公开(公告)号：CN102712462A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201080052626.7

申请日：2010-09-27

Applicant: 梅姆斯塔有限公司

Inventor： 安东尼·奥哈拉

IPC: B81C1/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/67069 ,  B81C1/00595 ,  B81C2201/0132 ,  H01L21/3065

Abstract: 用于蚀刻微结构及类似物的方法和装置，当使用二氟化氙(XeF2)蚀刻硅时，所述方法和装置对周围材料提供改进的选择性。通过向处理室添加氢气大大增强了蚀刻选择性。

公开(公告)号：CN102190284A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201010261039.0

申请日：2010-08-11

Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司

Inventor： 李刚 ,  胡维

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  G01P15/08 ,  G01L9/00

CPC classification number: G01L9/0042 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/0376 ,  B81C1/00182 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0177 ,  B81C2203/0118 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/123 ,  G01P2015/0828

Abstract: 本发明揭示了一种MEMS传感器及其应用于多种MEMS传感器制造的薄膜、质量块与悬臂梁的制造方法，该方法采用硅片正面刻蚀工艺结合淀积、外延工艺、湿法腐蚀、背面刻蚀等工艺形成感压单晶硅薄膜、悬臂梁、质量块、前腔、后腔及深槽通道，能够有效控制单晶硅薄膜的厚度，可取代传统的只从硅片背面腐蚀形成背腔以及单晶硅薄膜的方法。

公开(公告)号：CN101511722A

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200780033563.9

申请日：2007-07-23

Applicant: IDC公司

Inventor： 马尼什·科塔里 ,  杰弗里·B·桑普塞尔

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00579 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0132

Abstract: 本文提供用于在MEMS装置的制造期间防止表面关联电荷的形成和累积以及与其相关联的有害效应的方法。在一些实施例中，本文提供的方法包含在存在离子化气体的情况下蚀刻牺牲材料，其中所述离子化气体中和在所述蚀刻过程期间产生的带电物质，且允许将带电物质与其它蚀刻副产物一起移除。还揭示通过本发明的方法形成的微机电装置和并入有此类装置的视觉显示装置。

公开(公告)号：CN1798696A

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN200480015545.4

申请日：2004-04-26

Applicant: 卡文迪什动力有限公司

Inventor： R·范坎蓬 ,  C·G·史密斯 ,  J·罗 ,  A·J·维克斯

IPC: B81B3/00 ,  H01H1/00

CPC classification number: B81C1/0015 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0132 ,  H01H59/0009

Abstract: 制造微机械元件的方法，其中该方法包括下述步骤：提供基础材料层；施加至少一层可蚀刻材料的至少部分牺牲层；图案化至少部分牺牲层，以确定该元件的至少一部分形状；施加至少一层机械材料的结构层；图案化该结构层，以形成该元件的至少一部分；和至少部分除去图案化的至少部分牺牲层，以释放部分脱离的元件。该机械材料选自导电材料。

公开(公告)号：NO20100794A

公开(公告)日：2002-03-12

申请号：NO20100794

申请日：2010-06-01

Applicant: ION GEOPHYSICAL CORP

Inventor： GOLDBERG HOWARD D ,  YU LIANZHONG ,  RIED ROBERT P ,  YU DULI

IPC: B81B1/00 ,  G02B26/10 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  C23F1/02 ,  G01P9/04 ,  G02B26/08 ,  G03F7/20

CPC classification number: G02B26/0816 ,  B81B2201/042 ,  B81C1/00396 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2203/0109 ,  C23F1/02

公开(公告)号：NO20020139A

公开(公告)日：2002-03-12

申请号：NO20020139

申请日：2002-01-11

Applicant: INPUT OUTPUT INC

Inventor： YU DULI ,  YU LIANZHONG ,  GOLDBERG HOWARD D ,  RIED ROBERT P

IPC: G02B26/10 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  C23F1/02 ,  G01P9/04 ,  G02B26/08 ,  G03F7/20 ,  G01P

CPC classification number: G02B26/0816 ,  B81B2201/042 ,  B81C1/00396 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2203/0109 ,  C23F1/02

公开(公告)号：EP3195358A4

公开(公告)日：2018-04-25

申请号：EP14901871

申请日：2014-09-17

Applicant: INTEL CORP

Inventor： LEE KEVIN J ,  SARASWAT RUCHIR ,  ZILLMANN UWE ,  RAO VALLURI BOB ,  LUND-LARSEN TOR ,  COWLEY NICHOLAS P

IPC: H01L27/04 ,  B81B7/02 ,  H01L21/60

CPC classification number: H04R1/04 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/00158 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2203/0109 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/27002 ,  H01L2224/27618 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/32058 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83438 ,  H01L2224/8346 ,  H01L2224/83488 ,  H01L2224/8359 ,  H01L2224/83688 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9222 ,  H01L2224/92225 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/161 ,  H01L2924/16151 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/163 ,  H01L2924/166 ,  H04R1/406 ,  H04R19/005 ,  H04R19/04 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/27 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/81 ,  H01L2221/68304

Abstract: Embodiments of the present disclosure describe a die with integrated microphone device using through-silicon vias (TSVs) and associated techniques and configurations. In one embodiment, an apparatus includes an apparatus comprising a semiconductor substrate having a first side and a second side disposed opposite to the first side, an interconnect layer formed on the first side of the semiconductor substrate, a through-silicon via (TSV) formed through the semiconductor substrate and configured to route electrical signals between the first side of the semiconductor substrate and the second side of the semiconductor substrate, and a microphone device formed on the second side of the semiconductor substrate and electrically coupled with the TSV. Other embodiments may be described and/or claimed.

公开(公告)号：EP3296254A1

公开(公告)日：2018-03-21

申请号：EP16792161.8

申请日：2016-05-10

Applicant: CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd.

Inventor： JING, Errong

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00182 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0207 ,  B81C1/00 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00476 ,  B81C2201/0108 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0132 ,  G01J5/20

Abstract: An MEMS double-layer suspension microstructure manufacturing method, comprising: providing a substrate (100); forming a first dielectric layer (200) on the substrate (100); patterning the first dielectric layer (200) to prepare a first film body (210) and a cantilever beam (220) connected to the first film body (210); forming a sacrificial layer (300) on the first dielectric layer (200); patterning the sacrificial layer (300) located on the first film body (210) to make a recess portioned portion (310) for forming a support structure (420), with the first film body (210) being exposed at the bottom of the recess portioned portion (310); forming a second dielectric layer (400) on the sacrificial layer (300); patterning the second dielectric layer (400) to make the second film body (410) and the support structure (420), with the support structure (420) being connected to the first film body (210) and the second film body (410); and removing part of the substrate under the first film body (210) and removing the sacrificial layer (300) to obtain the MEMS double-layer suspension microstructure. In addition, an MEMS infrared detector is also disclosed.

Abstract translation: 一种MEMS双层悬浮微结构制造方法，包括：提供衬底（100）; 在衬底（100）上形成第一介电层（200）; 图案化所述第一介电层（200）以制备连接到所述第一膜体（210）的第一膜体（210）和悬臂梁（220）; 在第一介电层（200）上形成牺牲层（300）; 图案化位于第一膜体（210）上的牺牲层（300）以形成用于形成支撑结构（420）的凹陷部分（310），其中第一膜体（210）暴露在凹陷的底部 分部分（310）; 在牺牲层（300）上形成第二介电层（400）; （420）连接到第一膜体（210）和第二膜体（410），图案化第二电介质层（400）以制造第二膜体（410）和支撑结构（420） ; 去除所述第一膜体下方的部分衬底，去除所述牺牲层，得到MEMS双层悬浮微结构。 另外，还公开了一种MEMS红外探测器。

公开(公告)号：EP3294664A1

公开(公告)日：2018-03-21

申请号：EP16725234

申请日：2016-05-09

Applicant: MURATA MANUFACTURING CO

Inventor： IIHOLA ANTTI ,  TORKKELI ALTTI ,  RYTKOENEN VILLE PEKKA ,  LIUKKU MATTI

IPC: B81B3/00

CPC classification number: B81B3/0021 ,  B81B3/0094 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2203/0136 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/00357 ,  B81C2201/0112 ,  B81C2201/0132

Abstract: The present invention relates to a micromechanical device comprising a multi-layer micromechanical structure including only homogenous silicon material. The device layer comprises at least a rotor and at least two stators. At least some of the rotor and at least two stators are at least partially recessed to at least two different depths of recession from a first surface of the device layer and at least some of the rotor and at least two stators are at least partially recessed to at least two different depths of recession from a second surface of the device layer.

公开(公告)号：EP3237326A4

公开(公告)日：2018-01-24

申请号：EP16780394

申请日：2016-01-05

Applicant: US GOV SEC NAVY

Inventor： MEYER DAVID J ,  DOWNEY BRIAN P

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  H01L27/04

CPC classification number: B81C1/00539 ,  B81C1/00936 ,  B81C2201/0107 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0143 ,  B81C2201/0159 ,  B81C2201/0177

Abstract: A process for fabricating a suspended microelectromechanical system (MEMS) structure comprising epitaxial semiconductor functional layers that are partially or completely suspended over a substrate. A sacrificial release layer and a functional device layer are formed on a substrate. The functional device layer is etched to form windows in the functional device layer defining an outline of a suspended MEMS device to be formed from the functional device layer. The sacrificial release layer is then etched with a selective release etchant to remove the sacrificial release layer underneath the functional layer in the area defined by the windows to form the suspended MEMS structure.