公开(公告)号：KR101230284B1

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：KR1020077021560

申请日：2006-03-07

Applicant: 델프멤스

Inventor： 밀레트,올리비어

IPC: H01H59/00

CPC classification number: H01H1/0036 ,  B81B5/00 ,  B81B2201/018 ,  H01H59/0009 ,  H01H2001/0063

Abstract: RF MEMS 스위치는 기판(1)에 보유되고 제1 위치(오프 상태/도 1)와 제2 위치(온 상태)의 두 위치 사이에서 작동 가능한 미세기계 스위칭 수단과, 스위칭 수단의 위치를 작동시키기 위한 작동 수단을 포함한다. 미세기계 스위칭 수단은 지지 수단(3)에 의해 자유롭게 지지되고, 작동 수단(7)의 작동 하에서 굴곡 가능하고, 굴곡 이동 동안 지지 수단(3)에 대해 자유롭게 활주 가능한 가요성 멤브레인(6)을 포함한다.

公开(公告)号：KR100723384B1

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：KR1020050082624

申请日：2005-09-06

Applicant: 삼성에스디아이 주식회사

Inventor： 장재은 ,  차승남 ,  진용완 ,  송병권

IPC: B82B3/00 ,  B82B1/00

CPC classification number: B81C1/00111 ,  B81B3/0086 ,  B81B2201/018 ,  H01H1/0094 ,  Y10S977/762 ,  Y10T29/49105

Abstract: 상호 접촉하여 스위칭되는 두 가닥의 나노와이어 간에 버닝현상이 일어나지 않고 안정적인 온오프(on-off) 스위칭 특성을 갖도록 그 구조가 개선된 나노와이어 전자기기소자 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따른 나노와이어 전자기기소자는, 절연기판, 상기 절연기판 위에 상호 이격되어 마련되는 것으로 일정한 음(-)전압이 인가되는 제1 전극과 일정범위에서 가변하는 양(+)전압이 인가되는 제3 전극, 상기 제1 전극과 제3 전극 사이에 개재되는 것으로 상기 제3 전극에 인가되는 전압 보다 더 작은 일정한 값의 양(+)전압이 인가되는 제2 전극, 상기 제1 전극 위에 수직성장되어 음전하가 대전되는 제1 나노와이어, 상기 제2 전극 위에 수직성장되어 양전하가 대전되는 제2 나노와이어 및 상기 제3 전극 위에 수직성장되어 그 가변전압의 크기에 대응하는 양전하가 대전되는 제3 나노와이어를 구비한다.

公开(公告)号：KR101852257B1

公开(公告)日：2018-06-11

申请号：KR1020160081590

申请日：2016-06-29

Applicant: 인피니언 테크놀로지스 아게

Inventor： 허츨러미카엘

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/08 ,  H01L27/24

CPC classification number: H01L29/4236 ,  B81B3/001 ,  B81B3/0086 ,  B81B2201/018 ,  B81B2203/051 ,  H01L27/088

Abstract: 스위칭디바이스는기판내에배치된개구를포함한다. 소스는개구에인접하여배치되고개구의측벽에평행한콘택트표면을갖는다. 드레인은개구에인접하여배치되고개구의측벽에평행한콘택트표면을갖는다. 이동가능한게이트스택은채널과게이트를포함한다. 이동가능한게이트스택은개구내에배치된다.

公开(公告)号：KR101391290B1

公开(公告)日：2014-05-02

申请号：KR1020120151757

申请日：2012-12-24

Applicant: 주식회사 디비하이텍

Inventor： 방기완

IPC: H01L29/00

CPC classification number: H01L24/11 ,  B81B2201/018 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/033 ,  B81C1/00182 ,  G01B11/14 ,  H01H1/16 ,  H01H35/02 ,  H01H35/142 ,  H01L24/13 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/0001

Abstract: An embodiment comprises a step of forming a lower electrode pattern on a substrate; a step of forming an etch-stop layer on the lower electrode pattern; a step of forming a first interlayer insulating layer on the etch-stop layer; a step of forming an upper electrode pattern on the first interlayer insulating layer; a step of forming a second interlayer insulating layer on the upper electrode pattern; a step of forming an etch-blocking layer disposed between the lower electrode pattern and the upper electrode pattern by passing through the second interlayer insulating layer and the first interlayer insulating layer; a step of forming a cavity which exposes the side of the etch-blocking layer by etching the second interlayer insulating layer and the first interlayer insulating layer; and a step of forming a contact ball within the cavity.

Abstract translation: 实施例包括在基板上形成下电极图案的步骤; 在所述下电极图案上形成蚀刻停止层的步骤; 在所述蚀刻停止层上形成第一层间绝缘层的步骤; 在所述第一层间绝缘层上形成上电极图案的步骤; 在上部电极图案上形成第二层间绝缘层的工序; 通过穿过第二层间绝缘层和第一层间绝缘层形成设置在下电极图案和上电极图案之间的蚀刻阻挡层的步骤; 形成通过蚀刻所述第二层间绝缘层和所述第一层间绝缘层而暴露所述蚀刻阻挡层的侧面的空腔的步骤; 以及在腔内形成接触球的步骤。

公开(公告)号：KR1020120006008A

公开(公告)日：2012-01-17

申请号：KR1020117019873

申请日：2010-03-18

Applicant: 델프멤스

Inventor： 세구에니,카림 ,  로페린,니콜라스

IPC: H01H59/00 ,  H01H1/00 ,  B81B3/00

CPC classification number: H01H59/0009 ,  B81B5/00 ,  B81B2201/018 ,  B81B3/00 ,  H01H1/0036

Abstract: MEMS 구조물은 길이 방향(X)을 한정하는 길이 방향 주축(6a)을 갖는 가요성 막(6), 상기 가요성 막(6) 아래에 있는 적어도 하나의 필라(3,3'), 가요성 막(6)을 하향력 상태로 구부려 내리는데 적합한 전기 하강 작동 수단(7), 및 가요성 막(6)을 상향력 상태로 구부려 올리는데 적합한 전기 상승 작동 수단(8)을 포함한다. 전기 하강 작동 수단(7) 또는 전기 상승 작동 수단(8)은 막(6)의 일 부분 아래로 연장하고 길이 방향(X)에서 상기 적어도 하나의 필라(3)의 양면에서 동시에 막(6)에 인장력을 가하는데 적합한 작동 영역(7c 또는 8c)을 포함한다.

公开(公告)号：KR100513723B1

公开(公告)日：2005-09-08

申请号：KR1020020071609

申请日：2002-11-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박영준 ,  송인상 ,  한인택

IPC: H01H59/00

CPC classification number: B81B3/0008 ,  B81B2201/018 ,  H01H59/0009

Abstract: MEMS 스위치에 관해 개시된다. 개시된 MEMS 스위치는: 기판과; 상기 기판 상면에 형성되는 신호선과; 상기 정전기력에 의해 변형되어 상기 신호선과 전기적으로 스위칭되는 빔과; 상기 신호선에 마련되는 것으로 상기 빔과의 전기적 접촉을 이루며, 외부로부터의 힘에 의해 탄성 변형하는 스프링형 접촉부를; 구비한다. 접촉부와 빔 간의 접촉의 안정성이 향상된다. 특히 빔 또는 그 하부의 접촉부가 공정 오차에 의해 다소 불균형적으로 형성된다 해도 탄력적 변형을 수반하는 접촉에 의해 이를 보상하여 안정된 전기적 스위칭을 얻을 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050026078A

公开(公告)日：2005-03-14

申请号：KR1020057001759

申请日：2003-05-13

Applicant: 엔엑스피 유에스에이, 인코포레이티드

Inventor： 포에르스트너,주에르젠,에이. ,  스미스,스티븐,엠. ,  루프,레이몬드,머빈

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00

CPC classification number: B81C1/0038 ,  B81B2201/018 ,  B81B2201/0292 ,  B81C1/00246 ,  B81C2201/0164 ,  B81C2203/0735 ,  H01G5/18

Abstract: A method is provided for making a MEMS structure (69). In accordance with the method, a CMOS substrate (51) is provided which has interconnect metal (53) deposited thereon. A MEMS structure is created on the substrate through the plasma assisted chemical vapor deposition (PACVD) of a material selected from the group consisting of silicon and silicon-germanium alloys. The low deposition temperatures attendant to the use of PACVD allow these materials to be used for MEMS fabrication at the back end of an integrated CMOS process.

Abstract translation: 提供了一种用于制造MEMS结构（69）的方法。 根据该方法，提供具有沉积在其上的互连金属（53）的CMOS基板（51）。 通过等离子体辅助化学气相沉积（PACVD）在由硅和硅 - 锗合金组成的组中选择的材料在衬底上产生MEMS结构。 使用PACVD的低沉积温度允许这些材料用于集成CMOS工艺后端的MEMS制造。

公开(公告)号：EP3237324A1

公开(公告)日：2017-11-01

申请号：EP15828494.3

申请日：2015-12-23

Applicant: THALES

Inventor： ZIAEI, Afshin ,  LE BAILLIF, Matthieu ,  MARTINS, Paolo ,  BANSROPUN, Shailendra

IPC: B81B7/00 ,  H01P1/12

CPC classification number: H01L41/08 ,  B81B3/0021 ,  B81B7/0019 ,  B81B2201/018 ,  H01G5/16 ,  H01G5/18 ,  H01H57/00 ,  H01H59/0009 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/0933

Abstract: According to one aspect of the invention, a capacitive radiofrequency electromechanical microsystem or capacitive RF MEMS comprising a metal membrane (1) suspended above an RF transmission line (3) and resting on ground planes (6a, 6b), and having a lower face (1b), and an upper face (1a) opposite the lower face and a first layer (7) comprising a refractory metal material (Matl) at least partially covering the upper face of the membrane so as to prevent heating of the membrane, is provided.

Abstract translation: 根据本发明的一个方面，提供了一种电容射频机电微系统或电容RF MEMS，其包括悬挂在RF传输线（3）上方并搁置在接地平面（6a，6b）上的金属膜（1），并且具有下表面 1b）以及与下表面相对的上表面（1a），并且第一层（7）包括难熔金属材料（Mat1），所述难熔金属材料至少部分地覆盖膜的上表面以防止膜的加热 。

公开(公告)号：EP3038126A1

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：EP14307128.0

申请日：2014-12-22

Applicant: DelfMEMS SAS

Inventor： Rollier, Anne-Sophie ,  Bonnabel, Antoine ,  Segueni, Karim

IPC: H01H59/00

CPC classification number: H01H59/0009 ,  B81B3/0051 ,  B81B2201/018 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00158 ,  B81C2201/013 ,  H01H49/00 ,  H01H2059/0027 ,  H01H2059/0036 ,  H01H2227/004

Abstract: The present invention relates to a method of manufacturing an MEMS device that comprises the steps of forming a first membrane layer over a sacrificial base layer, forming a second membrane layer over the first membrane layer, wherein the second membrane layer comprises lateral recesses exposing lateral portions of the first membrane layer and forming stoppers to restrict movement of the first membrane layer. Moreover, it is provided MEMS device comprising a movable membrane comprising a first membrane layer and a second membrane layer formed over the first membrane layer, wherein the second membrane layer comprises lateral recesses exposing lateral portions of the first membrane layer.

Abstract translation: 本发明涉及一种制造MEMS器件的方法，该方法包括以下步骤：在牺牲基底层上形成第一膜层，在第一膜层上形成第二膜层，其中第二膜层包括侧向凹槽， 的第一膜层并形成止挡件以限制第一膜层的运动。 此外，提供了包括可移动膜的MEMS装置，该可移动膜包括形成在第一膜层上的第一膜层和第二膜层，其中第二膜层包括暴露第一膜层的侧向部分的侧向凹部。

公开(公告)号：EP2902358A1

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：EP15153380.9

申请日：2015-01-30

Applicant: STMicroelectronics S.r.l.

Inventor： Carminati, Roberto ,  Conti, Sebastiano

IPC: B81B7/00 ,  G02B26/08

CPC classification number: B81B3/0062 ,  B81B3/0043 ,  B81B7/008 ,  B81B2201/018 ,  B81B2201/033 ,  B81B2201/042 ,  B81B2201/045 ,  B81B2203/058 ,  G02B26/0841 ,  G03B21/142 ,  G03B21/2033 ,  G03B21/28

Abstract: The MEMS device has a suspended mass (31) supported via a pair of articulation arms (32) by a supporting region (33). An electrostatic driving system (36), coupled to the articulation arms (32), has mobile electrodes (38) and fixed electrodes (39) that are coupled to each other. The electrostatic driving system is formed by two pairs of actuation assemblies (36), arranged on opposite sides of a respective articulation arm (32) and connected to the articulation arm through connection elements (30). Each actuation assembly (36) extends laterally to the suspended mass (31) and has an auxiliary arm (37) carrying a respective plurality of mobile electrodes (38). Each auxiliary arm is parallel to the articulation arms (32). The connection elements (30) may be rigid or formed by linkages.

Abstract translation: MEMS器件具有经由支撑区域（33）经由一对关节臂（32）支撑的悬挂块（31）。 耦合到关节臂（32）的静电驱动系统（36）具有彼此耦合的移动电极（38）和固定电极（39）。 静电驱动系统由两对致动组件（36）形成，所述致动组件布置在相应的关节臂（32）的相对侧上，并通过连接元件（30）连接到关节臂。 每个致动组件（36）横向延伸到悬挂质量块（31），并且具有承载相应多个移动电极（38）的辅助臂（37）。 每个辅助臂平行于铰接臂（32）。 连接元件（30）可以是刚性的或通过连杆形成。