公开(公告)号：CN102741674A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201180005861.3

申请日：2011-01-10

Applicant: 艾尔默斯半导体股份公司

Inventor： 贝恩德·伯查德

IPC: G01L9/00 ,  B81C3/00

CPC classification number: B81C1/00158 ,  B81B3/0018 ,  B81B3/0021 ,  B81B3/007 ,  B81B3/0072 ,  B81B3/0081 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00626 ,  B81C99/0035 ,  B81C2201/019 ,  G01L9/0047 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/84

Abstract: 一种微机电半导体器件，具有：第一半导体衬底(1)，其具有上侧；以及第二半导体衬底(5)，其具有上侧。两个半导体衬底(1，5)在其上侧上靠置地接合。空腔(4)引入所述两个半导体衬底(1，5)的至少之一的上侧中。空腔(4)通过由两个半导体衬底(1，5)形成的对置的顶壁和底部壁以及侧壁(3)来限定。顶壁或者底部壁作为能够可逆地变形的膜来起作用，并且在空腔(4)的这两个壁的另外的壁中设置有通过有关的半导体衬底(1，5)延伸的开口(98)。

公开(公告)号：CN102725618A

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN201080054137.5

申请日：2010-10-13

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 田中秀治 ,  江刺正喜 ,  室山真德 ,  松崎荣 ,  卷幡光俊 ,  野野村裕 ,  藤吉基弘 ,  中山贵裕 ,  山口宇唯 ,  山田整

IPC: G01L5/00 ,  G01L1/14 ,  H01L23/12 ,  H01L25/00 ,  H01L29/84

CPC classification number: B81C1/00238 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2207/012 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/032 ,  B81C2203/0792 ,  G01L1/146 ,  G01L1/148 ,  G01L5/228 ,  H01L23/10 ,  H01L24/04 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/82 ,  H01L24/94 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供将具有接触感知面的传感器构造部(300)和处理该传感器构造部的传感器信号的信号处理LSI部(420)封装化的技术。传感器构造部(300)具有接触感知面和传感器电极(320、330)。在半导体基板(400)中制作有信号处理用集成电路(420)。通过粘结层(500)将传感器构造部(300)和半导体基板(400)接合，由此将传感器装置(200)单片化。传感器电极(320、330)和集成电路(420)在传感器装置(200)的内侧被封闭，并且传感器电极(320、330)和集成电路(420)的外部端子经由半导体基板(400)的侧面被引出到半导体基板(400)的背面。

公开(公告)号：CN102666368A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201080051452.2

申请日：2010-09-23

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： A·特劳特曼 ,  R·赖兴巴赫

IPC: B81C3/00

CPC classification number: B81C1/00269 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/019 ,  B81C2203/036 ,  H01L23/10 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/26145 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29013 ,  H01L2224/29076 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29117 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/30051 ,  H01L2224/30131 ,  H01L2224/30135 ,  H01L2224/30177 ,  H01L2224/30505 ,  H01L2224/30515 ,  H01L2224/32054 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/83007 ,  H01L2224/83095 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83365 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/1631 ,  H01L2924/165 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种用于接合半导体衬底的微机械方法和相应的装置以及相应的接合的半导体芯片。该装置包括一个半导体衬底，它具有带有大量半导体芯片(1)的芯片图案，其分别具有功能区(4)和包围功能区(4)的边缘区(4a)，其中在与功能区(4)隔开的边缘区(4a)中设置有由至少两种合金组分组成的接合合金形成的接合框(2)。在边缘区(4a)的被接合框(2)所包围的部分(4a2)内部在接合框(2)和功能区(4)之间设置至少一个由合金组分中的至少一种形成的止流框(7；7a，7b；7b′；70)，它设置得为在接合时当接合合金的熔融物遇到止流框(7；7a，7b；7b′；70)时接合合金出现凝固。

公开(公告)号：CN101096008B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200610142733.4

申请日：2003-02-25

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 河添宏 ,  中祖昭士 ,  有家茂晴

IPC: B01L3/00 ,  B01J19/00 ,  G01N37/00 ,  B81B1/00

CPC classification number: B01L3/502707 ,  B01J19/0093 ,  B01J2219/00783 ,  B01J2219/00788 ,  B01J2219/00822 ,  B01J2219/00833 ,  B01J2219/0086 ,  B01J2219/00869 ,  B01L2200/12 ,  B01L2300/0816 ,  B01L2300/0838 ,  B01L2300/0874 ,  B01L2300/0887 ,  B01L2400/0481 ,  B01L2400/0655 ,  B81B2201/051 ,  B81C1/00119 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/032 ,  Y10T156/10

Abstract: 本发明涉及微型流体系统用支撑单元及其制造方法，所述微型流体系统用支撑单元具备：第一支撑体(2)；设在该第一支撑体(2)的表面的第一粘合剂层(1a)；由在第一粘合剂层(1a)的表面敷设成任意形状的多个中空细丝(501～508)所构成的第一中空细丝组群；由正交于该第一中空细丝组群的方向敷设的多个中空细丝(511～518)所构成的第二中空细丝组群；设在该第二中空细丝组群的表面的第二粘合剂层(1b)；以及设在第二粘合剂层(1b)的表面的第二支撑体(6)。第一及第二中空网丝组群构成流路层。

公开(公告)号：CN102331514A

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN201110139088.1

申请日：2011-05-26

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 高木成和

IPC: G01P15/125 ,  G01C19/56

CPC classification number: G01P15/0802 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/025 ,  B81B2203/0118 ,  B81C1/00182 ,  B81C2201/019 ,  G01C19/5663 ,  G01P15/125 ,  G01P2015/0828 ,  G01P2015/0837 ,  G01P2015/0877 ,  G01P2015/088 ,  H01G5/18 ,  H01G5/38 ,  H01L28/60

Abstract: 本发明提供元件结构体、惯性传感器以及电子设备，使得包含电容元件的元件结构体的制造变得容易。元件结构体构成为包含：第1基板(BS1)，其具有第1支撑层(100)和第1可动梁(800a)，该第1可动梁的一个端部被支撑在该第1支撑层的上方，且在另一个端部的周围形成有空隙部；以及第2基板(BS2)，其与所述第1基板相对地配置，并具有第2支撑层(200)和形成于该第2支撑层上的第1固定电极(900a)，在所述第1可动梁(800a)上形成有第1可动电极，所述第1固定电极与所述第1可动电极隔着间隙相对地配置。

公开(公告)号：CN101304942B

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN200680041572.8

申请日：2006-08-24

Applicant: NXP股份有限公司

Inventor： 格特·兰格雷斯 ,  约翰尼斯·威廉姆斯·维坎普 ,  雅各布斯·伯纳德斯·佳伯斯

IPC: B81C5/00

CPC classification number: F04B43/043 ,  B01L3/502707 ,  B01L3/502738 ,  B01L2200/10 ,  B01L2200/12 ,  B01L2300/0627 ,  B01L2300/0819 ,  B01L2300/0887 ,  B01L2300/123 ,  B01L2300/1827 ,  B01L2400/0638 ,  B81B2201/0257 ,  B81C1/00119 ,  B81C1/00182 ,  B81C99/0095 ,  B81C2201/019 ,  F16K99/0001 ,  F16K99/0007 ,  F16K99/0015 ,  F16K99/0034 ,  F16K99/0051 ,  F16K2099/008 ,  F16K2099/0084 ,  H04R19/04 ,  H04R31/00 ,  Y10T428/24851

Abstract: 本发明涉及一种制造MEMS电容器麦克风的方法，还涉及这种MEMS电容器麦克风。使用该方法，通过将具有传导层(11a、11b)的预处理的箔片(10)堆叠在至少一个面上，来制造MEMS电容器麦克风。在堆叠之后，使用压力和热力来密封该箔片(10)。最后将MEMS电容器麦克风与叠层(S)相分离。箔片的预处理(优选地通过激光束来完成)包括所选择的下列步骤：(A)保持箔片不变，(B)局部地除去传导层，(C)除去传导层并部分地除去箔片(10)，以及(D)除去传导层以及箔片(10)，从而在箔片中产生孔。与所述堆叠相结合可能创建腔和膜。这开发了制造MEMS电容器麦克风的可能性。

公开(公告)号：CN101432223B

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200780015242.6

申请日：2007-04-26

Applicant: 电子微系统公司

Inventor： 若埃尔·科莱 ,  斯特凡娜·尼古拉 ,  克里斯蒂安·皮斯埃拉

IPC: B81C1/00 ,  F04B43/04

CPC classification number: B81C1/0015 ,  B81B2201/054 ,  B81C1/00357 ,  B81C2201/019 ,  F04B43/046

Abstract: 本发明涉及用于在晶片中集体制造具有给定厚度d的腔和/或膜片(24)的方法，该晶片是绝缘体上半导体层，在绝缘层上包括至少一个具有厚度d的半导体表面层，该绝缘层本身被支撑在衬底上，该方法包括：对具有厚度d的半导体表面层进行蚀刻，绝缘层形成阻止层，以在表面层中形成腔和/或膜片。

公开(公告)号：CN101096007B

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN200610142732.X

申请日：2003-02-25

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 河添宏 ,  中祖昭士 ,  有家茂晴

IPC: B01L3/00 ,  B01J19/00 ,  G01N37/00 ,  B81B1/00

CPC classification number: B01L3/502707 ,  B01J19/0093 ,  B01J2219/00783 ,  B01J2219/00788 ,  B01J2219/00822 ,  B01J2219/00833 ,  B01J2219/0086 ,  B01J2219/00869 ,  B01L2200/12 ,  B01L2300/0816 ,  B01L2300/0838 ,  B01L2300/0874 ,  B01L2300/0887 ,  B01L2400/0481 ,  B01L2400/0655 ,  B81B2201/051 ,  B81C1/00119 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/032 ,  Y10T156/10

Abstract: 本发明涉及微型流体系统用支撑单元及其制造方法，所述微型流体系统用支撑单元具备：第一支撑体(2)；设在该第一支撑体(2)的表面的第一粘合剂层(1a)；由在第一粘合剂层(1a)的表面敷设成任意形状的多个中空细丝(501～508)所构成的第一中空细丝组群；由正交于该第一中空细丝组群的方向敷设的多个中空细丝(511～518)所构成的第二中空细丝组群；设在该第二中空细丝组群的表面的第二粘合剂层(1b)；以及设在第二粘合剂层(1b)的表面的第二支撑体(6)。第一及第二中空网丝组群构成流路层。

公开(公告)号：CN101668710A

公开(公告)日：2010-03-10

申请号：CN200880013573.0

申请日：2008-02-27

Applicant: 康宁股份有限公司

Inventor： T·L·达努克斯 ,  G·P·马克斯 ,  R·M·莫伦纳 ,  C·W·坦纳

IPC: C03B11/08

CPC classification number: C03B11/084 ,  B81B2201/051 ,  B81C99/0085 ,  B81C2201/019 ,  B81C2201/036 ,  C03B2215/07

Abstract: 本发明揭示了模塑玻璃和玻璃复合体的方法，包括提供具有第一表面的第一结构，提供具有第二表面的第二结构，该第二表面是图案化和多孔的，在第一和第二表面之间设置一定量的含玻璃的组合物，然后将第一和第二结构以及第一用量的组合物一起加热至足以软化第一用量的组合物的程度，使得第一和第二结构在重力或以其他方式施加的力的作用下彼此相向运动，从而在第一用量的组合物中形成第二表面的图案，然后将该组合物冷却至足以稳定该组合物的程度，该第二结构包含开口孔隙率至少为5％的多孔碳，该一定量的组合物能够从第二表面去除，而不损坏该一定量的组合物或第二表面，使得该第二表面可以再次使用。

公开(公告)号：CN100593853C

公开(公告)日：2010-03-10

申请号：CN200710091312.8

申请日：2007-03-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小野冢丰 ,  山田浩 ,  舟木英之 ,  板谷和彦

IPC: H01L25/00 ,  H01L27/02 ,  H01L21/50 ,  H01L21/98 ,  H01L21/82

CPC classification number: B81C1/0023 ,  B81C1/00246 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/0771 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00

Abstract: 即使装置包含MEMS器件和半导体器件，也可以获得高度集成的薄装置。一种半导体装置包括：被接合芯片，其包括：第一芯片，包括形成于其中的MEMS器件；第二芯片，包括形成于其中的半导体器件；以及粘合层，将所述第一芯片的侧面接合到所述第二芯片的侧面，并具有低于所述第一和第二芯片的材料的杨式模量。