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公开(公告)号：CN104646837B
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201410848774.X
申请日：2014-11-19
Applicant: 罗芬-新纳技术公司
Inventor： S·A·侯赛尼
IPC: B23K26/53 , B23K26/382 , B23K26/046
CPC classification number: B81C1/00238 , B23K26/0604 , B23K26/0624 , B23K26/0626 , B23K26/0648 , B23K26/356 , B23K26/382 , B23K26/40 , B23K2103/50 , B81C1/00634 , B81C2201/019 , B81C2203/036 , B81C2203/038 , C03B33/0222 , C03B33/04 , H01L25/043 , H01L25/0657 , H01L25/0756 , H01L25/117 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 电/机械微芯片以及使用超快激光脉冲群的制造方法。一种使用多个透明基板制造电机械芯片的方法，包括步骤：使用光声压缩在多个基板中的至少一个中加工完整或部分空隙。按照特定的顺序层叠和布置多个透明基板。将透明基板固定和密封在一起。可通过激光焊接或粘合剂来密封芯片。
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公开(公告)号：CN105161437B
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201510598724.5
申请日：2015-09-18
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: H01L21/67028 , B81C1/00928 , B81C3/001 , B81C3/002 , B81C2201/0102 , B81C2201/0128 , B81C2201/0133 , B81C2201/019 , B81C2203/051 , H01L21/68
Abstract: 等离子体辅助的玻璃或石英芯片的微结构对准及预键合方法，属于芯片微加工及键合技术。其步骤如下：完全去除玻璃或石英芯片光胶层及铬层，使用洗洁精及大量超纯水充分清洗表面。利用等离子体清洗器进行表面清洗及活化，使表面具有高亲水性；无水条件下，使用显微镜观察，移动清洗后的基片及盖片，完成精确对准。在边缘缝隙滴入极少量超纯水进行粘合，充分施压挤出多余水分后，依靠等离子体清洗器的真空功能排出芯片中的全部水分，完成玻璃或石英芯片的微结构对准及预键合。进一步采用热键合的方法完成芯片的永久键合。该方法使得对准及预键合，整体操作时间可在30min内完成。快速高效、实施简便、操作安全、适用广泛。
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公开(公告)号：CN105314590B
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201510455584.6
申请日：2015-07-29
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: B81B3/0021 , B06B1/02 , B81B3/007 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2203/0109 , B81B2203/0118 , B81B2203/0127 , B81B2203/051 , B81C1/00142 , B81C1/0015 , B81C1/00158 , B81C1/00373 , B81C2201/0176 , B81C2201/0181 , B81C2201/019 , H04R7/02 , H04R7/24 , H04R19/005 , H04R19/02 , H04R19/04 , H04R31/00 , H04R31/003 , H04R2201/003 , H04R2307/023 , H04R2400/01 , H04R2499/11
Abstract: 一种微机械结构，其包括衬底和布置在衬底处的功能性结构。功能性结构包括功能性区域，功能性区域配置为响应于作用在功能性区域上的力而相对于衬底偏转。功能性结构包括传导性基础层并且功能性结构包括具有布置在传导性基础层处并且仅在功能性区域处部分地覆盖传导性基础层的固化结构材料的固化结构。固化结构材料包括硅材料以及至少碳材料。
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公开(公告)号：CN103449352B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201310206782.X
申请日：2013-05-29
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 前田佳男
IPC: B81B7/00 , B81B7/02 , B81C1/00 , G01C19/5719
CPC classification number: H02N1/008 , B81B7/0074 , B81B7/02 , B81C1/00293 , B81C2201/019 , B81C2203/051 , G01C19/5719 , H01L2224/48091 , H01L2924/1461 , H05K13/00 , Y10T29/49002 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种电子装置及其制造方法、以及电子设备，所述电子装置更有助于小型化和节约空间化。本发明所涉及的电子装置包括：第一基体；第二基体；第三基体，其被所述第一基体和所述第二基体夹持；第一功能元件，其被设置在被所述第一基体和所述第三基体所包围的第一腔室内；第二功能元件，其被设置在被所述第二基体和所述第三基体所包围的第二腔室内。
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公开(公告)号：CN106505056A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610804266.0
申请日：2016-09-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/528 , H01L21/768 , B81B7/02 , B81C1/00
CPC classification number: H01L43/12 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2207/07 , B81C2201/019 , H01L43/08 , H01L23/488 , B81C1/00015 , H01L21/768 , H01L23/528
Abstract: 半导体结构包括第一衬底、第二衬底、位于第一衬底上方并且位于第一衬底和第二衬底之间的第一感测结构、穿过第二衬底延伸的通孔以及位于第二衬底上方的第二感测结构，并且该第二感测结构包括与通孔电连接的互连结构以及至少部分地覆盖互连结构的感测材料。本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101589311B
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN200780049697.X
申请日：2007-11-13
Applicant: 柯尼卡美能达精密光学株式会社
Inventor： 平山博士
CPC classification number: B81C1/00071 , B01L3/502707 , B01L2200/027 , B01L2200/0689 , B01L2200/12 , B01L2300/0816 , B01L2300/0887 , B01L2300/16 , B81B2201/051 , B81C2201/019
Abstract: 本发明提供一种微芯片以及微芯片的制造方法，通过填埋在微芯片中形成的开口部附近的衬底间的间隙而可以防止试剂等的泄漏。该微芯片构成为具有微芯片衬底(10)和微芯片衬底(14)。在微芯片衬底(10)中形成有槽状的微细流路(11)和贯通孔，通过将微芯片衬底(10)和微芯片衬底(14)接合起来而制造微芯片。开口部(12)与微细流路(11)连接，通过开口部(12)进行试剂等的导入或试剂等的排出等。在开口部(12)的内表面上形成电解质膜(13)。电介质膜(13)使用SiO2膜或TiO2膜。
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公开(公告)号：CN106029554A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201580009172.8
申请日：2015-02-05
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: B81B7/0048 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2207/017 , B81C3/001 , B81C2201/0132 , B81C2201/019 , H01L2224/16225 , H01L2924/15311
Abstract: 本发明提出一种传感器单元，其具有第一半导体器件和第二半导体器件，其中，所述第一半导体器件具有第一衬底和传感器结构，其中，所述第二半导体器件具有第二衬底，其中，所述第一和第二半导体器件通过晶圆连接部彼此连接，其中，所述传感器单元具有脱耦结构，该脱耦结构配置为，使得所述传感器结构热机械地和/或机械地与所述第二半导体器件脱耦。
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公开(公告)号：CN105910736A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610093428.4
申请日：2016-02-19
Applicant: 大陆汽车系统公司
CPC classification number: B81C1/00888 , B81B7/0019 , B81B2201/0264 , B81C1/00182 , B81C2201/019 , B81C2203/031 , B81C2203/032 , G01L13/025 , G01L19/0654 , G01L1/18 , B81B7/0058 , B81C1/00325
Abstract: 本发明涉及一种用于高玻璃强度和稳健包装的嵌入结构。传感器设备构造成保持高玻璃强度以避免在低爆破压力下的玻璃失效，其起因于位于作为用于构造传感器的材料中的一个的玻璃底座的临界高应力区域中的锯切缺陷。这通过在锯切槽区域的临界高应力区域中形成抛光的凹槽结构来实现。传感器设备还构造成通过在玻璃底座的安装表面上产生多个微柱来与芯片附接材料稳健的结合。
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公开(公告)号：CN104045050B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201310359584.7
申请日：2013-08-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/025 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81C1/00182 , B81C1/00238 , B81C2201/013 , B81C2201/019 , B81C2203/0118 , B81C2203/0792 , H01L23/10 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L2224/29011 , H01L2224/29013 , H01L2224/291 , H01L2224/29124 , H01L2224/29144 , H01L2224/32145 , H01L2224/83193 , H01L2224/83805 , H01L2924/01322 , H01L2924/1461 , H01L2224/3012 , H01L2924/00012 , H01L2924/01029 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了具有各向同性腔的MEMS集成压力传感器及其制造方法，其中该方法实施例包括提供具有氧化物层、MEMS衬底、多晶硅层的MEMS晶圆。将包括使用各向同性蚀刻形成的第一腔的载体晶圆接合至MEMS，第一腔与多晶硅层暴露的第一部分对准。图案化MEMS衬底，并且去除部分牺牲氧化层以形成第一和第二MEMS结构。将包括第二腔的帽晶圆接合至MEMS晶圆，这种接合生成包括与第一MEMS结构对准的第二腔的第一密封腔，并且第二MEMS结构设置在多晶硅层的第二部分与帽晶圆之间。去除部分帽晶圆，以使第一腔用作第一MEMS结构的环境压力的通道。
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公开(公告)号：CN104045048B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201410093116.4
申请日：2014-03-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B7/0041 , B81C1/00158 , B81C1/00238 , B81C1/00301 , B81C2201/019 , B81C2203/00 , B81C2203/0714 , B81C2203/0792 , H01L23/10 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L2224/04026 , H01L2224/2745 , H01L2224/27452 , H01L2224/27831 , H01L2224/29011 , H01L2224/291 , H01L2224/29124 , H01L2224/29147 , H01L2224/32145 , H01L2224/83805 , H01L2224/8382 , H01L2924/01322 , H01L2924/1461 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种堆叠半导体器件包括CMOS器件和MEMS器件。CMOS器件包括多层互连件，在该多层互连件上方设置有金属元件。MEMS器件包括金属部分，在该金属部分上方设置有第一介电层。位于第一介电层中的腔露出部分金属部分。介电停止层至少设置在腔的内表面的上方。可移动结构设置在第一介电层的正面上方并悬于腔的上方。可移动结构包括位于第一介电层的正面上方且悬于腔上方的第二介电层、位于第二介电层上方的金属部件和位于金属部件上方的柔性介电膜。CMOS器件通过朝向柔性介电膜的金属元件接合至MEMS器件。本发明还提供了堆叠半导体器件的形成方法。
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