公开(公告)号：KR1020080000944A

公开(公告)日：2008-01-03

申请号：KR1020060058868

申请日：2006-06-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김정욱

IPC: G06F9/38

CPC classification number: G06F9/38

Abstract: A processor having a pipelined architecture and a control method thereof are provided to correct a branch command error owing to program cache miss even if an interruption tree is not found in a pipeline processor, secure a maximum operation frequency of the processor and reduce a chip area by deleting the interruption tree for managing the cache miss. A processor(160) fetches a command with a plurality of sequential processing stages(162-170). A program counter(140) outputs an address for the command fetched by the processor. A cache(130) receives a part of a program to be performed in the processor from a main memory(110), stores the received program, provides the command included in the program corresponding to the address to the processor by receiving the address from the program counter, and outputs a standby signal if the command corresponding to the received address is not found. A stall buffer stores a target address of the next branch command based on the standby signal and provides the target address to the program counter. The stall buffer has a space for storing the target address of the next branch command as much as the number of branch slots.

Abstract translation: 提供具有流水线架构及其控制方法的处理器，用于校正由于程序高速缓存未命中引起的分支命令错误，即使在流水线处理器中没有发现中断树，确保处理器的最大工作频率并减小芯片面积 通过删除用于管理高速缓存未命中的中断树。 处理器（160）获取具有多个顺序处理级（162-170）的命令。 程序计数器（140）输出由处理器提取的命令的地址。 高速缓存（130）从主存储器（110）接收要在处理器中执行的程序的一部分，存储接收到的程序，通过从地址接收地址向处理器提供包含在与该地址相对应的程序中的命令 程序计数器，并且如果没有找到与接收到的地址相对应的命令，则输出备用信号。 缓冲缓冲器基于待机信号存储下一个分支命令的目标地址，并将目标地址提供给程序计数器。 缓冲器具有用于存储下一个分支命令的目标地址的空间，与分支时隙的数量一样多。

公开(公告)号：KR100790393B1

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：KR1020040098198

申请日：2004-11-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이진석 ,  김정욱 ,  백동석

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: B05B7/222 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32935 ,  H01L21/67069

Abstract: 본 발명은 플라즈마 공정장비의 뷰포트 구조에 관한 것으로, 챔버 벽면에서 접지의 연속성을 확보하여 공정의 균일성을 향상시키기 위한 것이다.
본 발명에 따른 플라즈마 공정장비의 뷰포트(200)에는 챔버 벽면(100)에 전기적으로 접속되어 있는 그라운드 커버(230)가 구비되고, 이 그라운드 커버(230)는 챔버 벽면(100)과 접촉하는 면이 베어면(231a,231b)으로 구성되어 있다. 따라서 뷰포트(200) 근방에서 접지의 연속성이 유지되고, 챔버(100) 내부의 전기장 및 플라즈마 분포가 균일하게 된다.
플라즈마 공정장비, 뷰포트, 접지

公开(公告)号：KR1020070118543A

公开(公告)日：2007-12-17

申请号：KR1020070056631

申请日：2007-06-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임근수 ,  유정준 ,  김정욱 ,  류수정 ,  박정근 ,  이재돈 ,  신용삼

IPC: G06F9/38 ,  G06F9/46

Abstract: A method and a device for performing multitasking in a reconfigurable array are provided to enable the reconfigurable array to quickly complete the multitasking for a plurality of reconfiguring operations by recovering only the unique information of a CPU in a time point when a main process is stopped and quickly performing the main process again. A unique memory(350) stores the unique information in response to a first control signal. A controller(340) verifies whether the reconfigurable operation is a main controlling process and generates a second control signal in response to a verification result. The reconfigurable array(310) receives a request for performing one reconfigurable operation during another reconfigurable operation, stops the reconfigurable operation and keeps the unique information of peripheral processors in response to the first control signal. The reconfigurable array receives the request for performing one reconfigurable operation during another reconfigurable operation, recovers the unique information of the CPU in response to the second control signal, and restarts the main processing operation.

Abstract translation: 提供了一种用于在可重配置阵列中执行多任务的方法和设备，以使得可重构阵列能够通过在主进程停止的时间点仅恢复CPU的唯一信息来快速完成多重重新配置操作的多任务处理， 再次快速执行主流程。 唯一存储器（350）响应于第一控制信号存储唯一信息。 控制器（340）验证可重构操作是否是主控制过程，并且响应于验证结果生成第二控制信号。 可重配置阵列（310）在另一可重新配置的操作期间接收执行一个可重构操作的请求，停止可重新配置的操作，并响应于第一控制信号保持外围处理器的唯一信息。 可再配置阵列在另一可重构操作期间接收执行一个可重构操作的请求，响应于第二控制信号恢复CPU的唯一信息，并且重启主处理操作。

公开(公告)号：KR1020070083348A

公开(公告)日：2007-08-24

申请号：KR1020060016577

申请日：2006-02-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김정욱

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76877 ,  H01L27/14683

Abstract: A method for forming a contact of a CMOS image sensor is provided to prevent the surface of a silicon substrate including a metal silicide layer from being damaged by an RF etch process by forming a silicide preventing layer pattern in a contact hole to which the silicon substrate is exposed in a cleaning process performed after a contact hole is formed on the silicon substrate. In an insulation layer covering a silicon substrate(100) including a logic region and a cell region for forming a photodiode, a first contact hole(132) for exposing the metal silicide layer formed in the logic region and a second contact hole(142) for exposing the silicon substrate in the cell region are formed. A silicide preventing layer pattern is buried in the second contact hole. A first barrier layer(160) is formed on the resultant structure. A first tungsten layer is formed on the first barrier layer, filling the first contact hole. A first polishing process is performed to form a first metal contact(172). The silicide preventing layer pattern buried in the second contact hole and the first barrier layer are removed, and the exposed silicon substrate is wet-cleaned. A second barrier layer(180) is formed on the resultant structure. A second tungsten layer is formed on the second barrier layer, filling the second contact hole. A second polishing process is performed to form a second metal contact(192).

Abstract translation: 提供了一种用于形成CMOS图像传感器的接触的方法，以防止包含金属硅化物层的硅衬底的表面被RF蚀刻工艺损坏，在硅衬底的接触孔中形成硅化物防止层图案 在硅衬底上形成接触孔之后进行的清洁处理中曝光。 在覆盖包括逻辑区域和用于形成光电二极管的单元区域的硅衬底（100）的绝缘层中，用于暴露形成在逻辑区域中的金属硅化物层的第一接触孔（132）和第二接触孔（142） 用于暴露在单元区域中的硅衬底。 硅化物防止层图案埋在第二接触孔中。 在所得结构上形成第一阻挡层（160）。 在第一阻挡层上形成第一钨层，填充第一接触孔。 执行第一抛光工艺以形成第一金属触点（172）。 除去埋在第二接触孔和第一阻挡层中的硅化物防止层图案，并将暴露的硅衬底湿式清洁。 在所得结构上形成第二阻挡层（180）。 在第二阻挡层上形成第二钨层，填充第二接触孔。 执行第二抛光工艺以形成第二金属触点（192）。

公开(公告)号：KR100715267B1

公开(公告)日：2007-05-08

申请号：KR1020050049387

申请日：2005-06-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임현석 ,  박지순 ,  박인선 ,  강동조 ,  이현석 ,  김정욱

IPC: H01L27/11

CPC classification number: H01L21/76855 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/8221 ,  H01L27/0688

Abstract: 단위 소자들이 수직으로 배치되는 스택형 반도체 장치 및 그 제조 방법에서, 상기 스택형 반도체 장치는, 기판과, 상기 기판 상에 형성되고, 내부에 실리콘막 패턴을 포함하고, 상기 실리콘막 패턴과 상기 기판을 부분적으로 노출하는 콘택홀을 갖는 박막 구조물과, 상기 노출된 실리콘막 패턴을 덮고 제1 물질로 이루어지는 제1 오믹 구조물과, 상기 노출된 기판을 덮고 상기 제1 물질과 다른 제2 물질을 포함하는 제2 오믹 구조물 및 상기 콘택홀 내부를 채우는 금속 패턴을 포함한다. 상기한 스택형 반도체 장치는 실리콘막 패턴 및 기판을 덮는 서로 다른 오믹 구조물을 가짐으로서 상기 실리콘막 패턴 및 기판의 접촉 저항을 감소시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR100657294B1

公开(公告)日：2006-12-14

申请号：KR1020040101537

申请日：2004-12-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김정욱 ,  이을환

IPC: G06F13/38

Abstract: 멀터미디어 데이터의 고속전송을 위한 비동기 인터페이스 장치가 개시된다. 상기 비동기 인터페이스 장치는 상기 제2 모듈로부터 전송되는 데이터에 대한 데이터 정보 및 데이터 전송상태를 저장하는 레지스터; 및 제1 모듈 및 제2 모듈사이에서 데이터의 전송을 제어하기 위한 버퍼 제어기;를 포함하며, 상기 버퍼 제어기는 상기 제1 모듈로부터 읽기요청신호 및 데이터 정보가 입력되면, 이를 기초로 예측된 읽기요청신호 및 예측된 데이터 정보를 생성하여 상기 제2 모듈에 데이터를 요청하며, 상기 제1 모듈로부터 입력된 데이터 정보 및 상기 레지스터의 데이터 정보와 일치하는 상기 버퍼의 일방에 저장된 데이터를 읽어가도록 상기 제1 모듈에 요청하는 것을 특징으로 한다. 이를 통해 동작 주파수가 다른 2개의 모듈을 재설계하지 않고도 단순히 인터페이스를 삽입하는 것만으로도 데이터 전송속도를 향상시킬 수 있으며, 또한 시스템-온-칩의 설계 기간을 단축시킬 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR100609897B1

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：KR1020040087979

申请日：2004-11-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박광영 ,  이성진 ,  원민영 ,  이준호 ,  김태현 ,  김정욱 ,  배상우

IPC: G02F1/13

Abstract: 본 발명은 액정도포공정과 합착공정을 동시에 수행할 수 있는 기판제조장치에 관한 것으로서, 프레임; 상기 프레임에 설치되고, 제1 기판을 지지하는 하부스테이지와 상기 하부스테이지와 대향되게 제2 기판을 지지하는 상부스테이지를 갖는 스테이지부; 상기 제1 기판과 상기 제2 기판의 합착을 위해 상기 하부스테이지와 상기 상부스테이지를 상호 접근 및 이격시키는 수직구동부; 상기 제1 기판에 액정을 도포하기 위한 헤드부와, 상기 헤드부를 상기 제1 기판의 판면을 따라 수평이동시키는 헤드구동부를 갖는 액정도포장치; 및 상기 수직구동부 및 상기 액정도포장치를 제어하는 제어부를 포함한다. 이에 의해, 비교적 구조가 간단하고, 액정도포후 합착공정이 즉시 행해질 수 있으며, 도포되는 액정량의 정밀조절이 가능해진다는 효과가 있다.
LCD, 액정도포, 기판, 합착, 스테이지

公开(公告)号：KR1020060085534A

公开(公告)日：2006-07-27

申请号：KR1020050006440

申请日：2005-01-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김경선 ,  김정욱 ,  전윤광 ,  이진석

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/68785

Abstract: 반도체 기판을 지지하는 척을 회전시키거나 척의 기울기를 조절하여 가공공정 중 기판 상부의 공정가스 분포가 전체적으로 균일해지도록 보정할 수 있는 반도체 제조장치를 개시한다.
개시한 반도체 제조장치는 반도체기판의 가공을 위한 반응실이 형성된 본체와, 반도체기판의 지지를 위해 반응실 내에 설치되는 척과, 척을 지지함과 동시에 회전시키기 위해 반응실 내에 설치되는 척 회전장치와, 척 상면의 기울기 조절을 위해 척 회전장치를 위치변화 가능하게 지지하는 기울기 조절장치를 포함한다.

Abstract translation: 旋转的卡盘用于通过卡盘支撑一个半导体基板或控制倾斜公开了可以处理的处理步骤的衬底的气体分配来纠正，从而作为半导体制造装置均匀地作为一个整体。

公开(公告)号：KR1020060058345A

公开(公告)日：2006-05-30

申请号：KR1020040097338

申请日：2004-11-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김정욱 ,  연경열 ,  정민영 ,  장득우 ,  석기원 ,  주혜리

IPC: G03G15/16

CPC classification number: G03G15/161 ,  G03G2215/1666

Abstract: 화상품질을 향상시킬 수 있는 화상형성장치가 개시된다. 본 발명에 의한 화상형성장치는, 유입된 반응가스로부터 플라즈마를 생성하여 전사유닛 진입 전의 인쇄매체를 플라즈마 표면처리할 수 있도록 상기 인쇄매체 이송경로(P) 상에 설치되는 플라즈마 발생유닛을 포함한다.
다종의 인쇄매체, 전사성, 화상품질, 플라즈마

公开(公告)号：KR1020060055933A

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：KR1020040095132

申请日：2004-11-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정민영 ,  연경열 ,  김정욱 ,  장득우 ,  석기원 ,  주혜리

IPC: G03G9/12

CPC classification number: G03G9/135

Abstract: 액체 토너 조성물의 제조 방법이 개시된다. 본 액체 토너 조성물의 제조 방법은 제 1 캐리어 액체에 그래프트 안정제 형성용 모노머 및 제 1 중합 개시제를 혼합하고 중합하여 그래프트 안정제를 제조하는 단계; 제 2 캐리어 액체에 상기 제조된 그래프트 안정제, 열가소성 (코)폴리머 코아 형성용 모노머 및 제 2 중합 개시제를 혼합하고 중합하여 오가노졸을 제조하는 단계; 및 제 3 캐리어 액체에 상기 제조된 오가노졸, 착색제 및 대전 제어제를 진공 조건에서 가열하여 토너 조성물을 제조하는 단계;를 포함한다. 본 발명에 따르면, 마이크로 미터 미만의 오가노졸을 제조하고 진공 조건에서 가열하여 액체 토너 조성물을 제조함으로써 액체 토너 조성물의 분산 안정성을 향상시킨 효과를 제공한다.

오가노졸, 토너