2 중간주파신호를 출력하는 출력단트랜지스터부를 포함하는 이중밸런스능동혼합기에 있어서, 상기 입력단트랜지스터부는, 상기 외부로부터 입력되는 제1고주파신호를 게이트로 입력받아 증폭하는 제1트랜지스터; 상기 외부로부터 입력되는 제2고주파신호를 게이트로 입력받아 증폭하는 제2트랜지스터; 상기 외부로부터 입력되는 제1고주파신호를 소오스로 입력받아 증폭하는 제3트랜지스터; 및 상기 외부로부터 입력되는 제2고주파신호를 소오스로 입력받아 증폭하는 제4트랜지스터를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1020010048979A

公开(公告)日：2001-06-15

申请号：KR1019990053886

申请日：1999-11-30

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 문재경 ,  김해천 ,  곽명현 ,  이재진 ,  임종원

IPC: H01L29/78

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a field effect transistor is provided to efficiently radiate a lot of quantity of heat generated in a channel layer, and to reduce parasitic inductance by a bonding wire. CONSTITUTION: A channel layer is formed on a semiconductor substrate. A source electrode, a drain electrode and a gate electrode are formed on the channel layer. An insulating layer is formed on the channel layer, the source electrode, the drain electrode and the gate electrode. A bump composed of a conductive material is formed on the source electrode so that a part of the bump is buried in the insulating layer and the rest of the bump is protruded from the insulating layer.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造场效应晶体管的方法，以有效地辐射在沟道层中产生的大量热量，并且通过接合线来减少寄生电感。 构成：在半导体衬底上形成沟道层。 在沟道层上形成源电极，漏电极和栅电极。 在沟道层，源电极，漏电极和栅电极上形成绝缘层。 在源电极上形成由导电材料构成的凸块，使得凸块的一部分埋在绝缘层中，其余的凸块从绝缘层突出。

公开(公告)号：KR1020010044853A

公开(公告)日：2001-06-05

申请号：KR1019990047886

申请日：1999-11-01

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 오응기 ,  김민건 ,  강성원 ,  이재진

IPC: H04B7/208

CPC classification number: H04B1/18

Abstract: PURPOSE: A very high frequency integrated frequency conversion receiving circuit is provided so that it is employed in a wireless mobile communication system such as PCS, WLL and IMT2000 for general uses. CONSTITUTION: A wide band low noise amplification unit(202) amplifies a high frequency input signal. A frequency mixing unit(204) detects an intermediate frequency signal having a relatively high linearity by mixing a local oscillation frequency signal and the amplified high frequency signal outputted from the wide band low noise amplification unit(202). An intermediate frequency amplification unit(205) amplifies the intermediate frequency signal outputted from the frequency mixing unit(204) for thereby outputting a final intermediate frequency signal. An input matching circuit(201) unit performs impedance matching of a high frequency signal in a frequency band of the wireless mobile communication system to the high frequency input signal of the wide band low noise amplification unit(202), and decides an operating frequency band of a frequency conversion receiver.

Abstract translation: 目的：提供一种非常高频率的集成频率转换接收电路，以便在诸如PCS，WLL和IMT2000之类的无线移动通信系统中被用于一般用途。 构成：宽带低噪声放大单元（202）放大高频输入信号。 频率混合单元（204）通过混合本地振荡频率信号和从宽带低噪声放大单元（202）输出的放大高频信号来检测具有较高线性度的中频信号。 中频放大单元（205）放大从混频单元（204）输出的中频信号，从而输出最终的中频信号。 输入匹配电路（201）单元对无线移动通信系统的频带内的高频信号与宽带低噪声放大单元（202）的高频输入信号进行阻抗匹配，并且决定工作频带 的变频接收机。

公开(公告)号：KR100290460B1

公开(公告)日：2001-06-01

申请号：KR1019970072065

申请日：1997-12-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이창석 ,  강성원 ,  김민건 ,  이재진 ,  편광의

IPC: H03F3/45

Abstract: PURPOSE: A differential amplifier circuit is provided to easily remove various mixed frequency components from original differential signal by inputting signal with a source electrode and outputting signal with a drain electrode. CONSTITUTION: A differential amplifier circuit comprises a first load resistance, a second load resistance, a first transistor(22) and a second transistor(23). The first load resistance is connected with a power voltage distribution line(21) and a first output terminal. The second load resistance is connected with the distribution line and a second output terminal. In the first transistor, a drain electrode is connected with the first output terminal and the first signal is inputted through a source electrode, and the second signal is inputted through a gate. In the second transistor, a drain electrode is connected with a second output terminal and the second signal is inputted through the source electrode, and the first signal is inputted through the gate. The first signal is of reverse phase to that of the second signal.

公开(公告)号：KR100261286B1

公开(公告)日：2000-07-01

申请号：KR1019970069507

申请日：1997-12-17

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 이재진 ,  김민건 ,  편광의

IPC: H01L21/20

Abstract: PURPOSE: A structure of an epitaxial substrate for a single chip microwave device is provided to improve the electrical characteristic of an interfacial surface and a metal by preventing an oxide layer from being formed in the interfacial surface between the epitaxial substrate and the metal. CONSTITUTION: A structure of an epitaxial substrate(1) comprises the first substrate including a buffer layer(2) having a thickness of 1 micrometer for obtaining the resistance higher than the resistance of the epitaxial substrate(1), an active layer(3) capable of forming a channel, and a cap layer(4) doped with impurities. The second substrate is formed on the first substrate. The second substrate includes the first metal layer(5), a dielectric layer(6) which is grown on the first metal layer(5), and the second metal layer(7) which is made of metal identical to the first metal layer(5). The dielectric layer(6) consists of AlAs so that the dielectric layer(6) can be formed through a sequence process.

Abstract translation: 目的：提供用于单芯片微波器件的外延衬底的结构，以通过防止在外延衬底和金属之间的界面表面中形成氧化物层来改善界面和金属的电特性。 构成：外延衬底（1）的结构包括第一衬底，其包括厚度为1微米的缓冲层（2），用于获得高于外延衬底（1）的电阻的电阻，有源层（3） 能够形成通道，以及掺杂有杂质的盖层（4）。 第二基板形成在第一基板上。 第二基板包括第一金属层（5），在第一金属层（5）上生长的介电层（6）和与第一金属层相同的金属制成的第二金属层（7） 5）。 电介质层（6）由AlAs组成，使得介电层（6）可以通过顺序工艺形成。

公开(公告)号：KR1020000033137A

公开(公告)日：2000-06-15

申请号：KR1019980049842

申请日：1998-11-19

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김민건 ,  강성원 ,  오응기 ,  이재진

IPC: H03D3/00

CPC classification number: H03D7/1441 ,  H03D7/1458 ,  H03D7/1491 ,  H03D2200/0084

Abstract: PURPOSE: A double balanced active mixer is provided to convert a frequency mixer into a signal having a new frequency character by modulating or mixing a raido frequency(RF) with a local oscillation(LO) signal. CONSTITUTION: An input-terminal transistor part of a double balanced active mixer amplifies a first and a second radio frequency(RF) having complementary phases each other inputted from outside. An output-terminal transistor part outputs the complementary a first and a second intermediate frequency(IF) by controlling the amplified the first and the second RF signals outputted from the input-terminal transistor part to response a first and a second oscillation signals. The input-terminal transistor part comprises of: a first transistor amplifying the first RF signal inputted from the outside by a gate; a second transistor amplifying the second RF signal inputted from the outside by the gate; a third transistor amplifying the first RF signal by a source; and a fourth transistor amplifying the second RF signal by the source.

Abstract translation: 目的：提供双平衡有源混频器，通过调制或混合雷达频率（RF）与本地振荡（LO）信号将混频器转换为具有新频率特性的信号。 构成：双平衡有源混频器的输入端子晶体管部分放大从外部输入互补相位的第一和第二射频（RF）。 输出端子晶体管部分通过控制从输入端子晶体管部分输出的第一和第二RF信号的放大来响应第一和第二振荡信号来输出互补的第一和第二中频（IF）。 输入端子晶体管部分包括：通过栅极放大从外部输入的第一RF信号的第一晶体管; 放大由门从外部输入的第二RF信号的第二晶体管; 第三晶体管，通过源放大第一RF信号; 以及由所述源放大所述第二RF信号的第四晶体管。

公开(公告)号：KR100241357B1

公开(公告)日：2000-02-01

申请号：KR1019970069551

申请日：1997-12-17

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 맹성재 ,  김영기 ,  김민건 ,  이재진 ,  박철순 ,  편광의

IPC: H04B1/00

Abstract: 본 발명은 피드백을 이용한 MMIC 캐스코드 혼합기에 관한 것으로, 특히, 특히 무선통신 및 광통신에 사용되는 피드백을 이용한 MMIC 캐스코드 혼합기에 관한 것이다. 본 발명의 목적은 주파수 대역폭과 안정도를 향상하면서도 웨이퍼의 소요 면적을 절약하여 신뢰성이 증대되고 제작비용을 절감할 수 있는 피드백을 이용한 MMIC 캐스코드 혼합기를 제공하는 데에 있다. 본 발명의 피드백을 이용한 MMIC 캐스코드 혼합기는 게이트에 국부 발진기의 입력신호가 인가되고 드레인에서 주파수 변조된 중간 주파수를 얻는 제 1FET 및 게이트에 RF 주파수의 입력신호가 인가되는 제 2FET와, 상기 제 1FET의 게이트와 드레인 사이에 피드백으로 연결되어 상기 국부 발진기의 입력신호와 상기 중간 주파수의 출력신호에 대한 주파수 대역폭을 넓히고 회로의 안정도를 증가시키는 제 1안정수단과, 상기 제 2FET의 게이트와 드레인 사이에 피드백으로 연결되어 상기 RF 주파수의 입력신호와 상기 중간 주파수의 출력신호에 대한 주파수 대역폭을 넓이고 회로의 안정도를 증가시키는 제 2안정수단을 구비한다.

公开(公告)号：KR100233830B1

公开(公告)日：1999-12-01

申请号：KR1019960035937

申请日：1996-08-28

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 문재경 ,  김해천 ,  맹성재 ,  이재진

IPC: H01L29/778

Abstract: 본 발명은 E-MESFET와 D-MESFET 제조용 기판 구조 및 제조방법과 이를 이용한 E-MESFET와 D-MESFET의 구조 및 제조방법에 관한 것으로, 기판과 활성층 사이에 장벽층, 고농도로 도핑된 얇은 제2활성층과 저농도로 도핑된 두꺼운 제1활성층을 형성하고, 표면 캡층을 형성함으로써 기판 누설 전류를 감소시켜 출력 전력과 효율을 향상시키고, 항복 전압의 향상 및 선형성이 우수하고 낮은 상호 변조 왜곡 특성 등의 효과를 얻을 수 있으며, 이 기판을 이용하여 E-MESFET와 D-MESFET를 제작하고 T-형 게이트를 형성하여 잡음 특성을 개선할 수 있는 E-MESFET와 D-MESFET 기판 구조 및 제조방법과 이를 이용한 E-MESFET와 D-MESFET의 구조 및 제조방법이 개시된다.

公开(公告)号：KR100227782B1

公开(公告)日：1999-11-01

申请号：KR1019960061515

申请日：1996-12-04

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 맹성재 ,  이창석 ,  이재진 ,  편광의

IPC: H03F3/20

Abstract: 본 발명은 출력 전력이 입력 전력에 비례하는 원리를 이용하여 출력단 정합에 영향이 미치지 않도록 출력단에서 전력 레벨을 검출하지 않고, 입력단에서 입력 레벨을 검출하도록 함으로써, 출력단 정합과 출력 전력에 영향을 미치지 않고 게이트 전압을 용이하게 제어할 수 있는 게이트 전압 제어 회로에 관해 개시된다.

公开(公告)号：KR100223030B1

公开(公告)日：1999-10-01

申请号：KR1019960056396

申请日：1996-11-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김민건 ,  이창석 ,  이재진 ,  편광의

IPC: H01L27/06

Abstract: 본 발명은 초고주파 집적회로의 배선에서 기판 통전 구멍의 외곽에 또 다른 접지 기판 통전 구멍을 추가하고, 상기 두 통전 구멍 간의 거리를 조절하여 두 통전 구멍 사이에 생기는 커패시턴스의 크기를 변화시켜 기판 통전 구멍의 특성 임피던스를 조절할 수 있는 기판 통전 구멍의 임피던스 정합 방법에 관해 개시된다.