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公开(公告)号：KR100753840B1
公开(公告)日：2007-08-31
申请号：KR1020060081834
申请日：2006-08-28
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 라디얼 스터브를 공통으로 사용하여 크기를 줄인 강유전체 결합 선로형 위상 변위기가 개시된다. 본 발명에 따른 공통 라디얼 스터브를 이용한 강유전체 결합 선로형 위상 변위기는, 라디얼 스터브의 꼭짓점에 제 1 마이크로 스트립 라인들의 각각의 일측이 공통으로 연결되어 결합 선로들의 강유전체 박막에 DC 전압을 인가하는 다수의 DC 전압 인가 회로들을 구성하고, 제 1 마이크로 스트립 라인들의 각각의 타측은 결합 선로들과 직렬로 연결된 제 2 마이크로 스트립 라인들에 각각 연결되어 결합 선로로 DC 전압을 인가할 수 있도록 경로를 형성한다. 본 발명에 따르면, 마이크로파 특성의 저하 없이 강유전체 결합 선로형 위상 변위기 전체의 크기를 줄일 수 있다.
강유전체 박막, 결합 선로, coupled line, 위상 변위기, 라디얼 스터브, radial stub, 미앤더 라인, meander line-
132.发明公开유기 전자 소자의 유기 물질층 패터닝 방법과 상기 방법을이용하여 제작된 유기 박막 트랜지스터 및 유기 전계 발광디바이스 有权有机电子器件有机材料和有机薄膜晶体管和有机电子发射器件的绘图方法
公开(公告)号：KR1020070059877A
公开(公告)日：2007-06-12
申请号：KR1020060057815
申请日：2006-06-27
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H05B33/10
CPC classification number: H01L51/0018 , H01L51/0016 , H01L51/0019 , H01L51/0026 , H01L51/56
Abstract: A patterning method of an organic layer of an organic electronic device and an organic thin film transistor and an organic electroluminescence device are provided to prevent deterioration of characteristics of the organic layer by using a lift-off process in micro-patterning the organic layer. A patterning method of an organic layer of an organic electronic device includes the steps of: coating a first photoresist on a substrate(S305); applying a heat process to the coated first photoresist(S310); performing lithography on the first photoresist(S315); depositing a metal film on the first photoresist(S320); coating a second photoresist on the metal film(S325); applying a heat treatment to the coated second photoresist(S330); forming a mask of a desired pattern on a top of the heat-processed second photoresist(S335); performing the lithography on the second photoresist on a top of the mask(S340); developing the first photoresist and the second photoresist(S345); forming an organic layer for an organic electronic device on the patterned substrate and the second photoresist(S350); forming a protection layer on the organic layer(S355); and removing the first photoresist and the second photoresist by a lift-off method(S360).
Abstract translation: 提供有机电子器件和有机薄膜晶体管的有机层和有机电致发光器件的图案化方法，以通过在有机层的微图案化中使用剥离处理来防止有机层的特性劣化。 有机电子器件的有机层的图案化方法包括以下步骤：在基板上涂覆第一光致抗蚀剂（S305）; 对涂覆的第一光致抗蚀剂施加热处理（S310）; 在第一光致抗蚀剂上进行光刻（S315）; 在第一光致抗蚀剂上沉积金属膜（S320）; 在金属膜上涂覆第二光致抗蚀剂（S325）; 对涂布的第二光致抗蚀剂进行热处理（S330）; 在热处理的第二光致抗蚀剂的顶部上形成所需图案的掩模（S335）; 在掩模的顶部上对第二光致抗蚀剂进行光刻（S340）; 显影第一光致抗蚀剂和第二光致抗蚀剂（S345）; 在所述图案化基板和所述第二光致抗蚀剂上形成有机电子器件的有机层（S350）; 在有机层上形成保护层（S355）; 以及通过剥离方法去除第一光致抗蚀剂和第二光致抗蚀剂（S360）。
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公开(公告)号：KR100714101B1
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：KR1020050074440
申请日：2005-08-12
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 초소형 광/자기 헤드 액튜에이터를 제공한다. 본 발명은 디스크의 정보를 읽거나 디스크에 정보를 기록하기 위하여 헤드가 장착되고, 수평 방향 및 수직 방향으로 이동할 수 있는 스윙암과, 상기 스윙암을 디스크에 대하여 수평 방향(트래킹 방향)으로 이동시킬 수 있는 트래킹 액튜에이터를 포함한다. 더하여, 본 발명은 상기 스윙암의 회전 반경을 조절하고 상기 스윙암의 트래킹 방향 이동을 가이드하는 피봇 힌지와, 상기 스윙암을 디스크에 대하여 수직 방향(포커싱 방향)으로 이동시킬 수 있는 포커싱 액튜에이터를 포함한다. 상기 포커싱 액튜에이터는 상기 스윙암의 하부에 부착된 포커싱 코일과 상기 포커싱 코일의 하부에 위치하는 할바 배열 자석으로 구성된다. 이에 따라, 본 발명은 마찰이나 백래쉬가 없고 비반복 오차도 줄일 수 있고, 할바 배열 자석을 이용하여 초소형 저장 장치의 두께를 대폭적으로 줄일 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020070024329A
公开(公告)日：2007-03-02
申请号：KR1020060018507
申请日：2006-02-25
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01J31/127 , H01J1/316 , H01J2201/316 , H01J2201/3165 , H01J2329/0486 , H01J2329/0489
Abstract: An electron emission device using an abrupt metal-insulator transition and a display including the same are provided to increase an electron emission rate by emitting electrons to a gap between divided portions of a metal-insulator transition material layer. An electron emission device includes a substrate(102), a metal-insulator transition material layer(106) disposed on the substrate and divided by a predetermined gap with portions of the divided metal-insulator transition material layer facing one another, and electrodes(110,112) connected to each of the portions of the divided metal-insulator transition material layer for emitting electrons to the gap between the portions of the divided metal-insulator transition material layer. A width of the gap is in a range of about 5 to 200 nm.
Abstract translation: 提供使用突变金属 - 绝缘体转变的电子发射装置和包括其的显示器，以通过向金属 - 绝缘体转移材料层的分割部分之间的间隙发射电子来增加电子发射速率。 一种电子发射装置，包括：衬底（102）;金属 - 绝缘体转移材料层（106），设置在衬底上并与被划分的金属 - 绝缘体转移材料层彼此面对的部分分开预定的间隙;以及电极（110,112 ）连接到用于发射电子的划分的金属 - 绝缘体转移材料层的每个部分到分开的金属 - 绝缘体转移材料层的部分之间的间隙。 间隙的宽度在约5至200nm的范围内。
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公开(公告)号：KR1020070023477A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：KR1020050117265
申请日：2005-12-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: C23C16/40 , H01L21/205
Abstract: 균일한 표면과 안정된 조성을 가진 대면적의 바나듐산화물 박막의 제조방법을 제공한다. 그 방법은 바나듐-유기금속화합물 가스를 챔버에 주입하여, 바나듐-유기금속화합물 분자가 기판의 표면에 포화흡착된 흡착물을 형성한다. 그후, 챔버에 산소-전구체를 주입하여, 상기 흡착물과 표면포화반응(surface saturation reaction)시켜 바나듐산화물 박막을 제조한다.
바나듐산화물, 박막, 대면적, 표면포화반응-
Patent Agency Ranking136.发明公开
公开(公告)号：KR1020070014928A
公开(公告)日：2007-02-01
申请号：KR1020050124045
申请日：2005-12-15
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: An abrupt MIT device, a high-voltage noise removing circuit using the same, and an electrical and electronic system with the circuit are provided to remove a high-voltage noise higher than a limit voltage of each of the abrupt MIT devices by using serially-connected abrupt MIT devices. An abrupt MIT(Metal-Insulator Transition) device includes a substrate(100) and first and second abrupt MIT structures(600,600a) respectively formed on an upper surface and a lower surface of the substrate. Each of the first and second abrupt MIT structures has a characteristic of an insulator below a predetermined limit voltage and has a characteristic of a metal above the limit voltage. Each of the first and second abrupt metal-insulator transition structures has an abrupt MIT thin film and at least two electrode thin films contacting the abrupt MIT thin film.
Abstract translation: 提供突发MIT装置，使用该装置的高压噪声消除电路以及具有该电路的电气和电子系统，以通过使用串联方式来消除高于每个突发MIT装置的极限电压的高电压噪声， 连接的突发MIT设备。 突变MIT（金属绝缘体转移）器件包括分别形成在衬底的上表面和下表面上的衬底（100）和第一和第二突变MIT结构（600,600a）。 第一和第二突变MIT结构中的每一个具有低于预定极限电压的绝缘体的特性，并且具有高于极限电压的金属的特性。 第一和第二突变金属 - 绝缘体转变结构中的每一个具有突变的MIT薄膜和与突变的MIT薄膜接触的至少两个电极薄膜。
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公开(公告)号：KR100640001B1
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：KR1020050111882
申请日：2005-11-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/772
CPC classification number: H01L49/003 , H01L27/0248
Abstract: 정격표준전압 이상의 고주파수 잡음이 전기전자시스템의 전원 라인 혹은 신호라인을 타고 들어올 때 상기 잡음을 효과적으로 제거할 수 있는 급격한 MIT 소자를 이용한 전기전자시스템 보호회로 및 그 보호회로를 포함한 전기전자시스템을 개시한다. 그 전기전자시스템 보호회로는 잡음으로부터 보호받고자 하는 전기전자시스템에 병렬 연결되는 급격한 MIT(Metal-Insulator Transition:MIT) 소자를 포함한다. 전기전자시스템 보호회로는 정격표준전압 이상의 전압이 인가될 때 발생하는 잡음전류의 대부분을 급격한 MIT 소자 쪽으로 바이패스(bypass) 시킴으로써, 전기전자시스템을 보호한다.
금속-절연체 전이, 급격한 MIT 소자, 보호회로-
公开(公告)号：KR100596391B1
公开(公告)日：2006-07-04
申请号：KR1020040101087
申请日：2004-12-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L21/022 , H01G7/06 , H01L21/02197 , H01L21/0226 , H01L21/31691 , H01L28/56 , H01P1/181
Abstract: 본 발명은 강유전체 박막의 유전 상수의 튜닝율 및 유전 손실의 한계성을 극복하기 위해 유전 상수의 큰 튜닝율과 작은 유전 손실을 갖는 새로운 강유전체/상유전체 다층 박막 및 그 제조 방법과, 상기 강유전체/상유전체 다층 박막을 구비하는 초고주파 가변 소자에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 강유전체/상유전체 다층 박막은 기판 상에 형성된 페로브스카이트 ABO
3 형 상유전체 종자층과, 상기 상유전체 종자층 위에 형성된 에피택셜 강유전체 (Ba
x Sr
1-x )TiO
3 박막을 포함한다. 본 발명에 따른 초고주파 가변 소자는 초고속, 저전력, 저가격화가 가능한 우수한 마이크로파 특성을 갖는 초고주파 주파수/위상 가변 소자를 구현할 수 있다.
강유전체, BST, 종자층, 유전 상수, 유전 손실, 주파수, 위상, 가변 소자-
公开(公告)号：KR1020060070295A
公开(公告)日：2006-06-23
申请号：KR1020040108982
申请日：2004-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01Q3/30
Abstract: 높은 특성 임피던스를 가지는 CPW(Coplanar Waveguide)에 강유전체 박막을 이용한 가변 축전기(tunable capacitor)가 주기적으로 연결된 구조를 가진 분포 정수형 위상 변위기에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 분포 정수형 위상 변위기는 기판과, 상기 기판과의 사이에 공기층이 개재되도록 상기 기판으로부터 소정 거리 이격되어 있는 신호선을 포함한다. 복수의 가변 축전기가 상기 신호선의 양측에서 상기 신호선의 길이 방향을 따라 주기적으로 형성되어 있다. 상기 가변 축전기에 DC 전압을 인가하기 위하여 상기 기판상에는 전극이 형성되어 있다.
강유전체 박막, 분포 정수형 위상 변위기, CPW, IDC-
公开(公告)号：KR1020060064461A
公开(公告)日：2006-06-13
申请号：KR1020050039098
申请日：2005-05-11
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/772
CPC classification number: H01L49/003 , H01L29/452
Abstract: 급격한 금속-절연체 전이 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에서는 급격한 금속-절연체 전이 소자의 전극을 Ni(또는 Cr)/In/Mo(또는 W)/Au의 적층막으로 구성한다. Ni(또는 Cr)/In은 저저항 콘택을 위한 것으로, 열처리 과정시 계면 반응에 의해 형성되는 화합물을 이용하여 급격한 금속-절연체 전이 물질막과 전극 사이의 포텐셜 배리어(potential barrier)를 낮추어 전류 유입 효율을 증가시킨다. 그리고, 고출력 소자 동작시 고온 동작시에도 열적으로 안정되게 하는 역할을 수행한다. Mo(또는 W)는 In과 Au 사이에 도입되어 소자 고온 동작 과정에서 Au의 열 확산에 의한 오믹 특성 저항을 방지한다. 본 발명에 따르면 전극 파탄이 없고 신뢰성이 우수한 급격한 금속-절연체 전이 소자를 제공할 수 있다.
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