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公开(公告)号：KR100305903B1
公开(公告)日：2001-12-17
申请号：KR1019980033967
申请日：1998-08-21
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 전기 또는 전자 소자의 전력공급원으로 사용되는 박막형 전지를 소자의 상단면 위에서 상기 소자와 수직으로 통합하고 형성함으로써, 소자와 박막형 전지가 수직으로 배열되는 구조를 가지는 전기 또는 전자소자를 제공한다.
이러한 구조의 소자에서는, 기판등에서 전지가 차지하는 공간을 제거함으로써, 소자가 차지하는 공간이 극소화되고, 소자의 집적도를 높일 수 있다. 또한, MEMS 소자와 같은 마이크로닉 소자의 초소형 전력공급계로 이용될 수도 있다.-
公开(公告)号：KR1020010103970A
公开(公告)日：2001-11-24
申请号：KR1020000025307
申请日：2000-05-12
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C03C13/06 , B32B1/06 , B32B27/12 , C04B30/02 , C04B2111/00612 , D04H1/4218 , D04H1/559 , D04H13/00 , E04B1/803 , F16L59/065 , Y02A30/242 , Y02B80/12 , Y10T428/231 , Y10T428/239 , C04B14/42 , C04B40/0071 , C04B40/0082 , C04B40/0089
Abstract: The vacuum insulator in accordance with the present invention comprises glass white wool body which density is 0.1~0.5 g/cm 3 in density and is below 0.0023 kcal/mh° C. in thermal conductivity, and a non permeable container surrounding the body in which the pressure is between 10 -6 ~10 -1 torr. The vacuum insulator is fabricated by piling up glass white wool, thermal-pressutizing the piled glass white wool to form a body of 0.1~0.5 g/cm 3 in density wherein the pressurizing is done at 0.007~1.5 kg/cm 2 and under 20° C. for more than 10 minutes, putting the body in the non-permeable container, and producing a vacuum in the container.
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公开(公告)号：KR100296739B1
公开(公告)日：2001-10-26
申请号：KR1019980022956
申请日：1998-06-18
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01M6/46
Abstract: 본 발명은 박막형 전지를 제작할 때 기판상에 트렌치 구조를 형성하여 단위 면적당 전극과 전해질 간에 접촉된 유효 계면의 크기를 증가시키고 보다 많은 양의 전극을 합성함으로써, 박막형 전지의 제조시에 발생되는 낮은 전류 밀도 및 낮은 충전 용량의 문제점을 해결하여 높은 전류 밀도 및 충전 용량을 갖도록 하여 박막형 전지가 마이크로일렉트로닉 전기, 전자 소자 뿐 아니라 휴대폰, 휴대용 PC 와 같은 개인용 전기, 전자 장치 및 높은 소비전력의 MEMS 소자의 전력원으로도 사용가능하도록 한 것이다.
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公开(公告)号：KR1020000073463A
公开(公告)日：2000-12-05
申请号：KR1019990016770
申请日：1999-05-11
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01M6/18
CPC classification number: H01M10/0585 , H01M2/1066 , H01M6/18 , H01M6/188 , H01M6/40 , H01M10/0436 , H01M10/052 , H01M2004/025 , Y10T29/49115
Abstract: PURPOSE: A battery having a trench structure and a method for fabricating the battery are provided to improve the quality of the battery by adopting a trench structure into the battery. CONSTITUTION: A battery comprises a substrate(10). The first collector(1) is formed on the substrate(10). A cathode(2) is formed on the first collector(1). An electrolyte(3) is formed on the cathode(2). An anode(4) is formed on the electrolyte(3). The second collector(6) makes contact with the anode(4). One of the first collector(1) and the cathode(2) is etched so as to form a plurality of trenches. The remaining thin film elements are sequentially deposited on the trenches so that the amount of the cathode(2) and the effective contact interface between the cathode(2) and the electrolyte(3) are increased.
Abstract translation: 目的：提供一种具有沟槽结构的电池和用于制造电池的方法，以通过将沟槽结构应用于电池来提高电池的质量。 构成：电池包括基板（10）。 第一集电体（1）形成在基板（10）上。 阴极（2）形成在第一集电体（1）上。 在阴极（2）上形成电解质（3）。 阳极（4）形成在电解质（3）上。 第二集电体（6）与阳极（4）接触。 第一集电体（1）和阴极（2）中的一个被蚀刻以形成多个沟槽。 剩余的薄膜元件顺序地沉积在沟槽上，使得阴极（2）的量和阴极（2）和电解质（3）之间的有效接触界面增加。
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公开(公告)号：KR100265675B1
公开(公告)日：2000-09-15
申请号：KR1019980007447
申请日：1998-03-06
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: PURPOSE: An integral dielectric filter is provided to easily control a band width by controlling a capacitance connection between two resonators which are present in one block. CONSTITUTION: One dielectric block(1) has a hexahedral shape. Two resonating holes(2,2') are longitudinally formed in the dielectric block(1). The two resonating holes(2,2') include an open surface(3) which is electrically opened and a short surface which is electrically shorted. The short surface of the two resonating holes(2,2') acts as an external electrode for a ground of a dielectric filter. Input and output electrode terminals(4,4') are symmetrically formed to each other. The input and output electrode terminals(4,4') and the external electrode(8) are divided into each other and electrically intercepted.
Abstract translation: 目的：提供一个整体介质滤波器，通过控制一个块中存在的两个谐振器之间的电容连接来容易地控制带宽。 构成：一个介质块（1）具有六面体形状。 两个谐振孔（2,2'）在介质块（1）中纵向形成。 两个谐振孔（2,2'）包括电气打开的开放表面（3）和电短路的短表面。 两个谐振孔（2,2'）的短表面用作介质滤波器的接地的外部电极。 输入和输出电极端子（4,4'）彼此对称地形成。 输入和输出电极端子（4,4'）和外部电极（8）彼此分开并电截取。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100246719B1
公开(公告)日：2000-04-01
申请号：KR1019970003403
申请日：1997-02-04
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G01N27/28
Abstract: 본 발명은 자동차의 배출가스 계측에 적용 가능한 저가의 소형 고감도 NO
X 가스 감지 소자를 제공하기 위하여, 박막증착용 알루미나 기판 앞면에 소정의 패턴으로 형성되는 백금 박막 전극과; 상기 알루미나 기판 뒷면에 형성되는 팔라듐-은 후막 히터와; 상기 전극 및 히터에 연결되는 도선과; 상기 전극이 형성된 기판의 앞면에 증착되는 NO
X 가스 감지용 산화텅스텐 박막과; 상기 산화텅스텐 박막의 앞면에 1 내지 100Å의 두께로 증착되는 NiO 촉매층 박막; 및 상기 히터가 형성된 기판의 뒷면에 도포되어 기판의 방열 및 기판을 절연시키는 고온용 알루미나 접착제;로 이루어지는 WO
3 감지막을 이용한 NO
X 가스 감지 소자 및 상기 감지 소자의 제조 방법을 제공한다.-
公开(公告)号：KR1020000009477A
公开(公告)日：2000-02-15
申请号：KR1019980029926
申请日：1998-07-24
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C23C14/5893 , C23C14/027 , C23C14/083 , C23C14/35 , C23C14/5806
Abstract: PURPOSE: This patent application is a technique about a design and a control of multi-layer thin membrane formative equipment, the manufacturing cost is high and the expensive equipment is need. CONSTITUTION: After injection of mono-layer bismuth between strontium bismuth tantalum niobium (SBTN) layer, a formation of hetero structure DBTN/Bi2O3/SBTN, according to the treatment of a low temperature and after heating, the injected bismuth oxide layer diffuse to top and bottom SBTN layer. This is a control method of a surplus bismuth quantity to injection of another bismuth layer between SBTN layers.
Abstract translation: 目的：该专利申请是关于多层薄膜形成设备的设计和控制技术，制造成本高，需要昂贵的设备。 构成：在铋铋钽铌（SBTN）层中注入单层铋后，形成异质结构DBTN / Bi2O3 / SBTN，根据低温处理和加热后，注入的铋氧化物层向顶部扩散 和底部SBTN层。 这是在SBTN层之间注入另一铋层的剩余铋量的控制方法。
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公开(公告)号：KR100234000B1
公开(公告)日：1999-12-15
申请号：KR1019960038203
申请日：1996-09-04
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L41/02 , H01L27/108 , H01L27/04
Abstract: 본 발명은 피제트티(PZT) 박막 및 그 제조방법에 관한 것으로, 졸-겔 스핀 코팅법으로 백금전극과 PZT 박막 사이에 박막과 같은 페로브스카이트 구조를 갖는 티탄산납(PbTiO
3 )의 촉진층을 삽입하고 백금전극과 반도체기판 사이에 확산 장벽용 알루미나(Al
2 O
3 ) 완충층을 삽입함으로서, 저온에서의 페로브스카이트 상형성을 용이하게 하며 고온에서의 물성저하 없이 우수한 유전 및 강유전 특성을 발현하는 비휘발성 메모리용 PZT 박막 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 의한 PZT 박막은 현재 메모리 반도체 산업에서 가장 커다란 문제점으로 대두되는 저온에서의 페로브스카이트 단일상의 형성과 확산방지 및 피로현산을 개선시킬 수 있기 때문에 장치의 의존성이 적은 졸-겔법이 갖는 경제적인 면 등의 장점을 살릴 수 있음과 동시에 특성형상을 위해 값비싼 단결정 기판 등으로 대체하지 않고 실제 반도체 소자 제조공정에서 사용되는 반도체기판을 아무 문제없이 직접 적용할 수 있으므로 그 응용성을 확대할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019990041210A
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019970061767
申请日：1997-11-21
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C23C16/00
Abstract: 반응성 가스를 일정량 주입하면서 고분자를 합성하는 고분자 합성방법에 있어서, 반응성 가스를 직류 또는 고주파로 방전시켰을 때 반응성 가스의 플라즈마를 이용하여 재료의 표면에 성질이 다른 중합막을 형성하는 기술로서, 특히 방전의 직류전류, 직류전압, 고주파전력, 재료의 위치 및 증착시간등을 최적화 하면서 중합막의 성질을 바꾸는 고분자 합성방법에 관한 것이다. 진공상태하에서 반응성 가스를 진공챔버에 주입하여 플라즈마의 상태에서 기판 시료를 양극(또는 능동전극) 또는 음극(또는 수동전극)으로 하여 전압을 인가시키면 기판의 표면에 중합물이 증착된다. 본 발명에서는 낮은 에너지와 저 진공상태에서, 시료와 증착시키고자 하는 입자사이에 전위차를 발생시키므로써, 시료의 표면에 새로운 화학적 구조를 가진 물질을 생성하게 되는데, 시료에 증착된 물질의 표면은 반응가스의 종류, 직류전류, 전압, 고주파전력, 증착시간에 따라 여러 가지 다른 화학적 결합이 이루어져 필요에 따라 표면강도의 변화, 접착(adhesion), 흡착(adsorption), 친수성(hydrophilic), 소수성(hydrophobic) 등의 특성을 얻을 수 있다. 이러한 공정을 이용하면 재료 기판의 고유한 성질에는 영향을 주지 않고 시료의 표면에 새로운 물질을 생성할 수 있다.
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