公开(公告)号：FR3049111A1

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：FR1652379

申请日：2016-03-21

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS ,  STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS

Inventor： WEBER OLIVIER ,  RICHARD EMMANUEL ,  BOIVIN PHILIPPE

IPC: H01L25/16

Abstract: L'invention concerne un procédé de réalisation de transistors bipolaires et de transistors MOS, comprenant les étapes suivantes : a) prévoir une couche semiconductrice sur une couche isolante (22) ; du côté des transistors bipolaires : b) former une région isolante comprenant ladite couche isolante et s'étendant jusqu'à la face supérieure ; c) graver des ouvertures à travers ladite région isolante, délimitant ainsi des murs isolants (58) ; d) remplir les ouvertures par des premières portions épitaxiées (60) ; et e) doper les premières portions épitaxiées et une première région (96) s'étendant sous les premières portions épitaxiées et sous les murs isolants ; du côté des transistors bipolaires et du côté des transistors MOS : f) former des structures de grille (100) ; g) former des deuxièmes portions épitaxiées ; et h) réaliser un dopage du premier type de conductivité des deuxièmes portions épitaxiées recouvrant les premières portions épitaxiées.

公开(公告)号：FR3018953B1

公开(公告)日：2017-09-15

申请号：FR1452280

申请日：2014-03-19

Applicant: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： BAR PIERRE ,  TALUY ALISEE ,  KOKSHAGINA OLGA

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/538

公开(公告)号：FR3018389B1

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：FR1451833

申请日：2014-03-06

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS

Inventor： TRIOUX EMILIE ,  ANCEY PASCAL ,  MONFRAY STEPHANE ,  SKOTNICKI THOMAS ,  BASROUR SKANDAR ,  MURALT PAUL

IPC: H01L21/203 ,  H01L41/08 ,  H01L41/18 ,  H01L41/27

公开(公告)号：FR3038133B1

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：FR1555733

申请日：2015-06-23

Applicant: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS ,  STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS

Inventor： BOIVIN PHILIPPE ,  JEANNOT SIMON

IPC: H01L27/108 ,  G11C7/18

公开(公告)号：FR3038132B1

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：FR1555732

申请日：2015-06-23

Applicant: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS ,  STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS

Inventor： BOIVIN PHILIPPE ,  JEANNOT SIMON

IPC: H01L27/108 ,  G11C7/18

公开(公告)号：FR3046697A1

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：FR1650152

申请日：2016-01-08

Applicant: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS

Inventor： CARPENTIER JEAN-FRANCOIS ,  LEMAITRE PATRICK ,  FOUREL MICKAEL

IPC: H01L23/52 ,  G02B6/42

Abstract: Dispositif électronique intégré comprenant un substrat troué (6) comportant un réseau d'interconnexion et des moyens de connexion (61) destinés à être fixés sur une carte de circuit imprimé (8), un module photonique intégré (5) électriquement connecté au substrat troué (6), comportant une partie en regard d'une partie dudit trou (7) du substrat toué (6), un module électronique intégré (4) électriquement connecté au module photonique (5) et s'étendant au moins en partie dans ledit trou (7), le module électronique (4) et le substrat (6) étant électriquement connectés sur une même face du module photonique (5).

公开(公告)号：FR3046696A1

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：FR1650225

申请日：2016-01-12

Applicant: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS

Inventor： ZOLL STEPHANE ,  GARNIER PHILIPPE

IPC: H01L21/8232 ,  G11C11/40

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'une puce électronique, comprenant les étapes suivantes : a) délimiter des zones actives de cellules mémoire (5) et des zones actives de transistors (11, 13) dans une partie supérieure d'une plaquette, et former des grilles flottantes (15) sur les zones actives de cellules mémoire ; b) déposer un tricouche oxyde-nitrure-oxyde de silicium (21) ; c) déposer une couche de protection ; d) retirer les parties de la couche de protection et du tricouche situées sur des portions de ladite surface comprenant les zones actives de transistors ; e) former des couches diélectriques (27, 29) sur la surface de l'ensemble ; et f) enlever les portions desdites couches diélectriques recouvrant les parties non retirées de la couche de protection.

公开(公告)号：FR3046293A1

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：FR1563435

申请日：2015-12-29

Applicant: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS

Inventor： PIAZZA FAUSTO ,  LAGRASTA SEBASTIEN ,  BIANCHI RAUL ANDRES ,  JEANNOT SIMON

IPC: H01L21/8249 ,  H01L27/06

Abstract: L'invention concerne un circuit intégré comprenant un transistor MOS haute tension, HV, et au moins un condensateur, CAPA, dans lequel : l'empilement de grille (11) du transistor HV comporte première couche isolante (5, 7) reposant sur une couche semiconductrice (1) et revêtue d'un premier silicium polycristallin (9) ; le condensateur CAPA comporte une première électrode (13) en le premier silicium polycristallin, et une deuxième électrode (25) en un deuxième silicium polycristallin (23) reposant au moins en partie sur la première électrode, un isolant (15, 17, 19) séparant la deuxième électrode de la couche semiconductrice et de la première électrode ; des premiers espaceurs en oxyde de silicium (39) bordent latéralement la deuxième électrode (25) et l'empilement de grille (11) du transistor HV ; et des deuxièmes espaceurs en nitrure de silicium (41) bordent les premiers espaceurs (39).

公开(公告)号：FR3045146A1

公开(公告)日：2017-06-16

申请号：FR1562409

申请日：2015-12-15

Applicant: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS

Inventor： MONFRAY STEPHANE ,  MAITRE CHRISTOPHE ,  SKOTNICKI THOMAS

IPC: G01D5/14

Abstract: Le détecteur d'au moins un évènement comprend un générateur d'énergie électrique (2) comportant un élément piézoélectrique (21) flexible et une masse (23) fixée sur l'élément (21) ; un déclencheur (3) comportant une première configuration dans laquelle le déclencheur (3) est configuré pour maintenir la masse (23) dans une position initiale avec l'élément piézoélectrique (21) fléchi et une deuxième configuration dans laquelle le déclencheur (3), en réponse audit évènement, est configuré pour libérer la masse (23) de façon à provoquer une vibration de l'élément piézoélectrique (21) et permettre une génération de l'énergie électrique (EE) ; et un système électronique (4) couplé au générateur (2) et configuré pour convertir l'énergie électrique (EE) délivré par le générateur (2) en au moins un signal électrique (SE).

公开(公告)号：FR3043852A1

公开(公告)日：2017-05-19

申请号：FR1560911

申请日：2015-11-13

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS SA ,  STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS

Inventor： FERROTTI THOMAS ,  BEN BAKIR BADHISE ,  CHANTRE ALAIN ,  CREMER SEBASTIEN ,  DUPREZ HELENE

IPC: H01S5/187

Abstract: L'invention concerne un dispositif laser (1) disposé dans et/ou sur silicium et à hétéro structure III-V comprenant - un milieu amplificateur (3) à hétérostructure III-V, et - un guide d'onde optique en arête (11), disposé en regard du milieu amplificateur (3) et comprenant un guide d'onde en ruban (15) doté d'une arête longitudinale (17), le guide d'onde optique en arête (11) étant disposé dans du silicium, - deux réseaux de Bragg échantillonnés (RBE-A, RBE-B) formés dans le guide d'onde optique en arête (11) et disposés de part et d'autre par rapport au milieu amplificateur (3) à hétérostructure III-V, chaque réseau de Bragg échantillonné (RBE-A, RBE-B) comprenant un premier réseau de Bragg (RB1-A, RB1B) présentant un premier pas et formé dans l'arête (17) ainsi qu'un second réseau de Bragg (RB2-A, RB2-B) présentant un second pas différent du premier pas et formé sur la face (21) du guide d'onde en ruban (15) opposée à l'arête (17).