公开(公告)号：KR1020050021338A

公开(公告)日：2005-03-07

申请号：KR1020040067670

申请日：2004-08-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  오까다미쯔히로 ,  고쯔가이히로미찌

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4405 ,  B08B7/0035 ,  C23C16/4404 ,  Y10S438/905

Abstract: PURPOSE: A method for cleaning an apparatus for forming a thin film is provided to remove an adhesion material in a thin film forming apparatus while planarizing the inside of the thin film forming apparatus by performing a cleaning process and a planarization process. CONSTITUTION: Cleaning gas is supplied to the inside of a reaction chamber heated to a predetermined temperature so as to be activated. The adhesion material is eliminated by the activated cleaning gas to clean the inside of a thin film forming apparatus. The inside of the reaction chamber cleaned by the cleaning process is maintained at a predetermined temperature. Gas including hydrogen fluoride gas is supplied to the inside of the reaction chamber maintained at the predetermined temperature to planarize the inside of the thin film forming apparatus.

Abstract translation: 目的：提供一种用于清洁用于形成薄膜的装置的方法，以通过执行清洁处理和平坦化处理来平坦化薄膜形成装置的内部，从而去除薄膜形成装置中的粘附材料。 构成：将清洁气体供给到加热到预定温度的反应室内部以便被激活。 通过活化的清洁气体去除粘合材料以清洁薄膜形成装置的内部。 通过清洁处理清洁的反应室内部保持在预定温度。 将包含氟化氢气体的气体供给到保持在规定温度的反应室内部，使薄膜形成装置的内部平坦化。

公开(公告)号：KR1020040030784A

公开(公告)日：2004-04-09

申请号：KR1020047000022

申请日：2002-03-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  노즈다이스케 ,  최동균

IPC: C23C16/44

CPC classification number: B08B7/0035 ,  B08B7/00 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  C23C16/4404 ,  Y10S438/905 ,  Y10S438/906

Abstract: 반도체 웨이퍼를 반응용기내에 반입하여 루테늄(Ru)막 혹은 산화루테늄막을 성막한 후, 반응용기내를 효율적으로, 또한 웨이퍼에 대하여 오염시키지 않고 클리닝하는 것이다. 반응용기내를 850℃ 이상의 온도로 가열하는 동시에, 반응용기내의 압력을 예를 들면 133pa(1 Torr)∼13.3Kpa(100 Torr)의 감압분위기로 하고, 산소가스 예를 들면 1.5sLm 이상의 유량으로 반응용기내에 공급함으로써, 반응용기내에 성막된 상기의 막을 클리닝한다. 또한 산소가스를 사용하는 대신에, O
3 , O* 및 OH* 등의 활성산소를 사용하여도 좋다.

Abstract translation: 在将半导体晶片装载到反应容器中并且形成钌（Ru）膜或氧化钌膜之后，有效地清洁反应容器的内部而不污染晶片。 当反应容器内部的压力降低到例如133Pa（1Torr）-13.3Kpa（100Torr）时，将反应容器内部加热到高于850℃的温度，并将氧气供入 以例如1.5Lm以上的流速将反应容器内的钌膜或氧化钌膜清除掉。 代替氧气，可以使用活性氧如O3，O *和OH *等。

公开(公告)号：KR1020010100932A

公开(公告)日：2001-11-14

申请号：KR1020010023353

申请日：2001-04-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토쇼이치 ,  하세베가즈히데 ,  우메자와고타

IPC: H01L21/316

Abstract: 수산기 활성종 및 산소 활성종을 생성하는 처리용기내에서 진공분위기로 소정의 온도로 가열된 피처리체의 표면을 산화하는 산화방법이다. 수산기 활성종 및 산소 활성종은 처리용기내의 피처리체의 표면을 산화한다. 산화막의 막내 두께 균일성 및 품질이 개선되며, 산화율이 비교적 높은 수준으로 유지된다.